Departament d'Enginyeria Electrònica - Resultats de la cerca - Dipòsit Digital de Documents de la UAB

visitant :: identificació

Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Departament d'Enginyeria Electrònica

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

Resultats globals: 73 registres trobats en 0.02 segons.
Llibres i col·leccions, 1 registres trobats Documents de recerca, 71 registres trobats Materials acadèmics, 1 registres trobats

Llibres i col·leccions	1 registres trobats

Documents de recerca	71 registres trobats 1 - 10 anar al registre:

201 p, 8.7 MB

High-resolution guiding patterns for the directed self-assembly of block copolymers / Gottlieb, Steven ; Pérez Murano, Francesc, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
The presented thesis entitled "High-resolution guiding patterns for the directed self-assembly of block copolymers" investigates strategies to introduce long-range order into block copolymer thin films for nanopatterning applications. [...]
2018

Registre complet

193 p, 5.4 MB

A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Diaz-Fortuny, Javier ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.

Registre complet -

121 p, 5.1 MB

Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.

Registre complet -

201 p, 6.2 MB

Inkjet-printed devices for chemical and biosensing applications / Martínez Domingo, Carme ; Ramon i Garcia, Eloi, dir. ; Merkoçi, Arben, dir. ; Terés Terés, Lluís, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En els darrers anys ha anat creixent l'interès per la tecnologia d'impressió electrònica (Printed Electronics). La impressió d'injecció de tinta és una tecnologia que ha evolucionat des de la impressió gràfica fins a la investigació científica R&D, on es pot utilitzar com una tècnica de fabricació sense contacte molt reproduïble per dipositar materials funcionals a gran velocitat, ja sigui a superfícies petites o grans flexibles i/o rígides. [...]
En els darrers anys ha anat creixent l'interès per la tecnologia d'impressió electrònica (Printed Electronics). La impressió d'injecció de tinta és una tecnologia que ha evolucionat des de la impressió gràfica fins a la investigació científica R&D, on es pot utilitzar com una tècnica de fabricació sense contacte molt reproduïble per dipositar materials funcionals a gran velocitat, ja sigui a superfícies petites o grans flexibles i/o rígides. [...]
Inkjet printing is a nascent technology that is evolving from text and graphic printing into a major topic of scientific research and R&D, where it can be used as a highly reproducible non-contact patterning technique to deposit liquid functional materials at high speed on either small or large areas of flexible and non-flexile substrates. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.

Registre complet -

254 p, 13.5 MB

Design, fabrication and characterization of semiconductor radiation sensors for future high energy physics experiments / Benítez Casma, Víctor Hugo ; Ullán Comes, Miguel, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Aquest treball se centra en els sensors de radiació de silici, especialment en el disseny, la fabricació i la caracterització dels sensors de microstrip per a experiments en física d'alta energia. [...]
This work focuses on silicon radiation sensors, particularly on the design, fabrication and characterization of microstrips sensors for high energy physics experiments. Building prototypes for the ATLAS detector upgrade (Petalet sensors) and the proposal of a protection structure against beam losses (LowR sensors) are the framework for the research activities. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.

Registre complet -

201 p, 9.9 MB

Unattended design of wideband planar filters based on stepped impedance resonators (SIRs) through aggressive space mapping (ASM) / Sans Soler, Marc ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La síntesis de circuitos planares de microondas capaces de satisfacer un conjunto de especificaciones es un tema de interés en la actualidad dentro del campo de la ingeniería de microondas. A pesar de que la mayoría de las herramientas software de diseño asistido y los simuladores electromagnéticos disponibles en el mercado incluyen optimizadores, obtener la topología del circuito que cumple con las especificaciones es generalmente complicado. [...]
The synthesis of planar microwave circuits able to satisfy a set of given specifications has been a subject of interest in the microwave community for years. Despite the fact that most commercially available computer aided design tools and electromagnetic solvers include optimizers, obtaining the circuit topologies that satisfy the design requirements is generally cumbersome. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.

Registre complet -

176 p, 7.2 MB

Lab-on-a-chip integration of the bimodal waveguide nanointerferometric biosensor / Grajales García, Daniel ; Lechuga, Laura, dir. ; Sendra Sendra, José Ramón, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
La presente tesis doctoral se centra en la integración del novedoso biosensor nanointerferométrico de guías de onda bimodal (BiMW biosensor) en una plataforma lab-on-chip para la detección temprana de biomarcadores relacionados con el diagnóstico clínico de enfermedades directamente en la muestra del paciente. [...]
This doctoral Thesis focuses on the integration of the novel Bimodal Waveguide Nanointerferometric Biosensor (BiMW) into a Lab-On-a-Chip (LOC) platform which can allow the direct detection of biomarkers for diseases diagnosis directly in the patient's sample. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.

Registre complet -

120 p, 7.9 MB

Contact resistance and electrostatics of 2DFETs / Jovell Megias, Ferran ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les possibilitats per a nous dispositius amb característiques extraordinàries. [...]
In the last decade, the rise of graphene and other 2-dimensional materials revolutionized materials science. The new physics brought by these new materials opened up the possibilities of new devices with outstanding characteristics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.

Registre complet -

259 p, 11.1 MB

Quantum transport with Bohmian mechanics : application to graphene devices / Colomés Capón, Enrique ; Oriols, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La ley de Moore ha sido una piedra fundamental en la mejora de la electónica y la causa del aumento de nuestra capacidad computacional y de la existencia de la electónica. En estas dimensiones, herramientas de simulación clásica deben ser susti- tuidas por cuánticas. [...]
Moore's law has been the milestone for electronics improvement, and the cause for the exponential growth in our computational abilities and for reaching nanoscale electron devices. At such dimensions, classical simulation tools must be substituted by quan- tum ones. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.

Registre complet -

10.

175 p, 10.4 MB

Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso Fontanillo, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.

Registre complet -

Materials acadèmics	1 registres trobats

102 p, 833.6 KB

Doctorado en Ingeniería Electrónica y de Telecomunicación / Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes
El programa de doctorat en Enginyeria Electrònica i de Telecomunicació de la Universitat Autònoma de Barcelona persegueix formar, capacitar i entrenar els doctorands a triar la recerca i fer-hi front, el desenvolupament i la innovació necessaris per aconseguir avenços significatius en el coneixement científic i tecnològic en els àmbits dels sistemes electrònics i de telecomunicació i les tecnologies electròniques en el seu sentit més ampli, des de la concepció, disseny, fabricació i test de micro-nano dispositius, antenes i sistemes de microones, fins a la investigació i el desenvolupament d'aplicacions relacionades.
Bellaterra 2016 (Doctorats)