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4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current-voltage (I-V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied physics letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  
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