Resultats globals: 6 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 6 registres trobats
Articles 6 registres trobats  
1.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez, David 1970- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
2.
7 p, 1.0 MB Impact of contact overlap on transconductance and noise in organic electrochemical transistors / Polyravas, Anastasios G. (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Curto, Vincenzo F. (University of Cambridge. Department of Engineering) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Malliaras, George G. (University of Cambridge. Department of Engineering)
Organic electrochemical transistors (OECTs) from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) are used as amplifying transducers for bioelectronics. Although the impact on performance of device geometry parameters such as channel area and thickness has been widely explored, the overlap between the semiconductor film and the source and drain contacts has not been considered. [...]
2019 - 10.1088/2058-8585/ab4dc4
Flexible and printed electronics, Vol. 4, Núm. 4 (December 2019) , art. 44003  
3.
Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez, David 1970- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  
4.
12 p, 8.3 MB Flexible graphene transistors for recording cell action potentials / Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ; Lottner, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ; Drieschner, Simon (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Stoiber, Karolina (Technische Universität München. Walter Schottky Institut. Physik-Department) ; Rousseau, Lionel (University Paris EST. École Supérieure d'Ingénieurs en Électrotechnique et Électronique) ; Lissourges, Gaëlle (University Paris EST. École Supérieure d'Ingénieurs en Électrotechnique et Électronique) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene solution-gated field-effect transistors (SGFETs) are a promising platform for the recording of cell action potentials due to the intrinsic high signal amplification of graphene transistors. In addition, graphene technology fulfills important key requirements for in-vivo applications, such as biocompability, mechanical flexibility, as well as ease of high density integration. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025007
2D Materials, Vol. 3, issue 2 (June 2016) , art. 25007  
5.
21 p, 1.9 MB High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistors / Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Illa Vila, Xavier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Dasilva, Miguel (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dragojević, Tanja (ICFO-Institut de Ciéncies Fotòniques) ; Vidal Rosas, Ernesto E. (ICFO-Institut de Ciéncies Fotòniques) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martínez Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz Sánchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rius Suñé, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Camassa, Alessandra (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Del Corro García, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clement (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Durduran, Turgut (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Recording infraslow brain signals (<0. 1 Hz) with microelectrodes is severely hampered by current microelectrode materials, primarily due to limitations resulting from voltage drift and high electrode impedance. [...]
2019 - 10.1038/s41563-018-0249-4
Nature materials, Vol. 18, Issue 3 (March 2019) , p. 280-288
2 documents
6.
31 p, 2.0 MB Flexible Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistors : Efficient Transducers for Micro-Electrocorticography / Hébert, Clement (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Suarez-Pérez, Alejandro (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer (IDIBAPS)) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Piret, Gaelle (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa Vila, Xavier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Del Corro García, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De la Cruz Sanchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Viana Casals, Damià (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Yvert, Blayse (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Villa Sanz, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sanchez-Vives, Maria V. (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer (IDIBAPS)) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Brain-computer interfaces and neural prostheses based on the detection of electrocorticography (ECoG) signals are rapidly growing fields of research. Several technologies are currently competing to be the first to reach the market; however, none of them fulfill yet all the requirements of the ideal interface with neurons. [...]
2018 - 10.1002/adfm.201703976
Advanced Functional Materials, Vol. 28, Núm. 12 (March 2018) , article 1703976  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.