Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Godignon, Philippe
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 10 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 4 registres trobats
Documents de recerca, 6 registres trobats
Articles 4 registres trobats  
1.
21 p, 1.9 MB High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistors / Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Dasilva, Miguel (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dragojević, Tanja (Institut de Ciències Fotòniques) ; Vidal Rosas, Ernesto E. (Institut de Ciències Fotòniques) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martínez Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rius Suñé, Gemma (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Camassa, Alessandra (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Durduran, Turgut (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Recording infraslow brain signals (<0. 1 Hz) with microelectrodes is severely hampered by current microelectrode materials, primarily due to limitations resulting from voltage drift and high electrode impedance. [...]
2019 - 10.1038/s41563-018-0249-4
Nature materials, Vol. 18, Issue 3 (March 2019) , p. 280-288
2 documents
Registre complet -
2.
31 p, 2.0 MB Flexible Graphene Solution-Gated Field-Effect Transistors : Efficient Transducers for Micro-Electrocorticography / Hébert, Clément (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Suarez-Pérez, Alejandro (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Piret, Gaelle (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Viana Casals, Damià (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Godignon, Philippe (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Yvert, Blayse (INSERM U1205 (Grenoble, França)) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Sánchez-Vives, María V (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Brain-computer interfaces and neural prostheses based on the detection of electrocorticography (ECoG) signals are rapidly growing fields of research. Several technologies are currently competing to be the first to reach the market; however, none of them fulfill yet all the requirements of the ideal interface with neurons. [...]
2018 - 10.1002/adfm.201703976
Advanced functional materials, Vol. 28, Núm. 12 (March 2018) , article 1703976  
Registre complet -
3.
4 p, 327.5 KB Theoretical evidence for the kick-out mechanism for B diffusion in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Ordejon, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hernández, Eduardo R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
In this letter, we analyze by means of first-principles electronic structure calculations the diffusion of B impurities in 3C-SiC. We find, through molecular dynamics, that substitutional B at a Si lattice site is readily displaced by a nearby Si interstitial by the process known as a kick-out mechanism, in agreement with recent experimental results. [...]
2002 - 10.1063/1.1515369
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 16 (October 2002) , p. 2989-2991  
Registre complet -
4.
4 p, 272.4 KB First-principles study of n-type dopants and their clustering in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Hernández, Eduardo R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejon, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We report the results of an ab initio study of N and P dopants in SiC. We find that while N substitutes most favorably at a C lattice site, P does so preferably at a Si site, except in n-doping and Si-rich 3C-SiC. [...]
2003 - 10.1063/1.1583870
Applied physics letters, Vol. 82, Issue 24 (June 2003) , p. 4298-4300  
Registre complet -

Documents de recerca 6 registres trobats  
1.
206 p, 13.7 MB Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies / Placidi, Marcel ; Godignon, Philippe, dir. ; Flores Gual, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Vegeu mpresum1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011
2 documents
Registre complet -
2.
120 p, 7.3 MB RTCVD synthesis of carbon nanotubes and their wafer scale integration into FET and sensor processes / Martín Fernández, Iñigo ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los nanotubos de carbono (CNTs, carbon nanotubes) son moléculas tubulares cuyo diámetro es de escala nanométrica y cuyas paredes están formadas por capas monoatómicas de carbono. Su estructura en combinación con su morfología unidimensional confieren unas propiedades muy especiales que hacen de los CNTs un material muy atractivo para el desarrollo de amplia gama de aplicaciones. [...]
Carbon nanotubes (CNTs) are tubular molecules which diameters may be smaller than one nanometre and which walls are formed of single carbon atom layers that are arranged in a honey comb lattice. Because of their one dimensional aspect ratio and properties, which are conferred by their structural arrangement, CNTs are a very attractive material for a wide range of applications. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona , 2011
2 documents
Registre complet -
3.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Perez-Tomas, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  
Registre complet -
4.
116 p, 1.8 MB Optimisation de l'implantation ionique et du recuit thermique pour SiC / Blanqué, Servane ; Camassell, J., dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II) ; Godignon, Philippe, dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2005
3 documents
Registre complet -
5.
234 p, 3.2 MB Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes / Pérez Rodríguez, Raúl ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Els dispositius semiconductors de potència es requereixen per transmetre o rebre gairebé qualsevol tipus de senyal elèctrica i energia electromagnètica. En temps de constant augment del consum energètic i de la sensibilitat medi-ambiental, aquests petits dispositius poden dura a terme un gran paper. [...]
Power semiconductor devices are required whenever sending, transmitting or receiving almost any type of electrical and electromagnetic energy or signal/information. In times of escalating power consumption and increasing environmental awareness, these small electronic devices can play a big role. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006  
Registre complet -
6.
141 p, 1.4 MB Theoretical studies of defects in silicon carbide / Rurali, Riccardo ; Hernández, Eduardo Rafael, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal. [...]
Electronic structure calculations have been used to study the structure, the diffusivity and the electrical activity of point defects in silicon carbide. Particularly, p-type and n-type impurities have been considered, namely boron, nitrogen and phosphorus, together with intrinsic defects, specifically vacancies of the host crystal. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004  
Registre complet -

Vegeu també: autors amb noms similars
6 Godignon, Philippe,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem