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7 p, 654.3 KB Unravelling and controlling hidden imprint fields in ferroelectric capacitors / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric materials have a spontaneous polarization that can point along energetically equivalent, opposite directions. However, when ferroelectric layers are sandwiched between different metallic electrodes, asymmetric electrostatic boundary conditions may induce the appearance of an electric field (imprint field, E imp) that breaks the degeneracy of the polarization directions, favouring one of them. [...]
2016 - 10.1038/srep25028
Scientific Reports, Vol. 6 (April 2016) , art. 25028  
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5 p, 591.3 KB Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling / Petti, D. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Albisetti, E. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Reichlová, H. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, M. (Oak Ridge National Laboratory. Materials Science & Technology Division) ; Molina Ruiz, Manel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Olejník, K. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Novák, V. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Dkhil, B. (Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides (CNRS)) ; Hayakawa, J. (Hitachi Ltd. Advanced Research Laboratory) ; Marti, X. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Wunderlich, J. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Jungwirth, T. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; American Institute of Physics
In this paper, we demonstrate that in Ta/MgO/IrMn tunneling junctions, containing no ferromagnetic elements, distinct metastable resistance states can be set by field cooling the devices from above the Néel temperature (TN) along different orientations. [...]
2013 - 10.1063/1.4804429
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 19 (May 2013) , p. 192404/1-192404-4  

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2 Bertacco, R.
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