1.
|
11 p, 2.1 MB |
In-plane thermal diffusivity determination using beam-offset frequency-domain thermoreflectance with a one-dimensional optical heat source
/
Xu, Kai (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Guo, Jiali (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Raciti, Grazia (University of Basel. Physics Department) ;
Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Borrisé, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Zardo, Ilaria (University of Basel. Physics Department) ;
Campoy-Quiles, Mariano (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Reparaz, Juan Sebastian (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We present an innovative contactless method suitable to study in-plane thermal transport based on beam-offset frequency-domain thermoreflectance using a one-dimensional heat source with uniform power distribution. [...]
2023 - 10.1016/j.ijheatmasstransfer.2023.124376
International Journal of Heat and Mass Transfer, Vol. 214 (November 2023) , art. 124376
|
|
2.
|
25 p, 1.1 MB |
Optical and mechanical properties of nanofibrillated cellulose : Toward a robust platform for next-generation green technologies
/
Delgado Simao, Claudia (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Reparaz, Juan Sebastian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Wagner, Markus R. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Graczykowski, Bartlomiej (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Kreuzer, Martin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Ruiz-Blanco, Yasser (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
García, Yamila (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Malho, Jani-Markus (VTT Technical Research Centre of Finland) ;
Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Ahopelto, Jouni (VTT Technical Research Centre of Finland) ;
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Nanofibrillated cellulose, a polymer that can be obtained from one of the most abundant biopolymers in nature, is being increasingly explored due to its outstanding properties for packaging and device applications. [...]
2015 - 10.1016/j.carbpol.2015.03.032
Carbohydrate polymers, Vol. 126 (August 2015) , p. 40-46
|
|
3.
|
28 p, 654.8 KB |
Influence of the relative molecular orientation on interfacial charge-transfer Excitons at donor/acceptor Nanoscale heterojunctions
/
Aghamohammadi, Mahdieh (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Fernández, Anton (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Schmidt, Malte (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Pérez-Rodríguez, Ana (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Fraxedas, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Paradinas Aranjuelo, Marcos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Ocal García, Carmen (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Barrena, Esther (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We address the impact of the relative orientation between donor (D) and acceptor (A) molecules at the D/A heterojunction on the exciton dissociation. For this purpose, two-dimensional heterojunctions of diindenoperylene (DIP) and N,N'-dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylicdiimide (PTCDI-C) deposited onto SiO/Si are grown, which exemplify two model interfaces with the π-staking direction either perpendicular or parallel to the interface. [...]
2014 - 10.1021/jp5041579
Journal of physical chemistry. C, Vol. 118, Num. 27 (June 2014) , p. 14833-14839
|
|
4.
|
65 p, 1.8 MB |
Inductively coupled remote plasma-enhanced chemical vapor deposition (rPE-CVD) as a versatile route for the deposition of graphene micro- and nanostructures
/
González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Šics, Igors (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Pach, Elzbieta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Paradinas Aranjuelo, Marcos (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Moreno Fernández, Harol Aníbal (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Carlino, Vincent (Ibss Group Inc) ;
Pellegrin, Eric (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró)
Multiple layers of graphene thin films with micro-crystalline orientation and vertical graphene nano-sheets were grown on different substrates (i. e. , polycrystalline nickel foil, Ni(111), highly oriented pyrolytic graphite) using a single-step process based on low-pressure remote Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (rPE-CVD). [...]
2017 - 10.1016/j.carbon.2017.02.067
Carbon, Vol. 117 (June 2017) , p. 331-342
|
|
5.
|
12 p, 3.0 MB |
Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement
/
Vaccaro, Pablo Oscar (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ;
Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Gutiérrez, Joffre (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Peró, Damià (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Wagner, Markus R.. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Reparaz, Juan Sebastian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Vidal, Xavier (Macquarie University. Department of Physics and Astronomy) ;
Carter, E. A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ;
Lay, P. A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ;
Yoshimoto, M. (Kyoto Institute of Technology) ;
Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We deposited Ge layers on (001) Si substrates by molecular beam epitaxy and used them to fabricate suspended membranes with high uniaxial tensile strain. We demonstrate a CMOS-compatible fabrication strategy to increase strain concentration and to eliminate the Ge buffer layer near the Ge/Si hetero-interface deposited at low temperature. [...]
2018 - 10.1063/1.5050674
AIP advances, Vol. 8, issue 11 (November 2018) , art. 115131
|
|
6.
|
11 p, 2.2 MB |
Thermal transport in epitaxial Si1-xGe x alloy nanowires with varying composition and morphology
/
Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Reparaz, Juan Sebastian (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Spiece, J. (Lancaster University) ;
Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Vaccaro, Pablo Oscar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Wagner, Markus R.. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Kolosov, O. V. (Lancaster University) ;
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament de Física
We report on structural, compositional, and thermal characterization of self-assembled in-plane epitaxial SiGe alloy nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (001) substrates. The thermal properties were studied by means of scanning thermal microscopy (SThM), while the microstructural characteristics, the spatial distribution of the elemental composition of the alloy nanowires and the sample surface were investigated by transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray microanalysis. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9497
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 50 (December 2017) , art. 505704
|
|
7.
|
|
8.
|
4 p, 337.7 KB |
Cross-plane thermal conductivity reduction of vertically uncorrelated Ge/Si quantum dot superlattices
/
Álvarez Quintana, Jaime (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Àlvarez Calafell, Francesc Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Rodríguez-Viejo, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Jou i Mirabent, David, 1953- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Lacharmoise, Paul Dominique (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
American Physical Society
A drastic reduction in temperature dependent cross-plane thermal conductivity κ occurs in Gequantum dotsuperlattices (QDSLs), depending on the vertical correlation between dots. Measurements show at least a twofold decrease of κ in uncorrelated dot structures as compared to structures with the same Si spacer of 20nm but good vertical dot alignment. [...]
2008 - 10.1063/1.2957038
Applied physics letters, Vol. 93, Issue 1 (July 2008) , p. 013112/1-013112/3
|
|