Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Resultats de la cerca: 10773118_a2019v114n9

Articles publicats

  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.02 segons. 
1.
5 p, 403.8 KB Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem