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Artículos, Encontrados 6 registros
Artículos Encontrados 6 registros  
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9 p, 1.2 MB Segregation scheme of indium in AlGaInAs nanowire shells / Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Di Russo, Enrico (Université de Rouen) ; Escobar Steinvall, Simon (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Segura Ruiz, Jaime (European Synchrotron Radiation Facility) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Rigutti, Lorenzo (Université de Rouen) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Quaternary alloys enable the independent optimization of different semiconductor properties, such as the separate tuning of the band gap and the lattice constant. Nanowire core-shell structures should allow a larger range of compositional tuning as strain can be accommodated in a more effective manner than in thin films. [...]
2019 - 10.1103/PhysRevMaterials.3.023001
Physical review materials, Vol. 3, Issue 2 (February 2019) , art. 23001  
2.
8 p, 4.8 MB III-V Integration on Si(100) : Vertical Nanospades / Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia, Oscar (Universitat Politècnica de Catalunya) ; Boscardin, Mégane (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Vindice, David (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tappy, Nicolas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Balgarkashi, Akshay (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
III-V integration on Si(100) is a challenge: controlled vertical vapor liquid solid nanowire growth on this platform has not been reported so far. Here we demonstrate an atypical GaAs vertical nanostructure on Si(100), coined nanospade, obtained by a nonconventional droplet catalyst pinning. [...]
2019 - 10.1021/acsnano.9b01546
ACS nano, Vol. 13, Issue 5 (May 2019) , p. 5833-5840  
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22 p, 2.5 MB Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Markov, Edoardo. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Compound semiconductors exhibit an intrinsic polarity, as a consequence of the ionicity of their bonds. Nanowires grow mostly along the (111) direction for energetic reasons. Arsenide and phosphide nanowires grow along (111)B, implying a group V termination of the (111) bilayers. [...]
2018 - 10.1039/c8nr05787g
Nanoscale, Vol. 10, Issue 36 (September 2018) , p. 17080-17091  
4.
13 p, 8.2 MB The Role of polarity in nonplanar semiconductor nanostructures / De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Zamani, Reza (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Interdisciplinary Center for Electron Microscopy) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Eickhoff, Martin (University of Bremen. Institut für Festkörperphysik) ; Xiong, Qihua (Nanyang Technological University. School of Physical and Mathematical Sciences) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Caroff, Philippe (Delft University of Technology) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The lack of mirror symmetry in binary semiconductor compounds turns them into polar materials, where two opposite orientations of the same crystallographic direction are possible. Interestingly, their physical properties (e. [...]
2019 - 10.1021/acs.nanolett.9b00459
Nano letters, Vol. 19, issue 6 (June 2019) , p. 3396-3408  
5.
22 p, 841.0 KB Template-Assisted Scalable Nanowire Networks / Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Cerveny, Kris (University of Basel. Department of Physics) ; Weigele, Pirmin (University of Basel. Department of Physics) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Huang, Chunyi (Northwestern University. Department of Materials Science and Engineering) ; Patlatiuk, Taras (University of Basel. Department of Physics) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Sun, Zhiyuan (Northwestern University. Department of Materials Science and Engineering) ; Hill, Megan O. (Northwestern University. Department of Materials Science and Engineering) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Lauhon, Lincoln J. (Northwestern University. Department of Materials Science and Engineering) ; Zumbühl, Dominik M. (University of Basel. Department of Physics) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Topological qubits based on Majorana Fermions have the potential to revolutionize the emerging field of quantum computing by making information processing significantly more robust to decoherence. Nanowires are a promising medium for hosting these kinds of qubits, though branched nanowires are needed to perform qubit manipulations. [...]
2018 - 10.1021/acs.nanolett.8b00554
Nano letters, Vol. 18, Issue 4 (April 2018) , p. 2666-2671
2 documentos
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21 p, 1.0 MB High yield of gaas nanowire arrays on si mediated by the pinning and contact angle of Ga / Russo-Averchi, Eleonora (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Vukajlovic Plestina, Jelena (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Matteini, Federico (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Dalmau-Mallorquí, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rüffer, Daniel (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Potts, Heidi A. (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Conesa-Boj, Sonia (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Fontcuberta i Morral, Anna (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs)
GaAs nanowire arrays on silicon offer great perspectives in the optoelectronics and solar cell industry. To fulfill this potential, gold-free growth in predetermined positions should be achieved. Ga-assisted growth of GaAs nanowires in the form of array has been shown to be challenging and difficult to reproduce. [...]
2015 - 10.1021/nl504437v
Nano letters, Vol. 15, issue 5 (May 2015) , p. 2869-2874  

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