Resultados globales: 28 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 16 registros
Libros y colecciones, Encontrados 1 registros
Documentos de investigación, Encontrados 11 registros
Artículos Encontrados 16 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
10 p, 1.8 MB Monolithic integration of room-temperature multifunctional BaTiO 3 -CoFe 2 O 4 epitaxial heterostructures on Si(001) / Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, María (Universidad Complutense de Madrid) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The multifunctional (ferromagnetic and ferroelectric) response at room temperature that is elusive in single phase multiferroic materials can be achieved in a proper combination of ferroelectric perovskites and ferrimagnetic spinel oxides in horizontal heterostructures. [...]
2016 - 10.1038/srep31870
Scientific Reports, Vol. 6 (August 2016) , art. 31870  
2.
93 p, 11.3 MB Towards Oxide Electronics : a Roadmap / Coll Bau, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Althammer, M. (Technische Universität München. Physik-Department) ; Bibes, Manuel (Unité Mixte de Physique) ; Boschker, H. (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Calleja, Albert (OXOLUTIA S.L.) ; Cheng, G. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Cuoco, M. (Università di Salerno) ; Dittmann, R. (Peter Grünberg Institut) ; Dkhil, B. (Université Paris-Saclay) ; El Baggari, I. (Cornell University) ; Fanciulli, M. (University of Milano Bicocca. Department of Materials Science) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fortunato, E. (CEMOP/UNINOVA) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fujita, S. (Kyoto University) ; Garcia, V. (Unité Mixte de Physique) ; Goennenwein, S.T.B. (Technische Universität Dresden) ; Granqvist, C.G. (Upp sala University) ; Grollier, J. (Unité Mixte de Physique) ; Gross, R. (Nanosystems Initiative Munich (NIM)) ; Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hono, K. (National Institute for Materials Science) ; Houwman, E. (University of Twente) ; Huijben, M. (University of Twente) ; Kalaboukhov, A. (MC2. Chalmers University of Technology) ; Keeble, D.J. (University of Dundee) ; Koster, G. (University of Twente) ; Kourkoutis, L.F. (Cornell University) ; Levy, J. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; MacManus-Driscoll, J.L. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Mannhart, J. (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Martins, R. (MDM Laboratory) ; Menzel, S. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Mikolajick, T. (Chair of Nanoelectronic Materials) ; Napari, M. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Nguyen, M.D. (University of Twente) ; Niklasson, G. (Upp sala University) ; Paillard, C. (University of Arkansas. Physics Department) ; Panigrahi, S. (CEMOP/UNINOVA) ; Rijnders, G. (University of Twente) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sanchis, P. (Universitat Politècnica de València) ; Sanna, S. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Schlom, D.G. (Cornell University. Department of Material Science and Engineering) ; Schroeder, U. (NaMLab gGmbH) ; Shen, K.M. (Cornell University. Department of Physics) ; Siemon, A. (Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik) ; Spreitzer, M. (Jožef Stefan Institute) ; Sukegawa, H. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials) ; Tamayo, R. (OXOLUTIA S.L.) ; van den Brink, J. (Institute for Theoretical Solid State Physics) ; Pryds, N. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Granozio, F.M. (CNR-SPIN. Naples Unit)
At the end of a rush lasting over half a century, in which CMOS technology has been experiencing a constant and breathtaking increase of device speed and density, Moore’s law is approaching the insurmountable barrier given by the ultimate atomic nature of matter. [...]
2019 - 10.1016/j.apsusc.2019.03.312
Applied surface science, Vol. 482 (July 2019) , p. 1-93  
3.
7 p, 654.3 KB Unravelling and controlling hidden imprint fields in ferroelectric capacitors / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric materials have a spontaneous polarization that can point along energetically equivalent, opposite directions. However, when ferroelectric layers are sandwiched between different metallic electrodes, asymmetric electrostatic boundary conditions may induce the appearance of an electric field (imprint field, E imp) that breaks the degeneracy of the polarization directions, favouring one of them. [...]
2016 - 10.1038/srep25028
Scientific Reports, Vol. 6 (April 2016) , art. 25028  
4.
7 p, 5.9 MB Hidden magnetic states emergent under electric field, in a room temperature composite magnetoelectric multiferroic / Clarkson, J. D. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Liu, Z. Q. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Lee, Y. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Kim, J. (California State University. Department of Physics) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cordero Edwards, Rohini Kumara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Wisotzki, S. (Max Planck Institute of Microstructure Physics) ; Sáncherz, F. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Hsu, S. L. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Ko, C. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Wu, J. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Christen, H. M. (Oak Ridge National Laboratory. Center for Nanophase Materials Sciences) ; Heron, J. T. (Cornell University. Department of Materials Science and Engineering) ; Schlom, D. G. (Cornell University. Department of Materials Science and Engineering) ; Salahuddin, S. (University of California (Berkeley). Department of Electrical Engineering and Computer Science) ; Kioussis, N. (California State University. Department of Physics) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Martí, X. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering) ; Ramesh, R. (University of California (Berkeley). Department of Materials Science and Engineering)
The ability to control a magnetic phase with an electric field is of great current interest for a variety of low power electronics in which the magnetic state is used either for information storage or logic operations. [...]
2017 - 10.1038/s41598-017-13760-y
Scientific reports, Vol. 7 (2017) , art. 15460  
5.
21 p, 2.1 MB Electric-field adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy / Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Padilla Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martí Rovirosa, Xavier (Fyzikální ústav AV ČR) ; Macià Bros, Ferran (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucia (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Steady or dynamic magnetoelectric response, selectable and adjustable by only varying the amplitude of the applied electric field, is found in a multiferroic FeRh/PMN-PT device. In-operando time-dependent structural, ferroelectric, and magnetoelectric characterizations provide evidence that, as in magnetic shape memory martensitic alloys, the observed distinctive magnetoelectric responses are related to the time-dependent relative abundance of antiferromagnetic–ferromagnetic phases in FeRh, unbalanced by voltage-controlled strain. [...]
2017 - 10.1021/acsami.7b00476
ACS applied materials and interfaces, Vol. 9, issue 18 (May 2017) , p.15577−15582  
6.
8 p, 963.0 KB Engineering two-dimensional superconductivity and Rashba spin–orbit coupling in LaAlO/SrTiO quantum wells by selective orbital occupancy / Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Singh, Gyanendra (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Bergeal, Nicolas (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Jouan, Alexis (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Lesueur, Jérôme (École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, María (Universidad Complutense de Madrid. Departamento de Fisica Aplicada III) ; Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The discovery of two-dimensional electron gases (2DEGs) at oxide interfaces—involving electrons in narrow d -bands—has broken new ground, enabling the access to correlated states that are unreachable in conventional semiconductors based on s - and p - electrons. [...]
2015 - 10.1038/ncomms7028
Nature communications, Vol. 6 (Jan. 2015) , art. 6028  
7.
4 p, 539.9 KB Exchange biasing and electric polarization with YMnO3 / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hrabovsky, D. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ruyter, A. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Laukhin, V. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; García Cuenca, M. V. (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Vilà, A. (Universitat de Barcelona. Departament d’Electrònica) ; Lüders, Ulrike Anne (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Bobo, Jean-François (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; American Physical Society
We report on the growth and functional characterizations of epitaxialthin films of the multiferroic YMnO3. We show that using Pt as a seed layer on SrTiO3(111) substrates, epitaxialYMnO3films (0001) textured are obtained. [...]
2006 - 10.1063/1.2234285
Applied Physics Letters, Vol. 89, Issue 3 (July 2006) , p. 032510/1-032510/3  
8.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film’s thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  
9.
4 p, 865.5 KB Electric-field control of exchange bias in multiferroic epitaxial heterostructures / Laukhin, V. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hrabovsky, D. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; García Cuenca, M. V. (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Lüders, Ulrike Anne (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Bobo, Jean-François (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The magnetic exchange between epitaxial thin films of the multiferroic (antiferromagnetic and ferroelectric) hexagonal YMnO3 oxide and a soft ferromagnetic (FM) layer is used to couple the magnetic response of the FM layer to the magnetic state of the antiferromagnetic one. [...]
2006 - 10.1103/PhysRevLett.97.227201
Physical review letters, Vol. 97, Issue 22 (November 2006) , p. 227201  
10.
3 p, 1.1 MB Domain matching epitaxy of ferrimagnetic CoFe2O4 thin films on Sc2O3/Si(111) / Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bachelet, Romain (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Coux, P. de (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Warot-Fonrose, Bénédicte (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Tarnawska, L. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Zaumseil, P. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Schroeder, T. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
Ferrimagnetic spinel CoFe2O4 (CFO) films are integrated with Si(111) using Sc2O3 buffer layers. The huge lattice mismatch (17%) between CFO and Sc2O3 is accommodated by domain matching, and CFO grows epitaxially with (111) out-of-plane orientation and coexistence of A- and B-type in-plane crystal variants. [...]
2011 - 10.1063/1.3663216
Applied Physics Letters, Vol. 99, Issue 21 (November 2011) , p. 211910/1-211910/3  

Artículos : Encontrados 16 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Libros y colecciones Encontrados 1 registros  
1.
30 p, 4.3 MB Albert Fert / Fert, Albert ; Fontcuberta i Griñó, Josep ; Universitat Autònoma de Barcelona.
2009 (Doctor honoris causa (Universitat Autònoma de Barcelona))
4 documentos

Documentos de investigación Encontrados 11 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
Resistive switching in nanometric BaTiO3 ferroelectric junctions / Qian, Mengdi, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Rodríguez Viejo, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona.
Los condensadores ferroeléctricos están formados por dos electrodos metálicos separados por una capa ferroeléctrica, y tienen un gran potencial para dispositivos lógicos y memorias. El carácter ferroeléctrico de la barrera permite la aparición de memoria multinivel con una respuesta (resistencia R) que puede venir determinada por su historia (). [...]
Ferroelectric capacitors consist of two metallic electrodes separated by a ferroelectric layer have great potential for memory and logic devices. Here, the ferroelectric character of the barrier should allow to build multilevel of memory with a response (resistance R) that can be dictated by its previous history (cycling voltage V). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
180 p, 10.1 MB Photoresponse of ferroelectric BaTiO₃ thin films / Liu, Fanmao, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su naturaleza ferroeléctrica. [...]
BaTiO3 is a lead-free ferroelectric oxide material. BaTiO3 thin films have been widely studied for memory applications due to its charge memory effect resulting from its ferroelectric nature. Nowadays, the scientific community has renewed its interest on BaTiO3, because it holds characteristics that is interesting for rapidly developing areas such as photovoltaics, photoelectric sensing and photocatalysis. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
167 p, 7.9 MB Preparation and characterization of biferroic nanostructures with magneto-electric coupling / Dix, Nico, autor ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez Viejo, Javier, tutor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Els òxids complexos, particularment aquells que tenen estructura perovskita, presenten un ampli espectre de propietats funcionals. En l'ultima dècada s'ha posat molta atenció en materials que poden mostrar simultàniament diversos ordres ferroics, en particular: ferroelectricitat i ferromagnetisme. [...]
Los óxidos complejos presentan tienen un amplio espectro de propiedades funcionales. En la última década se ha prestado atención a materiales que pueden mostrar simultáneamente varios órdenes ferróicos, en particular ferroelectricidad y ferromagnetismo. [...]
Complex oxides present a broad spectrum of functional properties. In the last decade special attention was directed to materials with a possible coexistence of two or more ferroic orders (i. e. ferroelectric and ferromagnetic order). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
4.
227 p, 8.2 MB Electrical properties of BaTiO3, CoFe2O4 and La1/2(Ca, Sr)1/2MnO3 thin films and their importance for active barriers in tunnel transport / Gutiérrez Yatacue, Diego Fernando ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La miniaturización ha sido el concepto relevante de la tecnología basada en silicio. No obstante, el escalamiento de su elemento pilar (el transistor de efecto de campo por apilamiento de metal/óxido/semiconductor) pronto llevará a la capa óxido de silicio a un espesor de 2 nm, donde la eficiencia de los dispositivos es afectada por el incremento de las corrientes de fuga debida al efecto túnel. [...]
Shrinking has been the relevant concept of silicon-based technology. However the scaling of its cornerstone (metal oxide semiconductor field effect transistor) will lead to the silicon oxide layer to the scale of 2 nm, where the efficiency of the devices is affected due to the increase of leakage current by tunnel effect. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
5.
198 p, 5.9 MB Strain and interface-induced charge, orbital and spin orderings in transition-me tal oxide perovskites / Pesquera Herrero, David ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. ; Rodíguez Viejo, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
6.
191 p, 5.5 MB Magneto-Optical spectroscopy of complex systems : magnetic oxides and photonic crystals / Caicedo Roque, José Manuel ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Herranz Casabona, Gervasi, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La primera parte de esta tesis esta dividida en tres capítulos, en los cuales se introducen los conceptos básicos de magnetoóptica y detalles experimentales. Seguidamente se discuten los resultados experimentales en los siguientes cuatro capítulos los cuales forman la segunda parte. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
7.
310 p, 6.1 MB (001) and (110) La⅔Ca⅓MnO₃ epitaxial ferromagnetic electrodes : un estudi comparatiu / Cañero Infante, Ingrid ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Vegeu iciresum1de1. pdf.
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2009
2 documentos
8.
198 p, 7.8 MB Creixement i estudi de capes primes de manganites de valència mixta / Bibes, Manuel ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ousset, Jean-Claude, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). LPMC Touluse)
Los materiales objeto de estudio en esta Tesis son óxidos de Mn del tipo La2/3A1/3MnO3 (A=Ca, Sr), que presentan una transición ferro-paramagnética acompañada de una transición metal-aislante a temperaturas del orden de TC=300K. [...]
This thesis reports on properties of Mn oxides of the type La2/3A1/3MnO3 (A=Ca, Sr) which exhibit a ferromagnetic-to-paramagnetic transition concomitant of a metallic-to-insulator transition around TC=300K. [...]
Cette Thèse a été consacrée à l'étude d'oxydes de Mn La2/3A1/3MnO3 (A=Ca, Sr) présentant une transition ferromagnétique-paramagnétique concomitante d'une transition métal-isolant aux environs de TC=300K. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003  
9.
203 p, 3.7 MB Development and integration of oxide spinel thin films into heterostructures for spintronics / Lüders, Ulrike Anne ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bobo, Jean-François, dir. (INSA Toulouse)
En esta memoria se describe el crecimiento, mediante pulverización catódica rf, de capas delgadas de NiFe2O4 y CoCr2O4 sobre distintos substratos y la subsiguiente caracterización magnética y eléctrica. [...]
In this thesis the growth of thin films of NiFe2O4 and CoCr2O4 by RF sputtering on different oxide substrates and the characterization of their magnetic and electric properties is reported. The aim is to integrate the films into spintronic devices namely magnetic tunnel junctions and spin filter. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006  
10.
244 p, 8.1 MB Nuevos óxidos metálicos ferromagnéticos / Rubi, Diego ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Desde la invención del transistor en la década del 40', los dispositivos electrónicos han basado su funcionamiento en la manipulación de la carga del electrón para almacenar o procesar información. [...]
Since the invention of the transistor in the late 40's, electronic devices have taken advantage of the electronic charge in order to process or store information. However, it has been recently proposed that, besides the electronic charge, the spin of the electrons could also be used for similar purposes. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  

Documentos de investigación : Encontrados 11 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.