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88 p, 813.6 KB Caracterización de subóxidos de silicio obtenidos por la técnica PECVD / Benmessaoud, Ali ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Pascual i Gainza, Jordi, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Se ha escogido la técnica PECVD para obtener depósitos de subóxido de silicio, SiOx, de espesores del orden de la micra, sobre substratos de Si de dos pulgadas. Hemos logrado depósitos con contenidos de oxígeno entre 1. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2002
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