Universitat Autònoma de Barcelona

Buscar colecciones:

Ordenar por:	Mostrar resultados:	Formato de visualización:

Universitat Autònoma de Barcelona	Encontrados 4 registros	La búsqueda tardó 0.12 segundos.

5 p, 735.0 KB

Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037

Registro completo -

6 p, 6.4 MB

SPICE modeling of cycle-to-cycle variability in RRAM devices / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, we investigated how to include uncorrelated cycle-to-cycle (C2C) variability in the LTSpice quasi-static memdiode model for RRAM devices. Variability in the I-V curves is first addressed through an in-depth study of the experimental data using the fitdistrplus package for the R language. [...]
2021 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2021.108040
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108040

Registro completo -

5 p, 2.8 MB

A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083

Registro completo -

5 p, 521.8 KB

Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112

Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.