Artículos

Artículos Encontrados 32 registros  inicioanterior21 - 30siguiente  ir al registro: La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
21.
6 p, 228.6 KB Resistive switching like-behavior in MOSFETs with ultra-thin HfSiON dielectric gate stack : pMOS and nMOS comparison and reliability implications / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive Switching (RS) phenomenon in n and pMOSFETs with ultrathin Hf based high-k dielectric is studied. Two different conductive levels, a high (HRS) and a low (LRS) resistance states can be distinguished in the dielectric. [...]
2013 - 10.1016/j.microrel.2013.07.046
Microelectronics reliability, Vol. 53, No. 9-11 (Sep.-Nov. 2013) , p. 1247-1251  
22.
17 p, 2.7 MB Conductive-AFM topography and current maps simulator for the study of polycrystalline high-k dielectrics / Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulator of conductive atomic force microscopy (C-AFM) was developed to reproduce topography and current maps. In order to test the results, the authors used the simulator to investigate the influence of the C-AFM tip on topography measurements of polycrystalline high-k dielectrics, and compared the results with experimental data. [...]
2015 - 10.1116/1.4915328
Journal of Vaccuum Science and Technology B, Vol. 33 No. 3 (May-June 2015) , p031801/1-031801/6  
23.
4 p, 1.1 MB Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.057
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  
24.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontserè Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25-310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
25.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, G. (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
26.
4 p, 307.5 KB Hydrogen desorption in SiGe films : a diffusion limited process / Vizoso San Segundo, Jesús (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A model to explain the hydrogen desorption kinetics in SiGe alloys is presented. This is an extension of a previous desorption model of hydrogen from Si, that considers the presence of three dimer types in the surface in which hydrogen atoms tend to pair before the desorptionreaction. [...]
1997 - 10.1063/1.118429
Applied physics letters, Vol. 70, Issue 24 (June 1997) , p. 3287-3289  
27.
4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current-voltage (I-V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied physics letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  
28.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied physics letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
29.
4 p, 388.4 KB Nanometer-scale electrical characterization of stressed ultrathin SiO2 films using conducting atomic force microscopy / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Olbrich, A. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya)) ; Ebersberger, B. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya)) ; American Physical Society
A conductive atomic force microscope has been used to electrically stress and to investigate the effects of degradation in the conduction properties of ultrathin (<6 nm) SiO2 films on a nanometer scale (areas of ≈100 nm2). [...]
2001 - 10.1063/1.1382624
Applied physics letters, Vol. 78, Issue 26 (May 2001) , p. 4181-4183  
30.
4 p, 378.3 KB Breakdown-induced negative charge in ultrathin SiO2 films measured by atomic force microscopy / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Blüm, M. C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sadewasser, S. (Hahn-Meitner-Institut (Berlin, Alemanya)) ; American Physical Society
Atomic-force-microscopy-based techniques have been used to investigate at a nanometer scale the dielectric breakdown (BD) of ultrathin (<6 nm) SiO2films of metal-oxide-semiconductordevices. The results show that BD leads to negative charge at the BD location and the amount of created charge has been estimated. [...]
2002 - 10.1063/1.1519357
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 19 (October 2002) , p. 3615-3617  

Artículos : Encontrados 32 registros   inicioanterior21 - 30siguiente  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.