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4 p, 272.4 KB First-principles study of n-type dopants and their clustering in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Hernández, E. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We report the results of an ab initio study of N and P dopants in SiC. We find that while N substitutes most favorably at a C lattice site, P does so preferably at a Si site, except in n-doping and Si-rich 3C-SiC. [...]
2003 - 10.1063/1.1583870
Applied Physics Letters, Vol. 82, Issue 24 (June 2003) , p. 4298-4300  

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