Resultats globals: 5 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 4 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 4 registres trobats  
1.
3 p, 574.4 KB Modular la dependència temporal de la resposta magnetoelèctrica / Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Una recerca conjunta entre la UAB, l’ICMAB, l’ICN2 i el sincrotró ALBA ha revelat que, sota certes condicions, és possible manipular la imantació de manera molt efectiva tot utilitzant el camp elèctric, en estructures que combinen materials magnètics i piezoelèctrics. [...]
2017
UAB divulga, Maig 2017, p. 1-3  
2.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film’s thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  
3.
5 p, 591.3 KB Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling / Petti, D. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Albisetti, E. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Reichlová, H. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, M. (Oak Ridge National Laboratory. Materials Science & Technology Division) ; Molina Ruiz, Manel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Olejník, K. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Novák, V. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Dkhil, B. (Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides (CNRS)) ; Hayakawa, J. (Hitachi Ltd. Advanced Research Laboratory) ; Marti, X. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Wunderlich, J. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Jungwirth, T. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Bertacco, R. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; American Institute of Physics
In this paper, we demonstrate that in Ta/MgO/IrMn tunneling junctions, containing no ferromagnetic elements, distinct metastable resistance states can be set by field cooling the devices from above the Néel temperature (TN) along different orientations. [...]
2013 - 10.1063/1.4804429
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 19 (May 2013) , p. 192404/1-192404-4  
4.
4 p, 421.2 KB Magnetization reversal by electric-field decoupling of magnetic and ferroelectric domain walls in multiferroic-based heterostructures / Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Laukhin, Vladimir (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gospodinov, M. (Institut po fizika na tvŭrdoto ti︠a︡lo (Bŭlgarska akademii︠a︡ na naukite)) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We demonstrate that the magnetization of a ferromagnet in contact with an antiferromagnetic multi-ferroic(LuMnO3)can be speedily reversed by electric-field pulsing, and the sign of the magnetic exchange bias can switch and recover isothermally. [...]
2011 - 10.1103/PhysRevLett.106.057206
Physical review letters, Vol. 106, Issue 5 (Feb. 2011) , p. 057206/1-057206/4  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
180 p, 10.1 MB Photoresponse of ferroelectric BaTiO₃ thin films / Liu, Fanmao, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su naturaleza ferroeléctrica. [...]
BaTiO3 is a lead-free ferroelectric oxide material. BaTiO3 thin films have been widely studied for memory applications due to its charge memory effect resulting from its ferroelectric nature. Nowadays, the scientific community has renewed its interest on BaTiO3, because it holds characteristics that is interesting for rapidly developing areas such as photovoltaics, photoelectric sensing and photocatalysis. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.