Resultats globals: 12 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 12 registres trobats
Articles 12 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
20 p, 3.5 MB Characterization of optogenetically-induced cortical spreading depression in awake mice using graphene micro-transistor arrays / Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Smith, Trevor M. (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ; Rathore, Daman (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ; Gao, Yunan (University College London. Queen Square Institute of Neurology. Department of Clinical and Experimental Epilepsy) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Prats-Alfonso, Elisabet (Centro de Investigación Biomédica en Red de Bioingeniería, Biomateriales y Nanomedicina) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rius, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Fernandez, Iñigo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Guger, Christoph (Guger Technologies OG. G.tec Medical Engineering GmbH (Austria)) ; Reitner, Patrick (Guger Technologies OG. G.tec Medical Engineering GmbH (Austria)) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido Ariza, José Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Wykes, Rob C. (University of Manchester. Geoffrey Jefferson Brain Research Centre)
Objective. The development of experimental methodology utilizing graphene micro-transistor arrays to facilitate and advance translational research into cortical spreading depression (CSD) in the awake brain. [...]
2021 - 10.1088/1741-2552/abecf3
Journal of Neural Engineering, Vol. 18, Issue 5 (October 2021) , art. 055002  
2.
28 p, 1.8 MB Self-pixelation through fracture in VO2 thin films / Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Conroy, Michele (University of Limerick. Department of Physics) ; Moore, Kalani (University of Limerick. Department of Physics) ; Sandiumenge, Felip (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Domingo Marimon, Neus (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Vanadium dioxide (VO2) is an archetypal Mott material with a metal-insulator transition (MIT) at near room temperature. In thin films, this transition is affected by substrate-induced strain but as film thickness increases, the strain is gradually relaxed and the bulk properties are recovered. [...]
2020 - 10.1021/acsaelm.0c00199
ACS applied electronic materials, Vol. 2, issue 5 (May 2020) , p. 1433-1439  
3.
10 p, 3.4 MB Novel graphene electrode for retinal implants : an in vivo biocompatibility study / Nguyen, Diep (Sorbonne Université. Institut de la Vision) ; Valet, Manon (Sorbonne Université. Institut de la Vision) ; Dégardin, Julie (Sorbonne Université. Institut de la Vision) ; Boucherit, Leyna (Sorbonne Université. Institut de la Vision) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Picaud, Serge (Sorbonne Université. Institut de la Vision)
Evaluating biocompatibility is a core essential step to introducing a new material as a candidate for brain-machine interfaces. Foreign body reactions often result in glial scars that can impede the performance of the interface. [...]
2021 - 10.3389/fnins.2021.615256
Frontiers in Neuroscience, Vol. 15 (March 2021) , art. 615256  
4.
18 p, 1.0 MB Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz Sánchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Inserm) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655  
5.
43 p, 1.9 MB P-type ultrawide-band-gap spinel ZnGa2O4 : new perspectives for energy electronics / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sartel, Corinne. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Vilar, Christele (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Belarre, Francisco (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vales Castro, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Li, Lijie (Swansea University. College of Engineering) ; Jennings, Mike (Swansea University. College of Engineering) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The family of spinel compounds is a large and important class of multifunctional materials of general formulation ABX with many advanced applications in energy and optoelectronic areas such as fuel cells, batteries, catalysis, photonics, spintronics, and thermoelectricity. [...]
2020 - 10.1021/acs.cgd.9b01669
Crystal Growth and Design, Vol. 20 Núm. 4 (April 2020) , p. 2535-2546  
6.
18 p, 1.7 MB Tuning the electronic properties of monolayer and bilayer transition metal dichalcogenide compounds under direct out-of-plane compression / Morales García, Ángel (Universitat de Barcelona. Departament de Ciència de Materials i Química Física) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kalbáč, Martin (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry) ; Frank, Otakar (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry)
The band-gap modulation of atomically thin semiconductor transition metal dichalcogenides (MX; M = Mo or W, X = S or Se) under direct out-of-plane compression is systematically studied by means of the density functional theory (DFT) formalism including spin-orbit coupling (SOC) and dispersion correction (D3). [...]
2017 - 10.1039/c7cp00012j
Physical chemistry chemical physics, Vol. 19, Issue 20 (May 2017) , p. 13333-13340  
7.
27 p, 1.5 MB On the Suitability of Raman Spectroscopy to Monitor the Degree of Graphene Functionalization by Diazonium Salts / Sampathkumar, Krishna (Brno University of Technology) ; Diez Cabanes, Valentin (University of Mons) ; Kovaricek, Petr (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bouša, Milan (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry) ; Hošek, Jan (Czech Technical University in Prague) ; Kalbáč, Martin (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry) ; Frank, Otakar (J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry)
Raman spectroscopy is undoubtedly the most frequently used technique for universal characterization of graphene and related materials. Quantification of parameters like disorder or strain is possible through analysis of particular Raman bands. [...]
2019 - 10.1021/acs.jpcc.9b06516
Journal of physical chemistry. C, Vol. 123, Issue 36 (September 2019) , p. 22397-22402  
8.
9 p, 1.4 MB Crossover from ballistic to diffusive thermal transport in suspended graphene membranes / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Köenemann, F. (IBM Research) ; Menges, F. (University of Colorado. Department of Physics) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gotsmann, B. (IBM Research)
We report heat transport measurements on suspended single-layer graphene disks with radius of 150-1600 nm using a high-vacuum scanning thermal microscope. The results of this study revealed a radius-dependent thermal contact resistance between tip and graphene, with values between 1. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab097d
2D Materials, Vol. 6, Núm. 2 (April 2019) , art. 25034  
9.
18 p, 1.4 MB Zinc blende and wurtzite CoO polymorph nanoparticles : rational synthesis and commensurate and incommensurate magnetic order / Golosovsky, I. V. (Peterburgskiĭ institut i︠a︡dernoĭ fiziki im. B.P. Konstantinova) ; Estrader, Marta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; López-Ortega, Alberto (Universidad de Castilla-La Mancha. Departamento de Física Aplicada) ; Gómez Roca, Alejandro (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; López Conesa, Lluís (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona) ; Puente Orench, Inés (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragón) ; Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
On the nanoscale, CoO can have different polymorph crystal structures, zinc blende and wurtzite, apart from rock salt, which is the stable one in bulk. However, the magnetic structures of the zinc blende and wurtzite phases remain virtually unexplored. [...]
2019 - 10.1016/j.apmt.2019.06.005
Applied materials today, Vol. 16 (September 2019) , p. 322-331  
10.
21 p, 1.9 MB High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistors / Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Dasilva, Miguel (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dragojević, Tanja (Institut de Ciències Fotòniques) ; Vidal Rosas, Ernesto E. (Institut de Ciències Fotòniques) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martínez Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz Sánchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rius Suñé, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Camassa, Alessandra (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Durduran, Turgut (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Recording infraslow brain signals (<0. 1 Hz) with microelectrodes is severely hampered by current microelectrode materials, primarily due to limitations resulting from voltage drift and high electrode impedance. [...]
2019 - 10.1038/s41563-018-0249-4
Nature materials, Vol. 18, Issue 3 (March 2019) , p. 280-288
2 documents

Articles : 12 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.