Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Cartoixà Soler, Xavier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 44 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 16 registres trobats
Documents de recerca, 5 registres trobats
Materials acadèmics, 23 registres trobats
Articles 16 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
5 p, 1.9 MB Heat transport through a solid-solid junction : The interface as an autonomous thermodynamic system / Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Øivind, Wilhelmsen (SINTEF Energy Research) ; Trinh, Thuat T. (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Bedeaux, Dick (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Kjelstrup, Signe (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry)
We perform computational experiments using nonequilibrium molecular dynamics simulations, showing that the interface between two solid materials can be described as an autonomous thermodynamic system. [...]
2016 - 10.1039/c6cp01872f
Physical chemistry chemical physics, Vol. 18, Issue 20 (May 2016) , p. 13741-13745  
Registre complet - Creative Commons
2.
9 p, 2.0 MB Impact of pore anisotropy on the thermal conductivity of porous Si nanowires / Ferrando Villalba, Pablo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; D'Ortenzi, L (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica di Torino) ; Dalkiranis, G.G. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cara, Eleonora (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica di Torino) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Abad, Llibertat (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; De Leo, N. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Saghi, Zineb (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Jacob, M (University of Grenoble) ; Gambacorti, N. (University of Grenoble) ; Boarino, L. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Rodriguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Porous materials display enhanced scattering mechanisms that greatly infuence their transport properties. Metal-assisted chemical etching (MACE) enables fabrication of porous silicon nanowires starting from a doped Si wafer by using a metal template that catalyzes the etching process. [...]
2018 - 10.1038/s41598-018-30223-0
Scientific reports, Vol. 8 (2018) , p. 12796  
Registre complet - Creative Commons
3.
17 p, 2.0 MB Thermal boundary resistance in semiconductors by non-equilibrium thermodynamics / Dettori, Riccardo (University of Cagliari. Department of Physics) ; Melis, Claudio (University of Cagliari. Department of Physics) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We critically address the problem of predicting the thermal boundary resistance at the interface between two semiconductors by atomistic simulations. After reviewing the available models, lattice dynamics calculations and molecular dynamics simulation protocols, we reformulate this problem in the language of non-equilibrium thermodynamics, providing an elegant, robust and valuable theoretical framework for the direct calculation of the thermal boundary resistance through molecular dynamics simulations. [...]
2016 - 10.1080/23746149.2016.1175317
Advances in Physics: X, Vol. 1, Issue 2 (May 2016) , p. 246-261  
Registre complet - Creative Commons
4.
8 p, 743.4 KB Ptsi clustering in silicon probed by transport spectroscopy / Mongillo, Massimo (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Spathis, Panayotis (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Katsaros, Georgios (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; De Franceschi, Silvano (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Gentile, Pascal (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Metal silicides formed by means of thermal annealing processes are employed as contact materials in microelectronics. Control of the structure of silicide/silicon interfaces becomes a critical issue when the characteristic size of the device is reduced below a few tens of nanometers. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevX.3.041025
Physical review X, Vol. 3, issue. 4 (Dec. 2014) , art. e041025  
Registre complet - Creative Commons
5.
7 p, 1.1 MB Full-field thermal imaging of quasiballistic crosstalk reduction in nanoscale devices / Ziabari, Amirkoushyar (Birck Nanotechnology Center) ; Torres, Pol (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vermeersch, Bjorn (Commissariat à l'énergie atomique) ; Xuan, Yi (Birck Nanotechnology Center) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Torelló, Alvar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Bahk, Je-Hyeong (Birck Nanotechnology Center) ; Koh, Yee Rui (Birck Nanotechnology Center) ; Parsa, Maryam (Purdue University. Electrical and Computer Engineering) ; Ye, Peide D. (Birck Nanotechnology Center) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Shakouri, Ali (Birck Nanotechnology Center)
Understanding nanoscale thermal transport is of substantial importance for designing contemporary semiconductor technologies. Heat removal from small sources is well established to be severely impeded compared to diffusive predictions due to the ballistic nature of the dominant heat carriers. [...]
2018 - 10.1038/s41467-017-02652-4
Nature communications, Vol. 9 (Jan. 2018) , art. 255  
Registre complet - Creative Commons
6.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
Registre complet - Creative Commons
7.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
Registre complet -
8.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
Registre complet -
9.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin-orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
Registre complet -
10.
4 p, 313.5 KB A resonant spin lifetime transistor / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Chang, Y. -C. (University of Illinois at Urbana-Champaign. Department of Physics) ; American Physical Society
We present a device concept for a spintronictransistor based on the spin relaxation properties a two-dimensional electron gas(2DEG). The device design is very similar to that of the Datta and Das spin transistor. [...]
2003 - 10.1063/1.1601693
Applied physics letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1462-1464  
Registre complet -

Articles : 16 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 5 registres trobats  
1.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran, autor. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet -
2.
189 p, 5.9 MB Theoretical study of disorder and proximity effects in three-dimensional models of topological insulators / Song, Kenan, autor. ; Chulkov, Evgueni, supervisor acadèmic. ; Casanova i Fernàndez, Fèlix, supervisor acadèmic. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. [...]
Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. [...]
This PhD. project covers the researches on the Bi2Se3-family topological insulators (TIs) with different defects and the study of the proximity effects of TI in the heterostructure of graphene with TI. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
3.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol, autor. ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
4.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet - Creative Commons
5.
86 p, 2.0 MB Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas / Rodríguez Losada, Ero ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. [...]
Degut al gran nombre de transistors per mm2 que avui en dia podem trobar a les GPU convencionals, en els darrers anys es venen utilitzant per a propòsits generals degut a que ofereixen un major rendiment per a la computació paral·lela. [...]
Due to the large number of transistors per mm2 that today we can find in conventional GPU, in recent years it have been used for general purpose since they offer higher performance for data parallel computations. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics 23 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
3 p, 100.3 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixa Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Solans Monfort, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introducció a l'ús de software pel càlcul de propietats físiques i químiques a la nanoescala, i perspectiva dels formalismes subjacents.
Introducción al uso de software para el cálculo de propiedades físicas y químicas en la nanoescala, y perspectiva de los formalismos subyacentes.
2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 105.0 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]
2019-20
Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]
2019-20
Grau en Física [1281]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
5 p, 108.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2019-20
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
5.
3 p, 71.0 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixa Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2018-19
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
Registre complet - Creative Commons
7.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Enginyeria Informàtica [958]  
Registre complet - Creative Commons
8.
4 p, 76.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2018-19
Grau en Física [1281]  
Registre complet - Creative Commons
9.
3 p, 70.5 KB Tècniques de Simulació [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
10.
4 p, 75.5 KB Electrònica [100187] / Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2017-18
Grau en Física [1281]  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 23 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem