Página principal > Resultados de la búsqueda: Fina, Ignasi
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 24 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 19 registros
Documentos de investigación, Encontrados 5 registros
Artículos Encontrados 19 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
15 p, 793.3 KB Voltage-driven strain-mediated modulation of exchange bias in Ir20Mn80/Fe80Ga20/Ta/<011>-oriented PMN-32PT heterostructures / Demirci, Erdem (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; de Rojas, Julius (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana Puebla, Alberto (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Manipulation of exchange bias with electric field is appealing to boost energy efficiency in spintronic devices. Here, this effect is shown at room temperature in Ir20Mn80/Fe80Ga20/Ta layers grown onto ⟨011⟩-oriented PMN-32PT single crystals. [...]
2022 - 10.1063/5.0091231
Applied physics letters, Vol. 120, Issue 14 (April 2022) , art. 142406  
Registro completo -
2.
6 p, 871.6 KB Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn / Galceran, Regina (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cisneros-Fernández, Jose (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bozzo, Bernat (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; López-Mir, Laura (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Deniz, Hakan (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Park, K.-W. (Department of Materials Science and Engineering) ; Park, B.-G. (Department of Materials Science and Engineering) ; Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Martí, X. (Academy of Sciences of the Czech Republic) ; Jungwirth, Tomas (University of Nottingham. School of Physics and Astronomy) ; Martínez, B. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Antiferromagnetic spintronics is an emerging field; antiferromagnets can improve the functionalities of ferromagnets with higher response times, and having the information shielded against external magnetic field. [...]
2016 - 10.1038/srep35471
Scientific reports, Vol. 6 (October 2016) , art. 35471  
Registro completo - Creative Commons
3.
25 p, 1.2 MB Control of the polarization of ferroelectric capacitors by the concurrent action of light and adsorbates / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rappe, Andrew M. (University of Pennsylvania. Department of Chemistry) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric perovskites hold promise of enhanced photovoltaic efficiency and photocatalytic activity. Consequently, the photoresponse of oxide ferroelectric thin films is an active field of research. [...]
2018 - 10.1021/acsami.8b05751
ACS applied materials & interfaces, Vol. 10, issue 28 (July 2018) , p. 23968-23975  
Registro completo -
4.
14 p, 542.4 KB Reversible and magnetically unassisted voltage-driven switching of magnetization in FeRh/PMN-PT / Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Martí, Xavier (Academy of Sciences of the Czech Republic. Institute of Physics) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Reversible control of magnetization by electric fields without assistance from a subsidiary magnetic field or electric current could help reduce the power consumption in spintronic devices. When increasing temperature above room temperature, FeRh displays an uncommon antiferromagnetic to ferromagnetic phase transition linked to a unit cell volume expansion. [...]
2018 - 10.1063/1.5040184
Applied physics letters, Vol. 113, Issue 15 (October 2018) , art. 152901  
Registro completo -
5.
8 p, 4.5 MB Local manipulation of metamagnetism by strain nanopatterning / Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Coy, Emerson (Adam Mickiewicz University. NanoBioMedical Centre (Poland)) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Gómez-Olivella, Carles (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Esqué-de los Ojos, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vallcorba Valls, Oriol (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Nogués, Josep (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Among metamagnetic materials, FeRh alloys are technologically appealing due to their uncommon antiferromagnetic-to-ferromagnetic metamagnetic transition which occurs at a temperature T* just above room temperature. [...]
2020 - 10.1039/D0MH00601G
Materials Horizons, Vol. 7, Issue 8 (August 2020) , p. 2056-2062  
Registro completo - Creative Commons
6.
16 p, 4.3 MB Disentangling Highly Asymmetric Magnetoelectric Effects in Engineered Multiferroic Heterostructures / Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sireus, Verònica (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Casals, Blai (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cichelero, Rafael (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Kataja, Mikko (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Stengel, Massimiliano (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Baró, M. D.. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Suriñach, Santiago (Suriñach Cornet) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
One of the main strategies to control magnetism by voltage is the use of magnetostrictive-piezoelectric hybrid materials, such as ferromagnetic-ferroelectric heterostructures. When such heterostructures are subjected to an electric field, piezostrain-mediated effects, electronic charging, and voltage-driven oxygen migration (magnetoionics) may simultaneously occur, making the interpretation of the magnetoelectric effects not straightforward and often leading to misconceptions. [...]
2019 - 10.1103/PhysRevApplied.12.014041
Physical review applied, Vol. 12, Issue 1 (July 2019) , art. 14041  
Registro completo -
7.
7 p, 853.2 KB Four-state ferroelectric spin-valve / Quindeau, Andy (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Fina, Ignasi (University of Warwick. Department of Physics) ; Martí Rovirosa, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Apachitei, Geanina (University of Warwick. Department of Physics) ; Ferrer, Pilar (Harwell Science and Innovation Campus. Diamond Light Source) ; Nicklin, Chris (Harwell Science and Innovation Campus. Diamond Light Source) ; Pippel, Eckhard (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Hesse, Dietrich (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Alexe, Marin (University of Warwick. Department of Physics)
Spin-valves had empowered the giant magnetoresistance (GMR) devices to have memory. The insertion of thin antiferromagnetic (AFM) films allowed two stable magnetic field-induced switchable resistance states persisting in remanence. [...]
2015 - 10.1038/srep09749
Scientific reports, Vol. 5 (May 2015) , art. 9749  
Registro completo - Creative Commons
8.
10 p, 1.8 MB Monolithic integration of room-temperature multifunctional BaTiO 3 -CoFe 2 O 4 epitaxial heterostructures on Si(001) / Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela del Arco, María (Universidad Complutense de Madrid) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The multifunctional (ferromagnetic and ferroelectric) response at room temperature that is elusive in single phase multiferroic materials can be achieved in a proper combination of ferroelectric perovskites and ferrimagnetic spinel oxides in horizontal heterostructures. [...]
2016 - 10.1038/srep31870
Scientific reports, Vol. 6 (August 2016) , art. 31870  
Registro completo - Creative Commons
9.
93 p, 11.3 MB Towards Oxide Electronics : a Roadmap / Coll, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Althammer, Matthias (Technische Universität München. Physik Department) ; Bibes, Manuel (Unité Mixte de Physique) ; Boschker, Hans (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Calleja, Ana (OXOLUTIA S.L.) ; Cheng, Guanglei (Pittsburgh Quantum Institute) ; Cuoco, Mario (Università di Salerno) ; Dittmann, Regina (Peter Grünberg Institut) ; Dkhil, Brahim (Université Paris-Saclay) ; El Baggari, Ismail (Cornell University) ; Fanciulli, Marco (University of Milano Bicocca. Department of Materials Science) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fortunato, Elvira (CEMOP/UNINOVA) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fujita, Shizuo (Kyoto University) ; Garcia, Vincent (Unité Mixte de Physique) ; Goennenwein, Sebastian T. B. (Technische Universität Dresden) ; Granqvist, Claes Göran (Upp sala University) ; Grollier, Julie (Unité Mixte de Physique) ; Gross, Rudolf (Nanosystems Initiative Munich (NIM)) ; Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hono, Kazuhiro (National Institute for Materials Science) ; Houwman, Evert (University of Twente) ; Huijben, Mark (University of Twente) ; Kalaboukhov, Aleksey (MC2. Chalmers University of Technology) ; Keeble, David J. (University of Dundee) ; Koster, Gertjan (University of Twente) ; Kourkoutis, Lena Fitting (Cornell University) ; Levy, Jeremy (Pittsburgh Quantum Institute) ; Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; MacManus-Driscoll, Judith L. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Mannhart, Jochen (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Martins, Rodrigo (MDM Laboratory) ; Menzel, Stephan (Pittsburgh Quantum Institute) ; Mikolajick, Thomas (Chair of Nanoelectronic Materials) ; Napari, Mari (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Nguyen, Duc Minh (University of Twente) ; Niklasson, Gunnar A. (Uppsala University) ; Paillard, Charles (University of Arkansas. Physics Department) ; Panigrahi, Shrabani (CEMOP/UNINOVA) ; Rijnders, Guus (University of Twente) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sanchis Kilders, Pablo (Universitat Politècnica de València) ; Sanna, S. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Schlom, Darrell G (Cornell University. Department of Material Science and Engineering) ; Schroeder, U. (NaMLab gGmbH) ; Shen, K. M. (Cornell University. Department of Physics) ; Siemon, A. (Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik) ; Spreitzer, M. (Jožef Stefan Institute) ; Sukegawa, H. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials) ; Tamayo, R. (OXOLUTIA S.L.) ; van den Brink, J. (Institute for Theoretical Solid State Physics) ; Pryds, N. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Granozio, F. M. (CNR-SPIN. Naples Unit)
At the end of a rush lasting over half a century, in which CMOS technology has been experiencing a constant and breathtaking increase of device speed and density, Moore's law is approaching the insurmountable barrier given by the ultimate atomic nature of matter. [...]
2019 - 10.1016/j.apsusc.2019.03.312
Applied surface science, Vol. 482 (July 2019) , p. 1-93  
Registro completo - Creative Commons
10.
7 p, 654.3 KB Unravelling and controlling hidden imprint fields in ferroelectric capacitors / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano) ; Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric materials have a spontaneous polarization that can point along energetically equivalent, opposite directions. However, when ferroelectric layers are sandwiched between different metallic electrodes, asymmetric electrostatic boundary conditions may induce the appearance of an electric field (imprint field, E imp) that breaks the degeneracy of the polarization directions, favouring one of them. [...]
2016 - 10.1038/srep25028
Scientific reports, Vol. 6 (April 2016) , art. 25028  
Registro completo - Creative Commons

Artículos : Encontrados 19 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 5 registros  
1.
245 p, 10.6 MB Photoresponsive polar LuMnO3 and nonpolar LaFeO3 oxides in non-centrosymmetric structures / Sheng, Yunwei ; Fina Martinez, Ignasi, dir. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir.
La baixa eficiència de conversió d'energia és un factor limitant important per a algunes aplicacions fotovoltaiques. En aquest context, la conversió fotovoltaica emprant materials ferroelèctrics, està rebent un nou interès. [...]
La baja eficiencia es un factor limitante en algunas aplicaciones fotovoltaicas. En este contexto, los materiales ferroeléctricos están recibiendo un nuevo interés. El motivo es que algunas propiedades únicas que muestran pueden contribuir a resolver algunos de los cuellos de botella actuales en las aplicaciones relacionadas con la fotovoltaica. [...]
The low power conversion efficiency is an important limiting factor for extensive photovoltaic applications. Within this context, ferroelectric photovoltaics using ferroelectric materials, are receiving a new interest. [...]
2022  
Registro completo - Creative Commons
2.
218 p, 9.7 MB Photoresistance and electroresistance in ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3 and Hf0.5Zr0.5O2 / Long, Xiao ; Fina Martinez, Ignasi, dir. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir.
El desenvolupament de la tecnologia de la informació s'acosta a un coll d'ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de commutació lents i problemes de robustesa. [...]
El desarrollo de la tecnología de la información se acerca a un cuello de botella crucial debido a la limitación de la arquitectura de Von-Neumann para el almacenamiento de datos y las funciones lógicas. [...]
Informational technology development is approaching a crucial bottleneck due to the limitation of Von-Neumann architecture, for data storage and logic functions. Meanwhile, nowadays the DRAM and NAND flash memories have shown drawbacks such as data volatility, limitations of speed and endurance problem. [...]
2022  
Registro completo - Creative Commons
3.
197 p, 11.3 MB Doping and interface effects on the ferroelectric properties of epitaxial HfO2-based thin films / Song, Tingfeng ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Fina, Ignasi, dir. ; Pellicer Vilà, Eva Maria, dir.
Les capas fines ferroeléctricas basades en HfO2, a causa de la seva alta escalabilidad i a la seva compatibilitat amb processos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrat un gran interès en el camp dels dispositius de memòria. [...]
Las capas finas ferroeléctricas basadas en HfO2, debido a su alta escalabilidad y a la compatibilidad con los procesos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrado un gran interés en el campo de los dispositivos de memoria. [...]
Ferroelectric HfO2-based thin films have aroused great interest in the research field of memory devices, because it is a complementary metal oxide semiconductor compatible material with excellent scalability. [...]
2022  
Registro completo - Creative Commons
4.
144 p, 4.2 MB Resistive switching in nanometric BaTiO3 ferroelectric junctions / Qian, Mengdi ; Fontcuberta, Josep, dir. ; Fina, Ignasi, dir. ; Rodríguez-Viejo, Javier, dir. ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Los condensadores ferroeléctricos están formados por dos electrodos metálicos separados por una capa ferroeléctrica, y tienen un gran potencial para dispositivos lógicos y memorias. El carácter ferroeléctrico de la barrera permite la aparición de memoria multinivel con una respuesta (resistencia R) que puede venir determinada por su historia (). [...]
Ferroelectric capacitors consist of two metallic electrodes separated by a ferroelectric layer have great potential for memory and logic devices. Here, the ferroelectric character of the barrier should allow to build multilevel of memory with a response (resistance R) that can be dictated by its previous history (cycling voltage V). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registro completo - Creative Commons
5.
180 p, 10.1 MB Photoresponse of ferroelectric BaTiO₃ thin films / Liu, Fanmao ; Fontcuberta, Josep, dir. ; Fina, Ignasi, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su naturaleza ferroeléctrica. [...]
BaTiO3 is a lead-free ferroelectric oxide material. BaTiO3 thin films have been widely studied for memory applications due to its charge memory effect resulting from its ferroelectric nature. Nowadays, the scientific community has renewed its interest on BaTiO3, because it holds characteristics that is interesting for rapidly developing areas such as photovoltaics, photoelectric sensing and photocatalysis. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registro completo - Creative Commons

Vea también: autores con nombres similares
3 Fina, I.
3 Fina, Ignasi,
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos