1.
|
|
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements
/
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094
|
|
2.
|
27 p, 836.1 KB |
Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization
/
Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Alonso, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ;
Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666
|
|
3.
|
7 p, 481.4 KB |
Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410
|
|
4.
|
9 p, 783.3 KB |
Experimental verification of memristor-based material implication NAND operation
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristors are being considered as promising devices for highly dense memory systems as well as the potential basis of new computational paradigms. In this scenario, and in relation with data processing, one of the more specific and differential logic functions is the material implication logic also named as IMPLY logic. [...]
2019 - 10.1109/TETC.2017.2760929
IEEE Transactions on Emerging Topics in Computing, Vol. 7, issue 4 (Oct.-Dec. 2019) , p. 545-552
|
|
5.
|
5 p, 480.8 KB |
MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier
/
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aging produced by RF stress is experimentally analyzed on a RF CMOS power amplifier (PA), as a function of the stress power level. The selected circuit topology allows observing individual NMOS and PMOS transistors degradations, as well as the aging effect on the circuit functionality. [...]
2017 - 10.1016/j.mee.2017.05.021
Microelectronic engineering, Vol. 178 (June 2017) , p. 289-292
|
|
6.
|
5 p, 691.3 KB |
DC characterization and fast small-signal parameter extraction of organic thin film transistors with different geometries
/
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Arnal, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Terés Terés, Lluís (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Organic Devices offer low-cost manufacturing and better flexibility, sustainability and solution-processability than their Si-based MOS counterparts, which make them suitable for new applications where those characteristics are an advantage. [...]
2020 - 10.1109/LED.2020.3021236
IEEE electron device letters, Vol. 41, Issue 10 (October 2020) , p. 1512-1515
|
|
7.
|
|
Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ;
Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ;
Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061
|
|
8.
|
6 p, 706.8 KB |
Power-efficient noise-induced reduction of reram cell's temporal variability effects
/
Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering) ;
Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive Random Access Memory (ReRAM) is a promising novel memory technology for non-volatile storing, with low-power operation and ultra-high area density. However, ReRAM memories still face issues through commercialization, mainly owing to the fact that the high fabrication variations and the stochastic switching of the manufactured ReRAM devices cause high Bit Error Rate (BER). [...]
2021 - 10.1109/TCSII.2020.3026950
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 68, issue 4 (April 2021) , p. 1378-1382
|
|
9.
|
11 p, 1.8 MB |
Aging in CMOS RF linear power amplifiers : an experimental study
/
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
An extensive experimental analysis of the HCI and BTI aging effects on RF linear power amplifiers (PA) is presented in this paper. Two different 2. 45 GHz PA topologies have been implemented in a CMOS 65 nm technology, one based on a classical common-source (CS) and choke inductor, another one based on a complementary current-reuse (CR) circuit, both of them producing similar gain and output 1-dB compression point (P-1dB). [...]
2021 - 10.1109/tmtt.2020.3041282
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 69, Issue 2 (February 2021) , art. 1453
|
|
10.
|
17 p, 1.4 MB |
New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145
|
|