Resultats globals: 5 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 4 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 4 registres trobats  
1.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
2.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
3.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, G. (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied Physics Letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
4.
4 p, 1.2 MB Correlation between the nanoscale electrical and morphological properties of crystallized hafnium oxide-based metal oxide semiconductor structures / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dudek, P. (Innovations for High Performance Microelectronics (Frankfurt, Alemanya)) ; Schroeder, T. (Innovations for High Performance Microelectronics (Frankfurt, Alemanya)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; American Physical Society
The relationship between electrical and structuralcharacteristics of polycrystalline HfO2films has been investigated by conductive atomic force microscopy under ultrahigh vacuum conditions. The results demonstrate that highly conductive and breakdown (BD) sites are concentrated mainly at the grain boundaries (GBs). [...]
2010 - 10.1063/1.3533257
Applied Physics Letters, Vol. 97, Issue 26 (December 2010) , p. 262906/1-262906/3  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.