Colloidal Ag2SbBiSe4 nanocrystals as n-type thermoelectric materials
Nan, Bingfei (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Yu, Jing (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Li, Mengyao (Zhengzhou University)
Huang, Chen (Universitat de Barcelona)
Chen, Hongyu (Fudan University)
Zhang, Hao (Fudan University)
Chang, Cheng (Beihang University)
Li, Junshan (Chengdu University)
Song, Xuan (Tsinghua University)
Guo, Kai (Guangzhou University)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Cabot i Codina, Andreu (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)

Data:	2025
Resum:	Materials with low intrinsic thermal conductivity are essential for the development of high-performance thermoelectric devices. At the same time, the solution processing of these materials may enable the cost-effective production of the devices. Herein, we detail a high-yield and scalable colloidal synthesis route to produce AgSbBiSe nanocrystals (NCs) using amine-thiol-Se chemistry. The quaternary chalcogenide material is consolidated by a rapid hot-press maintaining the cubic crystalline structure. Transport measurements confirm that n-type AgSbBiSe exhibits an inherently ultralow lattice thermal conductivity of ca. 0. 34 W mK at 760 K. Moreover, a modulation doping strategy based on the blending of semiconductor AgSbBiSe and metallic Sn NCs is demonstrated to control the charge carrier concentration in the final composite material. The introduction of Sn nanodomains additionally blocks phonon propagation thus contributing to reducing the thermal conductivity of the final material. Ultimately, a peak thermoelectric figure of merit value of 0. 64 at 760 K is achieved for n-type AgSbBiSe-Sn nanocomposites that also demonstrate a notable Vickers hardness of 185 HV.
Ajuts:	Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00457 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-01581 Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió
Matèria:	Thermoelectricity ; Quaternary chalcogenide ; Ag2BiSbSe4 ; Nanocrystal ; Modulation doping ; Hot press
Publicat a:	Journal of colloid and interface science, Vol. 679 (February 2025) , p. 910-920, ISSN 1095-7103

DOI: 10.1016/j.jcis.2024.10.035

Preprint 26 p, 2.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats