Resultats globals: 6 registres trobats en 0.02 segons.
Documents de recerca, 4 registres trobats
Articles, 2 registres trobats
Documents de recerca 4 registres trobats  
1.
156 p, 4.8 MB Growth and optical characterization of strain-engineered semiconductor nanostructures / Bernardi, Alessandro ; Alonso, Maria Isabel, dir. ; Goñi, Alejandro, dir. ; Pascual, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
En este trabajo hemos investigado distintas posibilidades para aprovechar las tensiones almacenadas en los materiales nanoestructurados para obtener estructuras 3D auto-organizadas. En particular hemos estudiado el crecimiento epitaxial de puntos cuánticos auto-organizados de Ge sobre Si depositando una submonocapa de carbono antes del crecimiento de las islas de Ge. [...]
In this work we explored different pathways to exploit the strain stored into nanoscale layers of materials as a driving force to self-assemble 3D structures. In particular, we have studied the epitaxial growth of self-assembled Ge quantum dots when a submonolayer of carbon is deposited prior to the growth of the dots. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
2.
165 p, 1.7 MB Understanding the optical and electronic properties of organic semiconductors using high pressure / Schmidt, Malte ; Campoy Quiles, Mariano, dir. ; Goñi, Alejandro, dir. ; Alonso Carmona, Maria Isabel, dir. ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
En esta tesis se estudian las propiedades ópticas de semiconductores orgánicos, que pueden usarse en diodos orgánicos de emisión de luz (OLEDs; de la expresión inglesa) y células solares orgánicas (OSCs; de la expresión inglesa). [...]
This thesis deals with the optical properties of organic semiconductors which are used for organic light emitting diodes (OLEDs) and organic solar cells (OSCs). This comprises also the charge transfer (CT) state in donor/acceptor blends, an intermediate state on the way to charge collection in OSCs. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
3.
170 p, 16.6 MB Growth, optical and structural investigation of sige nanostructures / Carmen Marcus, Ioana ; Alonso Carmona, Maria Isabel, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El propósito principal de esta tesis ha sido desarrollar un nuevo proceso con el fin de lograr el control reproducible de las dimensiones y la ubicación espacial de nanoestructuras (islas y nano hilos) de Ge sobre sustratos de Si. [...]
The main purpose of this thesis has been to develop a new process in order to achieve reproducible control of the dimensions and spatial location of Ge nanostructures (islands and nanowires) formed on Si substrates. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
4.
117 p, 2.0 MB Optical properties of low-dimensional semiconductor nanostructures under high pressure / Reparaz, Juan Sebastian ; Goñi, Alejandro, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
En el transcurso de este trabajo se han estudiado las propiedades ópticas y vibracionales de nanoestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad por medio de espectroscopia Raman y fotoluminiscencia combinadas con la técnica de altas presiones hidrostáticas en una celda de diamantes. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2009  

Articles 2 registres trobats  
1.
4 p, 383.6 KB Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers / Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ossó Torné, J. Oriol (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga i Bacardi, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The authors show that by deposition of 0. 1 ML of carbon prior to the self-assembledgrowth of Gequantum dots on a strained Si1−xGexbuffer layer a striking decrease in dot density by two orders of magnitude from about 1011to109cm−2 occurs when the Ge content of the buffer layer increases from 0% to 64%. [...]
2006 - 10.1063/1.2349317
Applied Physics Letters, Vol. 89, Issue 10 (September 2006) , p. 101921/1-101921/3  
2.
4 p, 337.7 KB Cross-plane thermal conductivity reduction of vertically uncorrelated Ge/Si quantum dot superlattices / Álvarez Quintana, Jaime (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Rodríguez Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Jou i Mirabent, David, 1953- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lacharmoise, Paul Dominique (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
A drastic reduction in temperature dependent cross-plane thermal conductivity κ occurs in Gequantum dotsuperlattices (QDSLs), depending on the vertical correlation between dots. Measurements show at least a twofold decrease of κ in uncorrelated dot structures as compared to structures with the same Si spacer of 20nm but good vertical dot alignment. [...]
2008 - 10.1063/1.2957038
Applied Physics Letters, Vol. 93, Issue 1 (July 2008) , p. 013112/1-013112/3  

Vegeu també: autors amb noms similars
4 Goñi, Alejandro,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.