Pàgina inicial > Articles > Resultats de la cerca: Jiménez Jiménez, David

Articles

  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Articles 32 registres trobats  anterior11 - 20següentfinal  anar al registre: La cerca s'ha fet en 0.00 segons. 
11.
8 p, 2.6 MB Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099  
Registre complet -
12.
18 p, 1.0 MB Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Inserm) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655  
Registre complet - Creative Commons
13.
11 p, 213.0 KB Physical model of the contact resistivity of metal-graphene junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While graphene-based technology shows great promise for a variety of electronic applications, including radio-frequency devices, the resistance of the metal-graphene contact is a technological bottleneck for the realization of viable graphene electronics. [...]
2014 - 10.1063/1.4874181
Journal of applied physics, Vol. 115, issue 16 (April 2014) , art. 164513  
Registre complet -
14.
8 p, 2.1 MB Photoresponse of Graphene-Gated Graphene-GaSe Heterojunction Devices / Kim, Wonjae (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Arpiainen, Sanna (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Xue, Hui (Aalto University) ; Soikkeli, Miika (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Qi, Mei (Aalto University) ; Sun, Zhipei (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Prunnila, Mika (Aalto University)
Because of their extraordinary physical properties, low-dimensional materials including graphene and gallium selenide (GaSe) are promising for future electronic and optoelectronic applications, particularly in transparent-flexible photodetectors. [...]
2018 - 10.1021/acsanm.8b00684
ACS applied nano materials, Vol. 1 (07 2018) , p. 3895-3902  
Registre complet - Creative Commons
15.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
Registre complet -
16.
7 p, 1.6 MB Large-signal model of 2DFETs : compact modeling of terminal charges and intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Marin, Enrique G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Park, Saungeun (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Akinwande, Deji (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a physics-based circuit-compatible model for double-gated two-dimensional semiconductor-based field-effect transistors, which provides explicit expressions for the drain current, terminal charges, and intrinsic capacitances. [...]
2019 - 10.1038/s41699-019-0130-6
npj 2D Materials and Applications, Vol. 3 (December 2019) , art. 47  
Registre complet - Creative Commons
17.
21 p, 2.8 MB Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  
Registre complet -
18.
12 p, 530.3 KB GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances / Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. [...]
2019 - 10.3390/nano9071027
Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027  
Registre complet - Creative Commons
19.
3 p, 418.6 KB Un pas imprescindible perquè el pròxim smartphone inclogui tecnologia electrònica de grafè / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La Internet de les Coses està provocant una expansió sense precedents de la connectivitat i les comunicacions en la nostra societat actual. La nova generació de tecnologies sense fils, el 5G, demana connexions cada cop més ràpides, cosa que fa necessari desenvolupar noves tecnologies electròniques per atendre les exigències del mercat. [...]
El Internet de las Cosas está provocando una expansión sin precedentes de la conectividad y las comunicaciones en nuestra actual sociedad. La nueva generación de tecnologías inalámbricas, el 5G, demanda conexiones cada vez más rápidas, lo que hace necesario desarrollar nuevas tecnologías electrónicas para atender las exigencias del mercado. [...]
The specific needs of the next generations of wireless communication systems, 5G and beyond, as well as devices for the future development of Internet of Things have made graphene and related materials promising candidates for future electronic applications, such as bendable and terahertz electronics. [...]
2019
UAB divulga, Desembre 2019, p. 1-3
3 documents
Registre complet - Creative Commons
20.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco Solans, Juli (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, Hiroyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  
Registre complet -

Articles : 32 registres trobats   anterior11 - 20següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem