Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
4 p, 383.6 KB Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers / Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ossó Torné, J. Oriol (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga i Bacardi, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The authors show that by deposition of 0. 1 ML of carbon prior to the self-assembledgrowth of Gequantum dots on a strained Si1−xGexbuffer layer a striking decrease in dot density by two orders of magnitude from about 1011to109cm−2 occurs when the Ge content of the buffer layer increases from 0% to 64%. [...]
2006 - 10.1063/1.2349317
Applied Physics Letters, Vol. 89, Issue 10 (September 2006) , p. 101921/1-101921/3  
2.
4 p, 337.7 KB Cross-plane thermal conductivity reduction of vertically uncorrelated Ge/Si quantum dot superlattices / Álvarez Quintana, Jaime (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Jou i Mirabent, David, 1953- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lacharmoise, Paul Dominique (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
A drastic reduction in temperature dependent cross-plane thermal conductivity κ occurs in Gequantum dotsuperlattices (QDSLs), depending on the vertical correlation between dots. Measurements show at least a twofold decrease of κ in uncorrelated dot structures as compared to structures with the same Si spacer of 20nm but good vertical dot alignment. [...]
2008 - 10.1063/1.2957038
Applied Physics Letters, Vol. 93, Issue 1 (July 2008) , p. 013112/1-013112/3  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
156 p, 4.8 MB Growth and optical characterization of strain-engineered semiconductor nanostructures / Bernardi, Alessandro ; Alonso, Maria Isabel, dir. ; Goñi, Alejandro, dir. ; Pascual, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
En este trabajo hemos investigado distintas posibilidades para aprovechar las tensiones almacenadas en los materiales nanoestructurados para obtener estructuras 3D auto-organizadas. En particular hemos estudiado el crecimiento epitaxial de puntos cuánticos auto-organizados de Ge sobre Si depositando una submonocapa de carbono antes del crecimiento de las islas de Ge. [...]
In this work we explored different pathways to exploit the strain stored into nanoscale layers of materials as a driving force to self-assemble 3D structures. In particular, we have studied the epitaxial growth of self-assembled Ge quantum dots when a submonolayer of carbon is deposited prior to the growth of the dots. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  

Vegeu també: autors amb noms similars
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.