A Multilevel Magnetic Synapse Based on Voltage-Tuneable Magnetism by Nitrogen Ion Migration
Monalisha, P. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Ma, Zheng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Pellicer Vilà, Eva Maria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)

Data:	2023
Resum:	Advanced synaptic devices with simultaneous memory and processor capabilities are envisaged as core elements of neuromorphic computing (NC) for low-power artificial intelligence. So far, most synaptic devices are based on resistive memories, where the device resistance is tuned with applied voltage or current. However, the use of electric current in such resistive devices causes significant power dissipation due to Joule heating. Higher energy efficiency has been reported in materials exhibiting voltage control of magnetism (VCM). In particular, voltage-driven ion motion to modulate magnetism (magneto-ionics) is an emerging VCM mechanism that can offer new prospects for low-power implementation of NC. In the present work, voltage-driven nitrogen ion motion is exploited in transition metal nitride (CoFeN) thin films (i. e. , nitrogen magneto-ionics) to emulate biological synapses. In the proposed device, distinct multilevel non-volatile magnetic states for analog computing and multi-state storage are realized. Moreover, essential synaptic functionalities of the human brain are successfully simulated. The device exhibits an excellent synapse with a remarkable retention time (≈6 months), high switching ratio and large endurance (≈103), for hardware implementation of NC. This research provides new insight into exploiting magneto-ionic-based synaptic devices for spin-based neuromorphic systems.
Ajuts:	European Commission 101054687 Agencia Estatal de Investigación PID2020-116844RB-C21 Agencia Estatal de Investigación PDC2021-121276-C31 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00651
Nota:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Nota:	Altres ajuts: European Union NextGenerationEU/PRTR (grant CNS2022-135230)
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Magneto-ionics ; Neuromorphic computing ; Synaptic devices ; Transition-metal nitride ; Voltage control of magnetism ; SDG 7 - Affordable and Clean Energy
Publicat a:	Advanced Electronic Materials, Vol. 9, Issue 8 (August 2023) , art. 2300249, ISSN 2199-160X

DOI: 10.1002/aelm.202300249

8 p, 1.7 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Grup de nanoenginyeria de materials, nanomagnetisme i nanomecànica (Gnm3)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats