Resultats globals: 5 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Materials acadèmics, 2 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
4 p, 3.8 MB Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements / Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643  
2.
4 p, 1.6 MB Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM / Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338  
3.
19 p, 2.8 MB El itinerario de los juristas : un viaje a Bolonia en 1838 / Claramunt, Salvador, 1943-
1990
Medievalia, Núm. 9 (1990) , p. 65-83  

Materials acadèmics 2 registres trobats  
1.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
2.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Claramunt, Salvador
1 Claramunt, Salvador,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.