Página principal > Resultados de la búsqueda: Castro-Lopez, Rafael
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 11 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 8 registros
Libros y colecciones, Encontrados 3 registros
Artículos Encontrados 8 registros  
1.
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429  
Registro completo -
2.
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410  
Registro completo -
3.
5 p, 521.8 KB Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
Registro completo - Creative Commons
4.
5 p, 735.0 KB Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037  
Registro completo - Creative Commons
5.
8 p, 4.1 MB A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In modern nanometer-scale CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability (TDV) effects, the latter coming from aging mechanisms like Bias Temperature Instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI) or Random Telegraph Noise (RTN), have re-emerged as a serious threat affecting the performance of analog and digital integrated circuits. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.045
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 99-105  
Registro completo - Creative Commons
6.
15 p, 3.3 MB A versatile CMOS transistor array IC for the statistical characterization of time-zero variability, RTN, BTI, and HCI / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Statistical characterization of CMOS transistor variability phenomena in modern nanometer technologies is key for accurate end-of-life prediction. This paper presents a novel CMOS transistor array chip to statistically characterize the effects of several critical variability sources, such as time-zero variability (TZV), random telegraph noise (RTN), bias temperature instability (BTI), and hot-carrier injection (HCI). [...]
2019 - 10.1109/JSSC.2018.2881923
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 54, issue 2 (Feb. 2019) , p. 476-488  
Registro completo -
7.
8 p, 666.7 KB Statistical characterization of time-dependent variability defects using the maximum current fluctuation / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article presents a new methodology to extract, at a given operation condition, the statistical distribution of the number of active defects that contribute to the observed device time-dependent variability, as well as their amplitude distribution. [...]
2021 - 10.1109/ted.2021.3086448
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 68, issue 8 (Aug. 2021) , p. 4039-4044  
Registro completo -
8.
11 p, 4.0 MB Flexible setup for the measurement of CMOS time-dependent variability with array-based integrated circuits / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper presents an innovative and automated measurement setup for the characterization of variability effects in CMOS transistors using array-based integrated circuits (ICs), through which a better understanding of CMOS reliability could be attained. [...]
2020 - 10.1109/TIM.2019.2906415
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 69, Issue 3 (March 2020) , p. 853-864  
Registro completo -

Libros y colecciones Encontrados 3 registros  
1.
Challenges and solutions to the defect-centric modeling and circuit simulation of time-dependent variability / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Time-Dependent Variability (TDV) phenomena represent a serious concern for device and circuit reliability. To address the TDV impact at circuit level, Reliability-Aware Design (RAD) tools can be used by circuit designers to achieve more reliable circuits. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2023 - 10.1109/irps48203.2023.10118334
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Proceedings  
Registro completo -
2.
5 p, 667.4 KB Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021 - 10.1109/laedc51812.2021.9437920
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, (2021), p. 1-4  
Registro completo -
3.
5 p, 2.0 MB Simulating the impact of random telegraph noise on integrated circuits / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Camacho-Ruiz, Eros (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper addresses the statistical simulation of integrated circuits affected by Random Telegraph Noise (RTN). For that, the statistical distributions of the parameters of a defect-centric model for RTN are experimentally determined from a purposely designed integrated circuit with CMOS transistor arrays. [...]
VDE Verlag GmbH, 2021
SSMACD / PRIME 2021; International Conference on SMACD and 16th Conference on PRIME, (2021), p. 1-4  
Registro completo -

Vea también: autores con nombres similares
2 Castro-Lopez, R.
2 Castro-López, Rosario
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos