Resultats globals: 24 registres trobats en 0.02 segons.
Materials de curs, 15 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Articles, 7 registres trobats
Materials de curs 15 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
3 p, 70.5 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
2.
4 p, 75.5 KB Electrònica [100187] / Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2017-18
Grau en Física [1281]  
3.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2017-18
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
4.
5 p, 86.1 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
5.
3 p, 70.8 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2016-17
1360 [1360]  
6.
5 p, 76.9 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2016-17
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
7.
5 p, 29.4 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2015-16
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
8.
4 p, 104.2 KB Simulació de Sistemes Nanomètrics [103304] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Alcanzar una visión global de los métodos de cálculo en sistemas nanométricos, y las posibilidades y limitaciones de cada técnica. Entender los principios fundamentales del cálculo de estructura electrónica y de los algoritmos de dinámica molecular. [...]
2014-15
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
9.
3 p, 10.7 KB Electrònica [100187] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el funcionament. Tenir un primer contacte amb elements de circuit actius, les seves aplicacions en tractament analògic i digital de senyals.
2012-13
Física [776]  
10.
3 p, 9.5 KB Electrònica [100187] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el funcionament. Tenir un primer contacte amb elements de circuit actius, les seves aplicacions en tractament analògic i digital de senyals.
2011-12
Física [776]  

Materials de curs : 15 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
2.
86 p, 2.0 MB Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas / Rodríguez Losada, Ero ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. [...]
Degut al gran nombre de transistors per mm2 que avui en dia podem trobar a les GPU convencionals, en els darrers anys es venen utilitzant per a propòsits generals degut a que ofereixen un major rendiment per a la computació paral·lela. [...]
Due to the large number of transistors per mm2 that today we can find in conventional GPU, in recent years it have been used for general purpose since they offer higher performance for data parallel computations. [...]

2010  

Articles 7 registres trobats  
1.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
2.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro C (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025036
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
3.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin–orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied Physics Letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
4.
4 p, 313.5 KB A resonant spin lifetime transistor / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Chang, Y. -C. (University of Illinois at Urbana-Champaign. Department of Physics) ; American Physical Society
We present a device concept for a spintronictransistor based on the spin relaxation properties a two-dimensional electron gas(2DEG). The device design is very similar to that of the Datta and Das spin transistor. [...]
2003 - 10.1063/1.1601693
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1462-1464  
5.
4 p, 695.9 KB Bidirectional resonant tunneling spin pump / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose a mechanism for achieving bidirectional spin pumping in conventional nonmagnetic semiconductorresonant tunnelingheterostructures under zero magnetic field. The device is designed specifically to take advantage of the special spin configuration described by the Rashba effect in asymmetric quantum wells. [...]
2003 - 10.1063/1.1602158
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1391-1393  
6.
4 p, 2.1 MB Microscopic dielectric response functions in semiconductor quantum dots / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wang, L. -W. (Lawrence Berkeley National Laboratory. Computational Research Division) ; American Physical Society
We calculate and model the microscopic dielectric response function for quantum dots using first principle methods. We find that the response is bulklike inside the quantum dots, and the reduction of the macroscopic dielectric constants is a surface effect. [...]
2005 - 10.1103/PhysRevLett.94.236804
Physical review letters, Vol. 94, Issue 23 (June 2005) , p. 236804  
7.
5 p, 249.4 KB Correlation-mediated processes for electron-induced switching between Néel States of Fe antiferromagnetic chains / Gauyacq, Jean-Pierre (Institut des Sciences Moléculaires d’Orsay (Paris, França)) ; Yaro Medina, Simeón Moisés (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lorente Palacios, Nicolás (Centro de Investigación en Nanociencia y Nanotecnologia) ; American Physical Society
The controlled switching between two quasistable Néel states in adsorbed antiferromagnetic Fe chains has recently been achieved by Loth et al. [Science 335, 196 (2012)] using tunneling electrons from an STM tip. [...]
2013 - 10.1103/PhysRevLett.110.087201
Physical review letters, Vol. 110, Issue 8 (February 2013) , p. 87201/1-87201/5  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.