Resultats globals: 7 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 6 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 6 registres trobats  
1.
7 p, 5.9 MB Hidden magnetic states emergent under electric field, in a room temperature composite magnetoelectric multiferroic / Clarkson, J. D. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Liu, Z. Q. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Lee, Y. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Kim, J. (California State University. Department of Physics) ; Frontera, C. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cordero Edwards, Rohini Kumara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Wisotzki, S. (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Sáncherz, F. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Hsu, S. L. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Ko, C. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Aballe, Lucia (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Wu, J. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Christen, H. M. (Oak Ridge National Laboratory. Center for Nanophase Materials Sciences) ; Heron, J. T. (Cornell University. Department of Materials Science and Engineering) ; Schlom, D. G. (Cornell University. Department of Materials Science and Engineering) ; Salahuddin, S. (University of California (Berkeley). Department of Electrical Engineering and Computer Science) ; Kioussis, N. (California State University. Department of Physics) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Martí, X. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Ramesh, R. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering)
The ability to control a magnetic phase with an electric field is of great current interest for a variety of low power electronics in which the magnetic state is used either for information storage or logic operations. [...]
2017 - 10.1038/s41598-017-13760-y
Scientific reports, Vol. 7 (2017) , art. 15460  
2.
21 p, 2.1 MB Electric-field adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy / Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Padilla Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martí, Xavier (Fyzikální ústav AV ČR) ; Macià Bros, Ferran (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucia (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Steady or dynamic magnetoelectric response, selectable and adjustable by only varying the amplitude of the applied electric field, is found in a multiferroic FeRh/PMN-PT device. In-operando time-dependent structural, ferroelectric, and magnetoelectric characterizations provide evidence that, as in magnetic shape memory martensitic alloys, the observed distinctive magnetoelectric responses are related to the time-dependent relative abundance of antiferromagnetic–ferromagnetic phases in FeRh, unbalanced by voltage-controlled strain. [...]
2017 - 10.1021/acsami.7b00476
ACS applied materials and interfaces, Vol. 9, issue 18 (May 2017) , p.15577−15582  
3.
3 p, 574.4 KB Modular la dependència temporal de la resposta magnetoelèctrica / Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Una recerca conjunta entre la UAB, l’ICMAB, l’ICN2 i el sincrotró ALBA ha revelat que, sota certes condicions, és possible manipular la imantació de manera molt efectiva tot utilitzant el camp elèctric, en estructures que combinen materials magnètics i piezoelèctrics. [...]
2017
UAB divulga, Maig 2017, p. 1-3  
4.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film’s thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  
5.
5 p, 591.3 KB Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling / Petti, D. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Albisetti, E. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Reichlová, H. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, M. (Oak Ridge National Laboratory. Materials Science & Technology Division) ; Molina Ruiz, Manel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Olejník, K. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Novák, V. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Dkhil, B. (Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides (CNRS)) ; Hayakawa, J. (Hitachi Ltd. Advanced Research Laboratory) ; Marti, X. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Wunderlich, J. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Jungwirth, T. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Bertacco, R. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; American Institute of Physics
In this paper, we demonstrate that in Ta/MgO/IrMn tunneling junctions, containing no ferromagnetic elements, distinct metastable resistance states can be set by field cooling the devices from above the Néel temperature (TN) along different orientations. [...]
2013 - 10.1063/1.4804429
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 19 (May 2013) , p. 192404/1-192404-4  
6.
4 p, 421.2 KB Magnetization reversal by electric-field decoupling of magnetic and ferroelectric domain walls in multiferroic-based heterostructures / Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Laukhin, Vladimir (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gospodinov, M. (Institut po fizika na tvŭrdoto ti︠a︡lo (Bŭlgarska akademii︠a︡ na naukite)) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We demonstrate that the magnetization of a ferromagnet in contact with an antiferromagnetic multi-ferroic(LuMnO3)can be speedily reversed by electric-field pulsing, and the sign of the magnetic exchange bias can switch and recover isothermally. [...]
2011 - 10.1103/PhysRevLett.106.057206
Physical review letters, Vol. 106, Issue 5 (Feb. 2011) , p. 057206/1-057206/4  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
180 p, 10.1 MB Photoresponse of ferroelectric BaTiO₃ thin films / Liu, Fanmao, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su naturaleza ferroeléctrica. [...]
BaTiO3 is a lead-free ferroelectric oxide material. BaTiO3 thin films have been widely studied for memory applications due to its charge memory effect resulting from its ferroelectric nature. Nowadays, the scientific community has renewed its interest on BaTiO3, because it holds characteristics that is interesting for rapidly developing areas such as photovoltaics, photoelectric sensing and photocatalysis. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.