Artículos publicados

Artículos publicados Encontrados 1 registros  La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
1.
8 p, 1.2 MB Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement / Vaccaro, Pablo Oscar (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA)) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Gutiérrez, Joffre (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Peró, Damià (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Wagner, Markus R,. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Juan Sebastián (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vidal, Xavier (Macquarie University. Department of Physics and Astronomy) ; Carter, E.A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Lay, P.A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Yoshimoto, M. (Kyoto Institute of Technology. Department of Electronics) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC))
We deposited Ge layers on (001) Si substrates by molecular beam epitaxy and used them to fabricate suspended membranes with high uniaxial tensile strain. We demonstrate a CMOS-compatible fabrication strategy to increase strain concentration and to eliminate the Ge buffer layer near the Ge/Si hetero-interface deposited at low temperature. [...]
2018 - 10.1063/1.5050674
AIP advances, Vol. 8, issue 11 (November 2018) , art. 115131  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.