Resultados globales: 4 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 3 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 3 registros  
1.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
2.
5 p, 2.7 MB Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories / Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705  
3.
4 p, 1.1 MB Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.057
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
193 p, 5.4 MB A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Díaz Fortuny, Javier, autor ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.