Resultados globales: 41 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 14 registros
Documentos de investigación, Encontrados 5 registros
Materiales académicos, Encontrados 22 registros
Artículos Encontrados 14 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
17 p, 2.0 MB Thermal boundary resistance in semiconductors by non-equilibrium thermodynamics / Dettori, Riccardo (University of Cagliari. Department of Physics) ; Melis, Claudio (University of Cagliari. Department of Physics) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We critically address the problem of predicting the thermal boundary resistance at the interface between two semiconductors by atomistic simulations. After reviewing the available models, lattice dynamics calculations and molecular dynamics simulation protocols, we reformulate this problem in the language of non-equilibrium thermodynamics, providing an elegant, robust and valuable theoretical framework for the direct calculation of the thermal boundary resistance through molecular dynamics simulations. [...]
2016 - 10.1080/23746149.2016.1175317
Advances in Physics: X, Vol. 1, Issue 2 (May 2016) , p. 246-261  
2.
8 p, 743.4 KB Ptsi clustering in silicon probed by transport spectroscopy / Mongillo, Massimo (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Spathis, Panayotis (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Katsaros, Georgios (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; De Franceschi, Silvano (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Gentile, Pascal (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Metal silicides formed by means of thermal annealing processes are employed as contact materials in microelectronics. Control of the structure of silicide/silicon interfaces becomes a critical issue when the characteristic size of the device is reduced below a few tens of nanometers. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevX.3.041025
Physical review X, Vol. 3, issue. 4 (Dec. 2014) , art. e041025  
3.
7 p, 1.1 MB Full-field thermal imaging of quasiballistic crosstalk reduction in nanoscale devices / Ziabari, Amirkoushyar (Birck Nanotechnology Center) ; Torres, Pol (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vermeersch, Bjorn (Commissariat à l‘énergie atomique) ; Xuan, Yi (Birck Nanotechnology Center) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Torelló, Alvar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Bahk, Je-Hyeong (Birck Nanotechnology Center) ; Koh, Yee Rui (Birck Nanotechnology Center) ; Parsa, Maryam (Purdue University. Electrical and Computer Engineering) ; Ye, Peide D. (Birck Nanotechnology Center) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Shakouri, Ali (Birck Nanotechnology Center)
Understanding nanoscale thermal transport is of substantial importance for designing contemporary semiconductor technologies. Heat removal from small sources is well established to be severely impeded compared to diffusive predictions due to the ballistic nature of the dominant heat carriers. [...]
2018 - 10.1038/s41467-017-02652-4
Nature communications, Vol. 9 (Jan. 2018) , art. 255  
4.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
5.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
6.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro C (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
7.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin–orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied Physics Letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
8.
4 p, 313.5 KB A resonant spin lifetime transistor / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Chang, Y. -C. (University of Illinois at Urbana-Champaign. Department of Physics) ; American Physical Society
We present a device concept for a spintronictransistor based on the spin relaxation properties a two-dimensional electron gas(2DEG). The device design is very similar to that of the Datta and Das spin transistor. [...]
2003 - 10.1063/1.1601693
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1462-1464  
9.
4 p, 695.9 KB Bidirectional resonant tunneling spin pump / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose a mechanism for achieving bidirectional spin pumping in conventional nonmagnetic semiconductorresonant tunnelingheterostructures under zero magnetic field. The device is designed specifically to take advantage of the special spin configuration described by the Rashba effect in asymmetric quantum wells. [...]
2003 - 10.1063/1.1602158
Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1391-1393  
10.
4 p, 563.1 KB Ordered arrays of quantum wires through hole patterning : ab initio and empirical electronic structure calculations / Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an approach to the fabrication of one-dimensional nanostructures, based on the design of a pattern of channels onto a semiconductor surface. The feasibility of this approach is demonstrated by means of ab initio and empirical electronic structure calculations. [...]
2007 - 10.1063/1.2696774
Applied Physics Letters, Vol. 90, Issue 8 (February 2007) , p. 083118/1-083118/3  

Artículos : Encontrados 14 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 5 registros  
1.
120 p, 7.9 MB Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran, autor. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
2.
189 p, 5.9 MB Theoretical study of disorder and proximity effects in three-dimensional models of topological insulators / Song, Kenan, autor. ; Chulkov, Evgueni, supervisor acadèmic. ; Casanova i Fernàndez, Fèlix, supervisor acadèmic. ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. [...]
Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. [...]
This PhD. project covers the researches on the Bi2Se3-family topological insulators (TIs) with different defects and the study of the proximity effects of TI in the heterostructure of graphene with TI. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
3.
188 p, 3.9 MB Thermal transport in semiconductors : first principles and phonon hydrodynamics / Torres Alvarez, Pol, autor. ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cartoixà Soler, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
La majoria dels aparells electrònics utilitzats avui en dia tenen components basats en materials semiconductors, els quals poden ser utilitzats en un ampli rang d'aplicacions, des de transistors fins a generadors termoelèctrics o fotovoltaics. [...]
Most of the daily life devices and electronic tools have components based on semiconductor materials, which can be used for a wide range of applications, from transistors to photovoltaic or thermoelectric energy sources. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
4.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
5.
86 p, 2.0 MB Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas / Rodríguez Losada, Ero ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. [...]
Degut al gran nombre de transistors per mm2 que avui en dia podem trobar a les GPU convencionals, en els darrers anys es venen utilitzant per a propòsits generals degut a que ofereixen un major rendiment per a la computació paral·lela. [...]
Due to the large number of transistors per mm2 that today we can find in conventional GPU, in recent years it have been used for general purpose since they offer higher performance for data parallel computations. [...]

2010  

Materiales académicos Encontrados 22 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
5 p, 92.5 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]

2019-20
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documentos
2.
4 p, 91.4 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2019-20
Grau en Física [1281]
3 documentos
3.
5 p, 101.3 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documentos
4.
3 p, 71.0 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixa Soler, Xavier ; Torres Canals, Francesc ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
5.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2018-19
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
6.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
7.
4 p, 76.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2018-19
Grau en Física [1281]  
8.
3 p, 70.5 KB Simulation Techniques [43440] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Masgrau Fontanet, Laura ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Introduction to the use of software devoted to the calculation of physical and chemical properties at the nanoscale, and overview of the underlying formalisms.
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
9.
4 p, 75.5 KB Electrònica [100187] / Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2017-18
Grau en Física [1281]  
10.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2017-18
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  

Materiales académicos : Encontrados 22 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.