Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Cartoixà Soler, Xavier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 36 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 12 registres trobats
Documents de recerca, 5 registres trobats
Materials acadèmics, 19 registres trobats
Articles 12 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
7 p, 1.1 MB Full-field thermal imaging of quasiballistic crosstalk reduction in nanoscale devices / Ziabari, Amirkoushyar (Birck Nanotechnology Center) ; Torres, Pol (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vermeersch, Bjorn (Commissariat à l‘énergie atomique) ; Xuan, Yi (Birck Nanotechnology Center) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Torelló, Alvar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Bahk, Je-Hyeong (Birck Nanotechnology Center) ; Koh, Yee Rui (Birck Nanotechnology Center) ; Parsa, Maryam (Purdue University. Electrical and Computer Engineering) ; Ye, Peide D. (Birck Nanotechnology Center) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Shakouri, Ali (Birck Nanotechnology Center)
Understanding nanoscale thermal transport is of substantial importance for designing contemporary semiconductor technologies. Heat removal from small sources is well established to be severely impeded compared to diffusive predictions due to the ballistic nature of the dominant heat carriers. [...]
2018 - 10.1038/s41467-017-02652-4
Nature communications, Vol. 9 (Jan. 2018) , art. 255  
Registre complet - Creative Commons
2.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
Registre complet - Creative Commons
3.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
Registre complet -
4.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro C (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
Registre complet -
5.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin–orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied Physics Letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
Registre complet -
6.
4 p, 313.5 KB A resonant spin lifetime transistor / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Chang, Y. -C. (University of Illinois at Urbana-Champaign. Department of Physics) ; American Physical Society
We present a device concept for a spintronictransistor based on the spin relaxation properties a two-dimensional electron gas(2DEG). The device design is very similar to that of the Datta and Das spin transistor. [...]
2003 - 10.1063/1.1601693
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1462-1464  
Registre complet -
7.
4 p, 695.9 KB Bidirectional resonant tunneling spin pump / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose a mechanism for achieving bidirectional spin pumping in conventional nonmagnetic semiconductorresonant tunnelingheterostructures under zero magnetic field. The device is designed specifically to take advantage of the special spin configuration described by the Rashba effect in asymmetric quantum wells. [...]
2003 - 10.1063/1.1602158
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1391-1393  
Registre complet -
8.
4 p, 563.1 KB Ordered arrays of quantum wires through hole patterning : ab initio and empirical electronic structure calculations / Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an approach to the fabrication of one-dimensional nanostructures, based on the design of a pattern of channels onto a semiconductor surface. The feasibility of this approach is demonstrated by means of ab initio and empirical electronic structure calculations. [...]
2007 - 10.1063/1.2696774
Applied Physics Letters, Vol. 90, Issue 8 (February 2007) , p. 083118/1-083118/3  
Registre complet -
9.
4 p, 322.3 KB High-frequency behavior of the Datta–Das spin transistor / López Silva, Hender Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We have studied the high-frequency behavior and the ultimate limiting factor to the cutoff frequency for the Datta–Das spin transistor using deviceMonte Carlo simulations. We have found that the maximum frequency of operation is not related to intrinsic parameters to the spin of the carriers, such as the Larmor frequency or the spin lifetime, but to the transit time through the channel.
2008 - 10.1063/1.3021073
Applied Physics Letters, Vol. 93, Issue 19 (November 2008) , p. 193502/1-193502/3  
Registre complet -
10.
5 p, 1.1 MB Quantum size effects in hafnium-oxide resistive switching / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA-LETI (Grenoble, França)) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (CEA-LETI (Grenoble, França)) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina)) ; American Physical Society
Discrete changes of conductance of the order of G0 = 2e2/h reported during the unipolar reset transitions of Pt/HfO2/Pt structures are interpreted as the signature of atomic-size variations of the conducting filament (CF) nanostructure. [...]
2013 - 10.1063/1.4802265
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 18 (May 2013) , p. 183505/1-183505/4  
Registre complet -

Articles : 12 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 5 registres trobats  
1.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran, autor. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet -
2.
189 p, 5.9 MB Theoretical study of disorder and proximity effects in three-dimensional models of topological insulators / Song, Kenan, autor. ; Chulkov, Evgueni, supervisor acadèmic. ; Casanova i Fernàndez, Fèlix, supervisor acadèmic. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. [...]
Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. [...]
This PhD. project covers the researches on the Bi2Se3-family topological insulators (TIs) with different defects and the study of the proximity effects of TI in the heterostructure of graphene with TI. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
3.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol, autor. ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
4.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet - Creative Commons
5.
86 p, 2.0 MB Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas / Rodríguez Losada, Ero ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. [...]
Degut al gran nombre de transistors per mm2 que avui en dia podem trobar a les GPU convencionals, en els darrers anys es venen utilitzant per a propòsits generals degut a que ofereixen un major rendiment per a la computació paral·lela. [...]
Due to the large number of transistors per mm2 that today we can find in conventional GPU, in recent years it have been used for general purpose since they offer higher performance for data parallel computations. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics 19 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
3 p, 71.0 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixa Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2018-19
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
Registre complet - Creative Commons
3.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
Registre complet - Creative Commons
4.
4 p, 76.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2018-19
Grau en Física [1281]  
Registre complet - Creative Commons
5.
3 p, 70.5 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
6.
4 p, 75.5 KB Electrònica [100187] / Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2017-18
Grau en Física [1281]  
Registre complet - Creative Commons
7.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2017-18
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 86.1 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
Registre complet - Creative Commons
9.
3 p, 70.8 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2016-17
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
10.
5 p, 76.9 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2016-17
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 19 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem