Departament d'Enginyeria Electrònica - Resultats de la cerca - Dipòsit Digital de Documents de la UAB

visitant :: identificació

Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Departament d'Enginyeria Electrònica

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

Resultats globals: 61 registres trobats en 0.03 segons.
Llibres i col·leccions, 1 registres trobats Documents de recerca, 59 registres trobats Materials acadèmics, 1 registres trobats

Llibres i col·leccions	1 registres trobats

Documents de recerca	59 registres trobats 1 - 10 anar al registre:

199 p, 8.4 MB

Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín, autor. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.

Registre complet -

196 p, 6.6 MB

Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre, autor. ; Juillard, Jérôme, supervisor acadèmic. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

203 p, 7.8 MB

Transmission lines loaded with electrically small resonators : modeling, analysis and applications to microwave sensors / Su, Lijuan, autor. ; Martín, Ferran (Martín Antolín) supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El sensado por microondas para la caracterización de materiales es una tecnología prometedora y en desarrollo que se ha utilizado satisfactoriamente en las últimas décadas para aplicaciones en industria, química, ingeniería, medicina y biomedicina, etc. [...]
Microwave sensing for material characterization is a promising and developing technology which has been successfully used in recent decades for various applications in industry, chemistry, engineering, medicine and biomedical area, etc. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

205 p, 10.2 MB

Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application / Gálvez Sánchez, José-Luis, autor. ; Jordà i Sanuy, Xavier, supervisor acadèmic. ; Abadal Berini, Gabriel, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies renovables (molins de vent, fotovoltaica, cel·les de combustible, xarxes elèctriques intel·ligents), tracció elèctrica, etc. [...]
There is a wide and increasing demand in industrial applications which require bidirectional transfer of power between the AC utility and the load, and vice versa such as: rolling mills, elevators, centrifuges, escalators, renewable energies (wind turbines, photo-voltaic, fuel-cells; smart-grids), electric traction, etc. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

157 p, 7.5 MB

Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

151 p, 10.0 MB

Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

204 p, 7.8 MB

Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva / Blasco Solans, Juli, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resistiva o como es más conocido en inglés, resistive switching (RS). [...]
The research area where this Ph. D thesis is framed is situated around a compact model for the conduction characteristics of metal-insulator-metal (MIM) structures in which resistive switching (RS) phenomena is observed. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

184 p, 11.7 MB

On the displacement current in THz quantum nanodevices : application to the simulation of graphene transistors / Zhan, Zhen, autor. ; Oriols, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal del flujo eléctrico- tiene un papel tan relevante como la corriente de la partícula. [...]
Nowadays, the scientific community envisions nanoscale electronic devices working at TeraHertz (THz) frequencies. For such frequencies, the displacement current, the temporal variation of the electric flux, has a role as relevant as the particle current. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

184 p, 3.5 MB

Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registre complet -

10.

165 p, 3.1 MB

Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / Pasadas Cantos, Francisco, autor ; Jiménez Jiménez, David, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del "Internet of Things", han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca la hoja de ruta de la industria de los semiconductores, incluya desde 2011 al grafeno y los 2DMs relacionados (GRMs) como candidatos para la electrónica del futuro. [...]
New technologies are necessary for the unprecedented expansion of connectivity and communications in the modern technological society. The specific needs of wireless communication systems in 5G and beyond, as well as devices for the future deployment of the Internet of Things has caused that the International Technology Roadmap for Semiconductors, which is the strategic planning document of the semiconductor industry, considered since 2011, graphene and related materials (GRMs) as promising candidates for the future of electronics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017

Registre complet -

Materials acadèmics	1 registres trobats

102 p, 833.6 KB

Doctorado en Ingeniería Electrónica y de Telecomunicación / Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes
El programa de doctorat en Enginyeria Electrònica i de Telecomunicació de la Universitat Autònoma de Barcelona persegueix formar, capacitar i entrenar els doctorands a triar la recerca i fer-hi front, el desenvolupament i la innovació necessaris per aconseguir avenços significatius en el coneixement científic i tecnològic en els àmbits dels sistemes electrònics i de telecomunicació i les tecnologies electròniques en el seu sentit més ampli, des de la concepció, disseny, fabricació i test de micro-nano dispositius, antenes i sistemes de microones, fins a la investigació i el desenvolupament d'aplicacions relacionades.
Bellaterra 2016 (Doctorats)