Happy, Henri - Resultados de la búsqueda - Depósito Digital de Documentos de la UAB

Buscar colecciones:

Ordenar por:	Mostrar resultados:	Formato de visualización:

Resultados globales: 3 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 3 registros

Artículos	Encontrados 3 registros

7 p, 5.0 MB

Straightforward bias- and frequency-dependent small-signal model extraction for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille) ; Happy, Henri (Université de Lille) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We propose an explicit small-signal graphene field-effect transistor (GFET) parameter extraction procedure based on a charge-based quasi-static model. The dependence of the small-signal parameters on both gate voltage and frequency is precisely validated by high-frequency (up to 18 GHz) on-wafer measurements from a 300 nm device. [...]
2023 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1016/j.mejo.2023.105715
Microelectronics Journal, Vol. 133 (March 2023) , art. 105715

Registro completo -

8 p, 2.6 MB

Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099

Registro completo -

21 p, 2.8 MB

Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636

Registro completo -

Vea también: autores con nombres similares

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.