Resultats globals: 57 registres trobats en 0.02 segons.
Llibres i col·leccions, 1 registres trobats
Documents de recerca, 55 registres trobats
Materials acadèmics, 1 registres trobats
Llibres i col·leccions 1 registres trobats  
1.
7 p, 58.5 KB Reglament del Departament d'Enginyeria Electrònica / Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
2011  

Documents de recerca 55 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel, autor. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic. ; Martín Martínez, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
2.
10.0 MB Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
204 p, 7.8 MB Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva / Blasco Solans, Juli, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resistiva o como es más conocido en inglés, resistive switching (RS). [...]
The research area where this Ph. D thesis is framed is situated around a compact model for the conduction characteristics of metal-insulator-metal (MIM) structures in which resistive switching (RS) phenomena is observed. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
4.
184 p, 11.7 MB On the displacement current in THz quantum nanodevices : application to the simulation of graphene transistors / Zhan, Zhen, autor. ; Oriols, Xavier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal del flujo eléctrico- tiene un papel tan relevante como la corriente de la partícula. [...]
Nowadays, the scientific community envisions nanoscale electronic devices working at TeraHertz (THz) frequencies. For such frequencies, the displacement current, the temporal variation of the electric flux, has a role as relevant as the particle current. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
5.
184 p, 3.5 MB Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
6.
165 p, 3.1 MB Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / Pasadas Cantos, Francisco, autor ; Jiménez Jiménez, David, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del "Internet of Things", han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca la hoja de ruta de la industria de los semiconductores, incluya desde 2011 al grafeno y los 2DMs relacionados (GRMs) como candidatos para la electrónica del futuro. [...]
New technologies are necessary for the unprecedented expansion of connectivity and communications in the modern technological society. The specific needs of wireless communication systems in 5G and beyond, as well as devices for the future deployment of the Internet of Things has caused that the International Technology Roadmap for Semiconductors, which is the strategic planning document of the semiconductor industry, considered since 2011, graphene and related materials (GRMs) as promising candidates for the future of electronics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
7.
152 p, 5.4 MB Synthesis and characterization of ZnO finewires for the conceptual design of a mechanical battery / Súchil Pérez, Oscar Gilberto, autor ; Torres, Francesc, 1948- supervisor acadèmic ; Abadal Berini, Gabriel, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La caracterización de arreglos de micro hilos de óxido de Zinc (ZnO) se ha realizado con la finalidad de diseñar una batería experimental que utiliza la energía de deformación como fuente de energía. [...]
The synthesis and characterization for a ZnO array have been done in this research, with the aim of design an experimental mechanical battery, which uses the strain energy as energy source. The storage principle is based on a common spring, which is loaded by the force associated to the energy to be harvested. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
8.
157 p, 16.2 MB Estudio de las propiedades de radiación de partículas resonantes con aplicaciones en sistemas de comunicaciones / Aguilà Moliner, Pau, autor ; Bonache Albacete, Jordi, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zamora González, Gerard, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El sector de las radiocomunicaciones ha experimentado un drástico desarrollo estos últimos años. Entre ellos, los sistemas de comunicaciones inalámbricos han sufrido un gran crecimiento en la sociedad moderna motivado por el elevado número de servicios en que se pueden aplicar (por ejemplo radiodifusión, telefonía móvil, posicionamiento por satélite o bien identificación por radiofrecuencia). [...]
The radiocommunication sector has suffered a rapid development in recent years. Among them, wireless communications systems have shown a great growth in modern society due to the high number of services in which they can be applied (e. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
9.
197 p, 6.7 MB A nanoscale study of MOSFETs reliability and resistive switching in RRAM devices / Wu, Qian, autor ; Porti i Pujal, Marc, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar a la aparición de diferentes mecanismos de fallo. [...]
The continuous scaling down of CMOS technology has stood for a big challenge for reliability researchers, mainly due to the persistent increase of the electric fields in nanoscale devices, which can trigger different failure mechanisms. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
10.
160 p, 6.8 MB TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs / Velayudhan, Vikas, autor ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. [...]
The work developed in this thesis has focused on the analysis and study of the impact on the variability of ultra-scaled MOSFETs due to the number and spatial distribution of interfacial traps. In the study, the number of locations where traps were located were randomly varied, but the total charge in the entire device was always maintained constant. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  

Documents de recerca : 55 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Materials acadèmics 1 registres trobats  
1.
102 p, 833.6 KB Doctorado en Ingeniería Electrónica y de Telecomunicación / Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes
El programa de doctorat en Enginyeria Electrònica i de Telecomunicació de la Universitat Autònoma de Barcelona persegueix formar, capacitar i entrenar els doctorands a triar la recerca i fer-hi front, el desenvolupament i la innovació necessaris per aconseguir avenços significatius en el coneixement científic i tecnològic en els àmbits dels sistemes electrònics i de telecomunicació i les tecnologies electròniques en el seu sentit més ampli, des de la concepció, disseny, fabricació i test de micro-nano dispositius, antenes i sistemes de microones, fins a la investigació i el desenvolupament d'aplicacions relacionades.
Bellaterra 2016 (Doctorats)
2 documents

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.