Results overview: Found 6 records in 0.01 seconds.
Articles, 4 records found
Research literature, 2 records found
Articles 4 records found  
1.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
2.
14 p, 961.9 KB Fracturing of Polycrystalline MoS2Nanofilms / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jumbert Amblàs, Gil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The possibility of tailoring the critical strain of two-dimensional (2D) materials will be crucial for the fabrication of flexible and stretchable devices. While crystalline MoS2 monolayer shows tensile strength comparable to that of steel, a large concentration of defects and grain boundaries in polycrystalline MoS2 significantly degrades its mechanical properties. [...]
2020 - 10.1021/acsaelm.0c00189
ACS applied electronic materials, Vol. 2, Num. 4 (April 2020) , p. 1169-1175  
3.
18 p, 1.4 MB Strongly anisotropic spin relaxation in graphene-transition metal dichalcogenide heterostructures at room temperature / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams Fernando (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
A large enhancement in the spin-orbit coupling of graphene has been predicted when interfacing it with semiconducting transition metal dichalcogenides. Signatures of such an enhancement have been reported, but the nature of the spin relaxation in these systems remains unknown. [...]
2018 - 10.1038/s41567-017-0019-2
Nature Physics, Vol. 14, Issue 3 (March 2018) , p. 303-308  
4.
6 p, 708.7 KB Impact of the in situ rise in hydrogen partial pressure on graphene shape evolution during CVD growth of graphene / Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Growth to etching transformation following in situ rise in hydrogen with time results in dendritic graphene. Exposing graphene to a hydrogen post-etching process yields dendritic graphene shapes. Here, we demonstrate that similar dendritic structures can be achieved at long growth times without adding hydrogen externally. [...]
2018 - 10.1039/c7ra13169k
RSC advances, Vol. 8, issue 15 (2018) , p. 8234-8239  

Research literature 2 records found  
1.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
2.
129 p, 6.4 MB Thermal and thermoelectric properties of two-dimensional materials / Arrighi, Aloïs ; Valenzuela, Sergio O., dir. ; Sotomayor-Torres, Clivia, dir.
La gestió tèrmica és un problema crític en el disseny de dispositius nanoelectrònics. Les solucions de refredament avançades i la recol·lecció eficient d'energia són clau per mantenir la tendència de productes electrònics cada vegada més petits i ràpids. [...]
La gestión térmica es un problema crítico en el diseño de dispositivos nanoelectrónicos. Las soluciones de enfriamiento avanzadas y la recolección eficiente de energía son clave para mantener la tendencia de productos electrónicos cada vez más pequeños y rápidos. [...]
Thermal management is becoming a critical issue in the packaging and design of nanoelectronics. Advanced cooling solutions and efficient energy harvesting are key aspects to help keep the trend for ever smaller and faster electronics. [...]

2020  

See also: similar author names
6 Arrighi, Alois
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.