Resultados globales: 1 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 1 registros  
1.
4 p, 446.5 KB Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices / Bargalló González, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.046
Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.