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10 p, 3.8 MB GaAs nanoscale membranes : prospects for seamless integration of III-Vs on silicon / Raya, Andrés M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Alén, Benito (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Morgan, Nicholas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Ramasse, Quentin M. (University of Leeds. School of Physics) ; Fuster, David (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Llorens, José M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics)
The growth of compound semiconductors on silicon has been widely sought after for decades, but reliable methods for defect-free combination of these materials have remained elusive. Recently, interconnected GaAs nanoscale membranes have been used as templates for the scalable integration of nanowire networks on III-V substrates. [...]
2020 - 10.1039/c9nr08453c
Nanoscale, Vol. 12, issue 2 (2020) , p. 815-824  

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1 Alén, B.
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