Resultats globals: 9 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 9 registres trobats
Articles 9 registres trobats  
1.
12 p, 487.8 KB Fingerprints of inelastic transport at the surface of the topological insulator Bi 2 Se 3 : role of electron-phonon coupling / Costache, Marius Vasile (Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marinova, V. (Bulgarian Academy of Science. Institute of Optical Materials and Technologies) ; Gospodinov, M.M. (Bulgarian Academy of Sciences. Institute of Solid State Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on electric-field and temperature-dependent transport measurements in exfoliated thin crystals of the Bi2Se3 topological insulator. At low temperatures (<50 K) and when the chemical potential lies inside the bulk gap, the crystal resistivity is strongly temperature dependent, reflecting inelastic scattering due to the thermal activation of optical phonons. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevLett.112.086601
Physical review letters, Vol. 112, issue 8 (Feb. 2014) , art. 86601  
2.
12 p, 2.5 MB Investigating the spin-orbit interaction in van der Waals heterostructures by means of the spin relaxation anisotropy / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matías (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Graphene offers long spin propagation and, at the same time, a versatile platform to engineer its physical properties. Proximity-induced phenomena, taking advantage of materials with large spin-orbit coupling or that are magnetic, can be used to imprint graphene with large spin-orbit coupling and magnetic correlations. [...]
2019 - 10.1063/1.5124894
APL Materials, Vol. 7, Issue 12 (December 2019) , art. 120701  
3.
23 p, 2.0 MB Hot-Carrier Seebeck Effect : Diffusion and Remote Detection of Hot Carriers in Graphene / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We investigate hot carrier propagation across graphene using an electrical nonlocal injection/detection method. The device consists of a monolayer graphene flake contacted by multiple metal leads. Using two remote leads for electrical heating, we generate a carrier temperature gradient that results in a measurable thermoelectric voltage V across the remaining (detector) leads. [...]
2015 - 10.1021/acs.nanolett.5b00922
Nano letters, Vol. 15, Issue 6 (June 2015) , p. 4000-4005  
4.
15 p, 1.6 MB Thermoelectric spin voltage in graphene / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Neumann, Ingmar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuppens, Jo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In recent years, new spin-dependent thermal effects have been discovered in ferromagnets, stimulating a growing interest in spin caloritronics, a field that exploits the interaction between spin and heat currents . [...]
2018 - 10.1038/s41565-017-0015-9
Nature Nanotechnology, Vol. 13, Issue 2 (February 2018) , p. 107-111  
5.
11 p, 3.3 MB Spin precession in anisotropic media / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We generalize the diffusive model for spin injection and detection in nonlocal spin structures to account for spin precession under an applied magnetic field in an anisotropic medium, for which the spin lifetime is not unique and depends on the spin orientation. [...]
2017 - 10.1103/PhysRevB.95.085403
Physical review B, Vol. 95, Issue 8 (February 2017) , art. 85403  
6.
18 p, 1.4 MB Strongly anisotropic spin relaxation in graphene-transition metal dichalcogenide heterostructures at room temperature / Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Savero Torres, Williams (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
A large enhancement in the spin-orbit coupling of graphene has been predicted when interfacing it with semiconducting transition metal dichalcogenides. Signatures of such an enhancement have been reported, but the nature of the spin relaxation in these systems remains unknown. [...]
2018 - 10.1038/s41567-017-0019-2
Nature Physics, Vol. 14, Issue 3 (March 2018) , p. 303-308  
7.
11 p, 967.1 KB Bottom-up synthesis of multifunctional nanoporous graphene / Moreno, Cesar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vilas Varela, Manuel (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ; Kretz, Bernhard (Donostia International Physics Center) ; Garcia-Lekue, Aran (Basque Foundation for Science) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Paradinas Aranjuelo, Marcos (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Panighel, Mirco (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ceballos, Gustavo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Peña, Diego (Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Química Orgánica) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Nanosize pores can turn semimetallic graphene into a semiconductor and, from being impermeable, into the most efficient molecular-sieve membrane. However, scaling the pores down to the nanometer, while fulfilling the tight structural constraints imposed by applications, represents an enormous challenge for present top-down strategies. [...]
2018 - 10.1126/science.aar2009
Science, Vol. 360, Issue 6385 (April 2018) , p. 199-203  
8.
7 p, 628.4 KB Determination of the spin-lifetime anisotropy in graphene using oblique spin precession / Raes, Bart (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Scheerder, Jeroen E. (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuppens, Jo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Van De Vondel, Joris (KU Leuven. Department of Physics and Astronomy) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We determine the spin-lifetime anisotropy of spin-polarized carriers in graphene. In contrast to prior approaches, our method does not require large out-of-plane magnetic fields and thus it is reliable for both low-and high-carrier densities. [...]
2016 - 10.1038/ncomms11444
Nature communications, Vol. 7 (May 2016) , art. 11444  
9.
6 p, 708.7 KB Impact of the in situ rise in hydrogen partial pressure on graphene shape evolution during CVD growth of graphene / Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Growth to etching transformation following in situ rise in hydrogen with time results in dendritic graphene. Exposing graphene to a hydrogen post-etching process yields dendritic graphene shapes. Here, we demonstrate that similar dendritic structures can be achieved at long growth times without adding hydrogen externally. [...]
2018 - 10.1039/c7ra13169k
RSC advances, Vol. 8, issue 15 (2018) , p. 8234-8239  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Costache, M.V.
1 Costache, Marius Vasile
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.