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11.
177 p, 12.1 MB Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf0₂-based structures / Rodríguez Fernández, Alberto ; Miranda, Enrique, dir. ; Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. [...]
We are currently facing a revolution in the fields of microelectronics and information technologies that will surely affect our way of life in the years to come. In this regard, the proposal of a memory device based on the combined action of ions and electrons is considered to be a breakthrough of our time. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
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12.
85 p, 5.4 MB Nuevas estrategias para el diseño de sistemas Chipless-RFID y aplicaciones / Herrojo, Cristian ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Actualmente, la identificación por radiofrecuencia (RFID) es una de las tecnologías con mayor crecimiento dentro de la industria de las tecnologías de la información y las comunicaciones (TIC) y de la identificación automática. [...]
Nowadays, radio frequency identification (RFID) is one of the fastest growing technologies within the information technology (IT) industry and automatic identification. In this context, RFID is a technology which can be used in a wide spectrum of applications, such as access control, tracking, security, inventory as well as logistics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
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13.
199 p, 8.4 MB Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
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14.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre ; Juillard, Jérôme, dir. ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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15.
203 p, 7.8 MB Transmission lines loaded with electrically small resonators : modeling, analysis and applications to microwave sensors / Su, Lijuan ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El sensado por microondas para la caracterización de materiales es una tecnología prometedora y en desarrollo que se ha utilizado satisfactoriamente en las últimas décadas para aplicaciones en industria, química, ingeniería, medicina y biomedicina, etc. [...]
Microwave sensing for material characterization is a promising and developing technology which has been successfully used in recent decades for various applications in industry, chemistry, engineering, medicine and biomedical area, etc. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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16.
205 p, 10.2 MB Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application / Gálvez Sánchez, José-Luis ; Jordà i Sanuy, Xavier, dir. ; Abadal Berini, Gabriel, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies renovables (molins de vent, fotovoltaica, cel·les de combustible, xarxes elèctriques intel·ligents), tracció elèctrica, etc. [...]
There is a wide and increasing demand in industrial applications which require bidirectional transfer of power between the AC utility and the load, and vice versa such as: rolling mills, elevators, centrifuges, escalators, renewable energies (wind turbines, photo-voltaic, fuel-cells; smart-grids), electric traction, etc. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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17.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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18.
151 p, 10.0 MB Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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19.
204 p, 7.8 MB Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva / Blasco Solans, Juli ; Miranda, Enrique, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resistiva o como es más conocido en inglés, resistive switching (RS). [...]
The research area where this Ph. D thesis is framed is situated around a compact model for the conduction characteristics of metal-insulator-metal (MIM) structures in which resistive switching (RS) phenomena is observed. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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20.
184 p, 11.7 MB On the displacement current in THz quantum nanodevices : application to the simulation of graphene transistors / Zhan, Zhen ; Oriols, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal del flujo eléctrico- tiene un papel tan relevante como la corriente de la partícula. [...]
Nowadays, the scientific community envisions nanoscale electronic devices working at TeraHertz (THz) frequencies. For such frequencies, the displacement current, the temporal variation of the electric flux, has a role as relevant as the particle current. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
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