Resultados globales: 53 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 24 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Materiales académicos, Encontrados 28 registros
Artículos Encontrados 24 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
2.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
3.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
4.
5 p, 2.7 MB Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories. / Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705  
5.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
6.
11 p, 963.5 KB Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. [...]
2009 - 10.1016/j.microrel.2009.06.029
Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028  
7.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  
8.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
9.
12 p, 990.7 KB Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate dielectric breakdown (BD) reversibility in MOSFETs with ultra-thin hafnium based high-k dielectric is studied. The phenomenology is analyzed in detail and the similarities with the resistive switching phenomenon emphasized. [...]
2011 - 10.1016/j.sse.2011.06.033
Solid-state electronics, Vol. 65-66 (Nov.-Dec. 2011) , p. 157-162  
10.
41 p, 418.7 KB Dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks : a resistive switching phenomenon / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching-related currents (gate and drain) in MOSFETs with ultra-thin Hf based high-k dielectric has been analyzed, for the two dielectric conductivity states. [...]
2012 - 10.1149/2.012206jes
Journal of the Electrochemical Society, Vol. 159 Issue 5 (2012) , p. H529-H535  

Artículos : Encontrados 24 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
38 p, 1.8 MB Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003
3 documentos

Materiales académicos Encontrados 28 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
5 p, 100.5 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
El objetivo es conocer y utilizar las técnicas generales de gestión de proyectos de ingeniería, incluidas todas las fases de los proyectos y los aspectos reguladores y legislativos relacionados con el ámbito profesional de las telecomunicaciones, así como herramientas informáticas orientadas a la gestión de proyectos .

2019-20
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
2.
5 p, 99.7 KB Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
Los objetivos son que el estudiante adquiera las competencias vinculadas a la gestión de la calidad y la fiabilidad, dentro del contexto de la materia optativa de Calidad y Producción. La asignatura está específicamente orientada hacia el ámbito de la ingeniería Electrónica y los sistemas de Telecomunicación. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
3.
5 p, 80.1 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Crespo Yepes, Albert ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
4.
5 p, 80.4 KB Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
5.
4 p, 77.1 KB Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Aymerich Humet, Xavier ; Pasadas Cantos, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
6.
4 p, 75.7 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
7.
4 p, 75.3 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi totes les fases dels projectes i els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
8.
4 p, 76.2 KB Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
9.
4 p, 27.7 KB Gestió de Projectes i Legislació [102717] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu és que l'alumne conegui i faci servir les tècniques generals de direcció i gestió de projectes d'enginyeria, incloent-hi el totes les fases dels projectes i també els aspectes normatius i legislatius referits a l'àmbit professional de les telecomunicacions, així com les eines informàtiques orientades a la gestió de projectes.
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
10.
4 p, 27.3 KB Gestió de la Qualitat i de la Fiabilitat [102716] / Aymerich Humet, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Els objectius són que l'estudiant adquireixi les competències vinculades a la gestió de la qualitat i la fiabilitat, dins del context de la matèria optativa de Qualitat i Producció. L'assignatura està específicament orientada cap l'àmbit de l'enginyeria Electrònica i els sistemes de Telecomunicació. [...]
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  

Materiales académicos : Encontrados 28 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.