Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Gebeyehu, Zewdu M.
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 4 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 3 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
20 p, 950.6 KB Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2 / Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Parui, S. (K.U. Leuven) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brems, S. (Imec) ; Huyghebaert, C. (Imec) ; Garello, Kevin (Imec) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003  
Registre complet - Creative Commons
2.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
Registre complet - Creative Commons
3.
6 p, 708.7 KB Impact of the in situ rise in hydrogen partial pressure on graphene shape evolution during CVD growth of graphene / Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Growth to etching transformation following in situ rise in hydrogen with time results in dendritic graphene. Exposing graphene to a hydrogen post-etching process yields dendritic graphene shapes. Here, we demonstrate that similar dendritic structures can be achieved at long growth times without adding hydrogen externally. [...]
2018 - 10.1039/c7ra13169k
RSC advances, Vol. 8, issue 15 (2018) , p. 8234-8239  
Registre complet - Creative Commons

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
158 p, 4.7 MB High-quality CVD graphene for spintronic applications / Gebeyehu, Zewdu Messele ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Esplandiu Egido, Maria José, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Badosa, Josep R., dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Aquesta tesi s'ha basat en la síntesi i el processament del grafè per tal d'obtenir les condicions òptimes per a la seva utilització en aplicacions d'espintrònica. La tesi està emmarcada en dos camps de recerca punters: el món del grafè amb la seva riquesa de propietats úniques i el camp de l'espintrònica que explora el grau de llibertat de l'espí de l'electró de cara a noves aplicacions en informàtica i tecnologia de comunicacions (com és ara els dispositius de lògica i d'emmagatzematge d'informació). [...]
Esta tesis se ha basado en ajustar la síntesis y el procesamiento de grafeno para el desarrollo de dispositivos espintrónicos optimizados. La tesis está enmarcada en dos temáticas punteras: el mundo del grafeno con su riqueza de propiedades únicas y el campo de la espintrónica que explora el grado de libertad del espín de los electrones para nuevas aplicaciones en tecnología de la información y la comunicación (por ejemplo, dispositivos de lógica y almacenamiento de información). [...]
"This thesis has focused on tuning the synthesis and processing of graphene to achieve optimized spintronic applications. Thus the thesis is framed in two cut-edging topics: the graphene world with its richness of unique properties and the field of spintronics which explores the spin degree of freedom of the electrons for novel applications in information and communication technology (e. [...]
2019  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Gebeyehu, Zewdu Messele
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem