Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cordes, A. (SEMATECH, United States)
G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)

Data:	2016
Nota:	Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota:	Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384 C. Couso, V. Iglesias, M. Porti, S.
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès.
Document:	article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria:	Conductance
Publicat a:	IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643, ISSN 0741-3106

DOI: 10.1109/LED.2016.2537051

Post-print 4 p, 3.8 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats