Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
19 p, 1.0 MB Passivation layers for nanostructured photoanodes : Ultra-thin oxides on InGaN nanowires / Neuderth, P. (Justus Liebig University Giessen) ; Hille, Pascal (University of Bremen. Institute of Solid State Physics) ; Schörmann, Jörg (Justus Liebig University Giessen) ; Frank, A. (Justus Liebig University Giessen) ; Reitz, C. (Karlsruhe Institute of Technology) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Coll Bau, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marschall, R. (Justus Liebig University Giessen) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen)
An experimental strategy for systematically assessing the influence of surface passivation layers on the photocatalytic properties of nanowire photoanodes by combining photocurrent analysis, photoluminescence spectroscopy and high resolution transmission electron microscopy with a systematic variation of sample structure and the surrounding electrolyte is demonstrated. [...]
2018 - 10.1039/c7ta08071a
Journal of materials chemistry A, Vol. 6, Issue 2 (January 2018) , p. 565-573  
2.
8 p, 2.1 MB Long-lived excitons in GaN/AlN nanowire heterostructures / Beeler, Mark (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (França)) ; Lim, Caroline B. (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (França)) ; Hille, Pascal (Justus Liebig-Universität Gießen. Physikalisches Institut) ; Bleuse, Joel (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (França)) ; Schörmann, Jörg (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència dels Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen) ; Monroy, Eva (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (França))
GaN/AlN nanowire heterostructures can display photoluminescence (PL) decay times on the order of microseconds that persist up to room temperature. Doping the GaN nanodisk insertions with Ge can reduce these PL decay times by two orders of magnitude. [...]
2015 - 10.1103/PhysRevB.91.205440
Physical Review B, Vol. 91, issue 20 (May 2015) , art. 205440  
3.
15 p, 3.9 MB UV Photosensing Characteristics of Nanowire-Based GaN/AlN Superlattices / Lähnemann, Jonas (University Grenoble Alpes) ; Den Hertog, Martien (Institut Nèel (Grenoble, França)) ; Hille, Pascal (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; De La Mata, Maria (Institut Catalá de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fournier, Thierry (Institut Nèel (Grenoble, França)) ; Schörmann, Jörg (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Monroy, Eva (University Grenoble Alpes)
We have characterized the photodetection capabilities of single GaN nanowires incorporating 20 periods of AlN/GaN:Ge axial heterostructures enveloped in an AlN shell. Transmission electron microscopy confirms the absence of an additional GaN shell around the heterostructures. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.6b00806
Nano Letters, Vol. 16, Num. 5 (May 2016) , p. 3260-3267  

Vegeu també: autors amb noms similars
3 Eickhoff, Martin
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.