Resultados globales: 3 registros encontrados en 0.03 segundos.
Artículos, Encontrados 3 registros
Artículos Encontrados 3 registros  
1.
15 p, 378.5 KB Pseudospin-driven spin relaxation mechanism in graphene / Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ortmann, Frank (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Soriano, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
The prospect of transporting spin information over long distances in graphene, possible because of its small intrinsic spin-orbit coupling (SOC) and vanishing hyperfine interaction, has stimulated intense research exploring spintronics applications. [...]
2014 - 10.1038/nphys3083
Nature Physics, Vol. 10, Núm. 11 (September 2014) , p. 857-863  
2.
6 p, 3.1 MB Scaling properties of charge transport in polycrystalline graphene / Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (Universität Wien. Faculty of Physics) ; Louvet, Thibaud (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ortmann, Frank (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Meyer, Jannik C. (Universität Wien. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Polycrystalline graphene is a patchwork of coalescing graphene grains of varying lattice orientations and size, resulting from the chemical vapor deposition (CVD) growth at random nucleation sites on metallic substrates. [...]
2013 - 10.1021/nl400321r
Nano letters, Vol. 13, issue 4 (April 2013) , p. 1730-1735  
3.
5 p, 1.7 MB Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron W. (Institut Català de Nanociencia i Nanotecnologia) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociencia i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Institute of Physics
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. [...]
2014 - 10.1063/1.4863842
Applied Physics Letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.