Página principal > Resultados de la búsqueda: Eickhoff, M.
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 6 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 6 registros
Artículos Encontrados 6 registros  
1.
17 p, 1.5 MB Optical Analysis of Oxygen Self-Diffusion in Ultrathin CeO2 Layers at Low Temperatures / Neuderth, Paula (Justus Liebig University Giessen) ; Hille, Pascal (University Bremen. Institute of Solid State Physics) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Coll, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen. Institut für Festkörperphysik)
An optical in situ strategy for the analysis of oxygen diffusion in ultrathin ceria layers with a thickness of 2-10 nm at temperatures between 50 and 200 °C is presented, which allows for the determination of diffusion coefficients. [...]
2018 - 10.1002/aenm.201802120
Advanced Energy Materials, Vol. 8, Issue 29 (October 2018) , art. 1802120  
Registro completo -
2.
13 p, 8.2 MB The Role of polarity in nonplanar semiconductor nanostructures / De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Zamani, Reza (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Interdisciplinary Center for Electron Microscopy) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen. Institut für Festkörperphysik) ; Xiong, Qihua (Nanyang Technological University. School of Physical and Mathematical Sciences) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Caroff, Philippe (Delft University of Technology) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The lack of mirror symmetry in binary semiconductor compounds turns them into polar materials, where two opposite orientations of the same crystallographic direction are possible. Interestingly, their physical properties (e. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.9b00459
Nano letters, Vol. 19, issue 6 (June 2019) , p. 3396-3408  
Registro completo -
3.
9 p, 2.9 MB Optical emission of GaN/AlN quantum-wires-the role of charge transfer from a nanowire template / Müßener, Jan (Universität Bremen. Institut für Festkörperphysik) ; Greif, Ludwig A. Th. (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Kalinowski, Stefan (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Callsen, Gordon (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Hille, Pascal (Universität Bremen. Institut für Festkörperphysik) ; Schörmann, Jörg (Justus-Liebig-Universität Gießen. I. Physikalisches Institut und Zentrum für Materialforschung) ; Wagner, Markus R.. (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Schliwa, Andrei (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hoffmann, Axel (Technische Universität Berlin. Institut für Festkörperphysik) ; Eickhoff, Martin (Universität Bremen. Institut für Festkörperphysik)
We show that one-dimensional (1d) GaN quantum-wires (QWRs) exhibit intense and spectrally sharp emission lines. These QWRs are realized in an entirely self-assembled growth process by molecular beam epitaxy (MBE) on the side facets of GaN/AlN nanowire (NW) heterostructures. [...]
2018 - 10.1039/c7nr08057c
Nanoscale, Issue 10 (2018) , p. 5591-5598  
Registro completo -
4.
19 p, 1.0 MB Passivation layers for nanostructured photoanodes : Ultra-thin oxides on InGaN nanowires / Neuderth, Paula (Justus Liebig University Giessen) ; Hille, Pascal (University of Bremen. Institute of Solid State Physics) ; Schörmann, Jörg (Justus Liebig University Giessen) ; Frank, A. (Justus Liebig University Giessen) ; Reitz, C. (Karlsruhe Institute of Technology) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Coll, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marschall, R. (Justus Liebig University Giessen) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen)
An experimental strategy for systematically assessing the influence of surface passivation layers on the photocatalytic properties of nanowire photoanodes by combining photocurrent analysis, photoluminescence spectroscopy and high resolution transmission electron microscopy with a systematic variation of sample structure and the surrounding electrolyte is demonstrated. [...]
2018 - 10.1039/c7ta08071a
Journal of materials chemistry, Vol. 6, Issue 2 (January 2018) , p. 565-573  
Registro completo -
5.
8 p, 2.1 MB Long-lived excitons in GaN/AlN nanowire heterostructures / Beeler, Mark (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Lim, Caroline B. (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Hille, Pascal (Justus Liebig-Universität Gießen. Physikalisches Institut) ; Bleuse, Joel (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Schörmann, Jörg (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen) ; Monroy, Eva (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França))
GaN/AlN nanowire heterostructures can display photoluminescence (PL) decay times on the order of microseconds that persist up to room temperature. Doping the GaN nanodisk insertions with Ge can reduce these PL decay times by two orders of magnitude. [...]
2015 - 10.1103/PhysRevB.91.205440
Physical review B : Condensed matter and materials physics, Vol. 91, issue 20 (May 2015) , art. 205440  
Registro completo - Creative Commons
6.
15 p, 3.9 MB UV Photosensing Characteristics of Nanowire-Based GaN/AlN Superlattices / Lähnemann, Jonas (University Grenoble Alpes) ; Den Hertog, Martien (Institut Néel (Grenoble, França)) ; Hille, Pascal (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fournier, Thierry (Institut Néel (Grenoble, França)) ; Schörmann, Jörg (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (I. Physikalisches Institut. Justus-Liebig-Universitt Gießen) ; Monroy, Eva (University Grenoble Alpes)
We have characterized the photodetection capabilities of single GaN nanowires incorporating 20 periods of AlN/GaN:Ge axial heterostructures enveloped in an AlN shell. Transmission electron microscopy confirms the absence of an additional GaN shell around the heterostructures. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.6b00806
Nano letters, Vol. 16, Num. 5 (May 2016) , p. 3260-3267  
Registro completo -

Vea también: autores con nombres similares
6 Eickhoff, Martin
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos