Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Feijoo, Pedro C
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 12 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 7 registres trobats
Materials acadèmics, 5 registres trobats
Articles 7 registres trobats  
1.
20 p, 736.9 KB Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Hamham, El Mokhtar (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Hexagonal boron nitride encapsulation significantly improves carrier transport in graphene. This paper investigates the benefit of implementing the encapsulation technique in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of their intrinsic radio frequency (RF) performance, adding the effect of the series resistances at the terminals. [...]
2019 - 10.1109/TED.2018.2890192
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, Issue 3 (March 2019) , p. 1567-1573  
Registre complet -
2.
52 p, 1.2 MB Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203  
Registre complet -
3.
28 p, 5.7 MB Compact modeling technology for the simulation of integrated circuits based on graphene field-effect transistors / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The progress made toward the definition of a modular compact modeling technology for graphene field-effect transistors (GFETs) that enables the electrical analysis of arbitrary GFET-based integrated circuits is reported. [...]
2022 - 10.1002/adma.202201691
Advanced materials, (May 2022) , art. 2201691  
Registre complet - Creative Commons
4.
8 p, 971.0 KB Does carrier velocity saturation help to enhance f in graphene field-effect transistors? / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bonmann, Marlene (Chalmers University of Technology) ; Asad, Muhammad (Chalmers University of Technology) ; Yang, Xinxin (Chalmers University of Technology) ; Generalov, Andrey (Aalto University) ; Vorobiev, Andrei (Chalmers University of Technology) ; Banszerus, Luca (RWTH Aachen University) ; Stampfer, Christoph (RWTH Aachen University) ; Otto, Martin (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Neumaier, Daniel (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Stake, Jan (Chalmers University of Technology) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona)
It has been argued that current saturation in graphene field-effect transistors (GFETs) is needed to get optimal maximum oscillation frequency (f ). This paper investigates whether velocity saturation can help to get better current saturation and if that correlates with enhanced f . [...]
2020 - 10.1039/c9na00733d
Nanoscale advances, Vol. 2, Issue 9 (July 2020) , p. 4179-4186  
Registre complet - Creative Commons
5.
11 p, 967.1 KB 2D pn junctions driven out-of-equilibrium / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The pn junction is a fundamental electrical component in modern electronics and optoelectronics. Currently, there is a great deal of interest in the two-dimensional (2D) pn junction. Although many experiments have demonstrated the working principle, there is a lack of fundamental understanding of its basic properties and expected performances, in particular when the device is driven out-of-equilibrium. [...]
2020 - 10.1039/d0na00267d
Nanoscale advances, Vol. 2, Issue 8 (June 2020) , p. 3252-3262  
Registre complet - Creative Commons
6.
3 p, 418.6 KB Un pas imprescindible perquè el pròxim smartphone inclogui tecnologia electrònica de grafè / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La Internet de les Coses està provocant una expansió sense precedents de la connectivitat i les comunicacions en la nostra societat actual. La nova generació de tecnologies sense fils, el 5G, demana connexions cada cop més ràpides, cosa que fa necessari desenvolupar noves tecnologies electròniques per atendre les exigències del mercat. [...]
El Internet de las Cosas está provocando una expansión sin precedentes de la conectividad y las comunicaciones en nuestra actual sociedad. La nueva generación de tecnologías inalámbricas, el 5G, demanda conexiones cada vez más rápidas, lo que hace necesario desarrollar nuevas tecnologías electrónicas para atender las exigencias del mercado. [...]
The specific needs of the next generations of wireless communication systems, 5G and beyond, as well as devices for the future development of Internet of Things have made graphene and related materials promising candidates for future electronic applications, such as bendable and terahertz electronics. [...]
2019
UAB divulga, Desembre 2019, p. 1-3
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025036
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
Registre complet -

Materials acadèmics 5 registres trobats  
1.
5 p, 105.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2021-22
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons
5.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Feijoo, Pedro C., 0000-0002-7653-4573
12 Feijoo, Pedro Carlos
3 Feijoo, Purificación
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem