Articles publicats

Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.01 segons. 
1.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.