Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics
Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Data: |
2011 |
Resum: |
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. The impact of an electrical stress on the electrical conduction and the charge trapping of amorphous and polycrystalline Al₂O₃ layers have been also analyzed. |
Ajuts: |
Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2007-61294 Ministerio de Educación y Ciencia HA2007-0029
|
Drets: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. |
Llengua: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió publicada |
Matèria: |
Ultra High Vacuum ;
Polycrystalline Structure ;
Amorphous Sample ;
Contact Potential Difference ;
Al₂O₃ Layer |
Publicat a: |
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108, ISSN 1931-7573 |
DOI: 10.1186/1556-276X-6-108
PMID: 21711617
El registre apareix a les col·leccions:
Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2018-01-25, darrera modificació el 2023-07-03