Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Cartoixà Soler, Xavier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 56 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 18 registres trobats
Documents de recerca, 6 registres trobats
Materials acadèmics, 32 registres trobats
Articles 18 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
10 p, 3.5 MB Phonon Engineering in Twinning Superlattice Nanowires / De Luca, Marta (Universität Basel. Departement Physik) ; Fasolato, Claudia (Università degli Studi di Perugia. Dipartimento di Fisica e Geologia) ; Verheijen, Marcel A. (Eindhoven University of Technology. Departament of Applied Physics) ; Ren, Yizhen (Eindhoven University of Technology. Departament of Applied Physics) ; Swinkels, Milo Y. (Universität Basel. Departement Physik) ; Kölling, Sebastian (Eindhoven University of Technology. Departament of Applied Physics) ; Bakkers, Erik P. A. M. (Eindhoven University of Technology. Departament of Applied Physics) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zardo, Ilaria (Universität Basel. Departement Physik)
One of the current challenges in nanoscience is tailoring the phononic properties of a material. This has long been a rather elusive task because several phonons have wavelengths in the nanometer range. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.9b01775
Nano letters, Vol. 19, Num. 7 (July 2019) , p. 4702-4711  
Registre complet -
2.
10 p, 2.3 MB Phonon transport across crystal-phase interfaces and twin boundaries in semiconducting nanowires / Carrete, Jesús (Technische Universität Wien. Institute of Materials Chemistry) ; López-Suárez, Miquel. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Raya-Moreno, Martí (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bochkarev, Anton S. (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Royo Valls, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Madsen, Georg Kent Hellerup (Technische Universität Wien. Institute of Materials Chemistry) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mingo, Natalio (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We combine state-of-the-art Green's-function methods and nonequilibrium molecular dynamics calculations to study phonon transport across the unconventional interfaces that make up crystal-phase and twinning superlattices in nanowires. [...]
2019 - 10.1039/c9nr05274g
Nanoscale, Vol. 11, issue 34 (2019) , p. 16007-16016  
Registre complet - Creative Commons
3.
5 p, 1.9 MB Heat transport through a solid-solid junction : The interface as an autonomous thermodynamic system / Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Øivind, Wilhelmsen (SINTEF Energy Research) ; Trinh, Thuat T. (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Bedeaux, Dick (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Kjelstrup, Signe (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry)
We perform computational experiments using nonequilibrium molecular dynamics simulations, showing that the interface between two solid materials can be described as an autonomous thermodynamic system. [...]
2016 - 10.1039/c6cp01872f
Physical chemistry chemical physics, Vol. 18, Issue 20 (May 2016) , p. 13741-13745  
Registre complet - Creative Commons
4.
9 p, 2.0 MB Impact of pore anisotropy on the thermal conductivity of porous Si nanowires / Ferrando-Villalba, Pablo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; D'Ortenzi, L. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Dalkiranis Pereira, Gustavo Gonçalves (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cara, Eleonora (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Abad, Llibertat (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; De Leo, N. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Saghi, Zineb (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Jacob, M. (University of Grenoble) ; Gambacorti, N. (University of Grenoble) ; Boarino, L. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Porous materials display enhanced scattering mechanisms that greatly infuence their transport properties. Metal-assisted chemical etching (MACE) enables fabrication of porous silicon nanowires starting from a doped Si wafer by using a metal template that catalyzes the etching process. [...]
2018 - 10.1038/s41598-018-30223-0
Scientific reports (Nature Publishing Group), Vol. 8 (2018) , p. 12796  
Registre complet - Creative Commons
5.
17 p, 2.0 MB Thermal boundary resistance in semiconductors by non-equilibrium thermodynamics / Dettori, Riccardo (University of Cagliari. Department of Physics) ; Melis, Claudio (University of Cagliari. Department of Physics) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We critically address the problem of predicting the thermal boundary resistance at the interface between two semiconductors by atomistic simulations. After reviewing the available models, lattice dynamics calculations and molecular dynamics simulation protocols, we reformulate this problem in the language of non-equilibrium thermodynamics, providing an elegant, robust and valuable theoretical framework for the direct calculation of the thermal boundary resistance through molecular dynamics simulations. [...]
2016 - 10.1080/23746149.2016.1175317
Advances in Physics: X, Vol. 1, Issue 2 (May 2016) , p. 246-261  
Registre complet - Creative Commons
6.
8 p, 743.4 KB Ptsi clustering in silicon probed by transport spectroscopy / Mongillo, Massimo (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Spathis, Panayotis (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Katsaros, Georgios (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; De Franceschi, Silvano (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Gentile, Pascal (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Metal silicides formed by means of thermal annealing processes are employed as contact materials in microelectronics. Control of the structure of silicide/silicon interfaces becomes a critical issue when the characteristic size of the device is reduced below a few tens of nanometers. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevX.3.041025
Physical Review, Vol. 3, issue. 4 (Dec. 2014) , art. e041025  
Registre complet - Creative Commons
7.
7 p, 1.1 MB Full-field thermal imaging of quasiballistic crosstalk reduction in nanoscale devices / Ziabari, Amirkoushyar (Birck Nanotechnology Center) ; Torres, Pol (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vermeersch, Bjorn (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Xuan, Yi (Birck Nanotechnology Center) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Torelló, Alvar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Bahk, Je-Hyeong (Birck Nanotechnology Center) ; Koh, Yee Rui (Birck Nanotechnology Center) ; Parsa, Maryam (Purdue University. Electrical and Computer Engineering) ; Ye, Peide D. (Birck Nanotechnology Center) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Shakouri, Ali (Birck Nanotechnology Center)
Understanding nanoscale thermal transport is of substantial importance for designing contemporary semiconductor technologies. Heat removal from small sources is well established to be severely impeded compared to diffusive predictions due to the ballistic nature of the dominant heat carriers. [...]
2018 - 10.1038/s41467-017-02652-4
Nature communications, Vol. 9 (Jan. 2018) , art. 255  
Registre complet - Creative Commons
8.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
Registre complet - Creative Commons
9.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
Registre complet -
10.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025036
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
Registre complet -

Articles : 18 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 6 registres trobats  
1.
141 p, 8.7 MB Structural effects on the performance of 2D metal/semiconductor contacts and RRAM devices : first-principles and molecular dynamics studies / Urquiza Toledo, María Laura ; Cartoixà Soler, Xavier, dir.
A la present tesi s'han estudiat propietats de transport electrònic en unions laterals metall-semiconductor de MoS2, utilizant funcions de Green de no equilibri, destinades a contactar canals 2D en transistors. [...]
En la presente tesis se estudiaron propiedades de transporte electrónico en uniones laterales metal-semiconductor de MoS2, usando funciones de Green de no equilibrio, destinadas a contactar canales 2D en transistores. [...]
In this theis, finite bias transport properties of 2D MoS2 lateral metal-semiconductor junctions were studied through non-equilibrium Green's functions calculations, aimed at contacting the 2D channel in a field effect transistor. [...]
2020  
Registre complet
2.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet -
3.
189 p, 5.9 MB Theoretical study of disorder and proximity effects in three-dimensional models of topological insulators / Song, Kenan ; Chulkov, Evgueni, dir. ; Casanova i Fernàndez, Fèlix, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. [...]
Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. [...]
This PhD. project covers the researches on the Bi2Se3-family topological insulators (TIs) with different defects and the study of the proximity effects of TI in the heterostructure of graphene with TI. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
4.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
5.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet - Creative Commons
6.
86 p, 2.0 MB Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas / Rodríguez Losada, Ero ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. [...]
Degut al gran nombre de transistors per mm2 que avui en dia podem trobar a les GPU convencionals, en els darrers anys es venen utilitzant per a propòsits generals degut a que ofereixen un major rendiment per a la computació paral·lela. [...]
Due to the large number of transistors per mm2 that today we can find in conventional GPU, in recent years it have been used for general purpose since they offer higher performance for data parallel computations. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics 32 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
3 p, 115.6 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixà Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Solans Monfort, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introducció a l'ús de software pel càlcul de propietats físiques i químiques a la nanoescala, i perspectiva dels formalismes subjacents.
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
Introducción al uso de software para el cálculo de propiedades físicas y químicas en la nanoescala, y perspectiva de los formalismos subyacentes.
2022-23
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 105.4 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identifying the physical limits of present day information processing technologies, and knowing the alternatives proposed from nanotechnology. Knowing the foundations of the different approaches to electron transport in devices. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]
2022-23
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
4 p, 102.7 KB Electrònica [100187] / Torres, Francesc ; Cartoixà Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Obtain some basic knowledge of semiconductor physics. Study the physicsl of electron devices and their applications in electronic circuits. Understand the physics behing the function of electron devices. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]
2022-23
Grau en Física [1281]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Física i Grau en Química [1287]
Grau en Física i Grau en Química [1434]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
5 p, 108.9 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2022-23
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
5.
5 p, 109.0 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2021-22
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
3 p, 100.4 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixà Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Solans Monfort, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introducció a l'ús de software pel càlcul de propietats físiques i químiques a la nanoescala, i perspectiva dels formalismes subjacents.
Introducción al uso de software para el cálculo de propiedades físicas y químicas en la nanoescala, y perspectiva de los formalismos subyacentes.
2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixà Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]
2020-21
Grau en Física i Grau en Química [1104]
Grau en Física [1281]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Física i Grau en Química [1287]
Màster Universitari en Física d'Altes Energies, Astrofísica i Cosmologia / High Energy Physics, Ast [1359]
Màster Universitari en Física d'Altes Energies, Astrofísica i Cosmologia / High Energy Physics, Astrophysics and Cosmology [1410]
Grau en Física i Grau en Química [1434]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [779]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
8.
6 p, 110.1 KB Teoria de Circuits i Electrònica [102709] / García García, Joan ; Cartoixà Soler, Xavier ; Uranga del Monte, Maria Aránzazu ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'assignatura pretén familiaritzar als alumnes amb la teoria, tècniques i dispositius bàsics utilitzats en l'anàlisi de circuits electrònics per telecomunicacions.
La asignatura pretende familiarizar al alumno con la teoria, técnicas y dispositivos básicos utilizados en el análisis de circuitps electrónicos para telecomunicaciones.
2020-21
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 108.9 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2020-21
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
3 p, 100.3 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixà Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Solans Monfort, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introducció a l'ús de software pel càlcul de propietats físiques i químiques a la nanoescala, i perspectiva dels formalismes subjacents.
Introducción al uso de software para el cálculo de propiedades físicas y químicas en la nanoescala, y perspectiva de los formalismos subyacentes.
2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 32 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem