Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements - Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
 
Comments (0) | Reviews (0)
Start a discussion about any aspect of this document.

 Subscribe to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Add comment


Once logged in, authorized users can also attach files.
Note: you have not defined your nickname.
N/D will be displayed as the author of this comment.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>