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Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Kabouche, R. (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
Which the actual critical electrical field of the ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga₂O₃ is? Even that it is usual to find in the literature a given value for the critical field of wide and ultra-wide semiconductors such as SiC (3 MV/cm), GaN (3. [...]
2020 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.mtphys.2020.100263
Materials today physics, Vol. 15 (Dec. 2020) , art. 100263

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