Página principal > Artículos > Resultados de la búsqueda: Jiménez, David

Artículos

  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Artículos Encontrados 39 registros  inicioanterior12 - 21siguientefinal  ir al registro: La búsqueda tardó 0.02 segundos. 
12.
3 p, 431.8 KB Cap al desenvolupament de circuits multifuncionals utilitzant dispositius emergents basats en carboni / Ramos-Silva, Javier N. (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramírez-García, Eloy (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Durant els últims anys la demanda de sistemes de comunicació robustos ha anat en augment com a resposta a les necessitats de la població per més i millors opcions de connectivitat. Les tecnologies de semiconductors emergents, com per exemple dispositius a base de carboni, han sorgit com a alternativa a curt termini per incrementar els límits d'acompliment de circuits integrats. [...]
Durante los últimos años la demanda de sistemas de comunicación robustos ha ido en aumento como respuesta a las necesidades de la población por más y mejores opciones de conectividad. Las tecnologías de semiconductores emergentes, como por ejemplo dispositivos a base de carbono, han surgido como una alternativa en el corto plazo para incrementar los límites de desempeño de circuitos integrados. [...]
During the last years, the claim of high-performance communication systems has increased as a result of the requirements of the population for more and better connectivity options. Emerging semiconductor technologies, e. [...]
2021
UAB divulga, Octubre 2021
3 documentos
Registro completo - Creative Commons
13.
11 p, 805.0 KB Bias dependent variability of low-frequency noise in single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-frequency noise (LFN) variability in graphene transistors (GFETs) is for the first time researched in this work under both experimental and theoretical aspects. LFN from an adequate statistical sample of long-channel solution-gated single-layer GFETs is measured in a wide range of operating conditions while a physics-based analytical model is derived that accounts for the bias dependence of LFN variance with remarkable performance. [...]
2020 - 10.1039/d0na00632g
Nanoscale advances, Vol. 2, issue 11 (Nov. 2020) , p. 5450-5460  
Registro completo - Creative Commons
14.
8 p, 2.6 MB Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099  
Registro completo -
15.
18 p, 1.0 MB Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Inserm) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655  
Registro completo - Creative Commons
16.
11 p, 213.0 KB Physical model of the contact resistivity of metal-graphene junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While graphene-based technology shows great promise for a variety of electronic applications, including radio-frequency devices, the resistance of the metal-graphene contact is a technological bottleneck for the realization of viable graphene electronics. [...]
2014 - 10.1063/1.4874181
Journal of applied physics, Vol. 115, issue 16 (April 2014) , art. 164513  
Registro completo -
17.
8 p, 2.1 MB Photoresponse of Graphene-Gated Graphene-GaSe Heterojunction Devices / Kim, Wonjae (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Arpiainen, Sanna (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Xue, Hui (Aalto University) ; Soikkeli, Miika (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Qi, Mei (Aalto University) ; Sun, Zhipei (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Prunnila, Mika (Aalto University)
Because of their extraordinary physical properties, low-dimensional materials including graphene and gallium selenide (GaSe) are promising for future electronic and optoelectronic applications, particularly in transparent-flexible photodetectors. [...]
2018 - 10.1021/acsanm.8b00684
ACS applied nano materials, Vol. 1 (07 2018) , p. 3895-3902  
Registro completo - Creative Commons
18.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
Registro completo -
19.
7 p, 1.6 MB Large-signal model of 2DFETs : compact modeling of terminal charges and intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Marin, Enrique G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Park, Saungeun (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Akinwande, Deji (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a physics-based circuit-compatible model for double-gated two-dimensional semiconductor-based field-effect transistors, which provides explicit expressions for the drain current, terminal charges, and intrinsic capacitances. [...]
2019 - 10.1038/s41699-019-0130-6
npj 2D Materials and Applications, Vol. 3 (December 2019) , art. 47  
Registro completo - Creative Commons
20.
21 p, 2.8 MB Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  
Registro completo -
21.
12 p, 530.3 KB GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances / Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. [...]
2019 - 10.3390/nano9071027
Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027  
Registro completo - Creative Commons

Artículos : Encontrados 39 registros   inicioanterior12 - 21siguientefinal  ir al registro:
Vea también: autores con nombres similares
1 Jimenez, D.
3 Jimenez, David
1 Jiménez, D.
1 Jiménez, Daniel
1 Jiménez, David, 0000-0002-8148-198X
2 Jiménez, Diego
1 Jiménez, Diego Jesús
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos