Resultats globals: 52 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 24 registres trobats
Documents de recerca, 12 registres trobats
Materials acadèmics, 16 registres trobats
Articles 24 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
3 p, 431.8 KB Cap al desenvolupament de circuits multifuncionals utilitzant dispositius emergents basats en carboni / Ramos-Silva, Javier N. (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Pacheco-Sánchez, Aníbal (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramírez-García, Eloy (Instituto Politécnico Nacional (Mèxic). Unidad Profesional Adolfo López Mateos) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Durant els últims anys la demanda de sistemes de comunicació robustos ha anat en augment com a resposta a les necessitats de la població per més i millors opcions de connectivitat. Les tecnologies de semiconductors emergents, com per exemple dispositius a base de carboni, han sorgit com a alternativa a curt termini per incrementar els límits d'acompliment de circuits integrats. [...]
Durante los últimos años la demanda de sistemas de comunicación robustos ha ido en aumento como respuesta a las necesidades de la población por más y mejores opciones de conectividad. Las tecnologías de semiconductores emergentes, como por ejemplo dispositivos a base de carbono, han surgido como una alternativa en el corto plazo para incrementar los límites de desempeño de circuitos integrados. [...]
During the last years, the claim of high-performance communication systems has increased as a result of the requirements of the population for more and better connectivity options. Emerging semiconductor technologies, e. [...]

2021
UAB divulga, Octubre 2021
3 documents
2.
11 p, 805.0 KB Bias dependent variability of low-frequency noise in single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-frequency noise (LFN) variability in graphene transistors (GFETs) is for the first time researched in this work under both experimental and theoretical aspects. LFN from an adequate statistical sample of long-channel solution-gated single-layer GFETs is measured in a wide range of operating conditions while a physics-based analytical model is derived that accounts for the bias dependence of LFN variance with remarkable performance. [...]
2020 - 10.1039/d0na00632g
Nanoscale advances, Vol. 2, issue 11 (Nov. 2020) , p. 5450-5460  
3.
8 p, 2.6 MB Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099  
4.
18 p, 1.0 MB Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Masvidal Codina, Eduard (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; De la Cruz, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Inserm) ; Villa, Rosa (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655  
5.
11 p, 213.0 KB Physical model of the contact resistivity of metal-graphene junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While graphene-based technology shows great promise for a variety of electronic applications, including radio-frequency devices, the resistance of the metal-graphene contact is a technological bottleneck for the realization of viable graphene electronics. [...]
2014 - 10.1063/1.4874181
Journal of applied physics, Vol. 115, issue 16 (April 2014) , art. 164513  
6.
8 p, 2.1 MB Photoresponse of Graphene-Gated Graphene-GaSe Heterojunction Devices / Kim, Wonjae (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Arpiainen, Sanna (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Xue, Hui (Aalto University) ; Soikkeli, Miika (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Qi, Mei (Aalto University) ; Sun, Zhipei (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Chaves, Ferney A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Prunnila, Mika (Aalto University)
Because of their extraordinary physical properties, low-dimensional materials including graphene and gallium selenide (GaSe) are promising for future electronic and optoelectronic applications, particularly in transparent-flexible photodetectors. [...]
2018 - 10.1021/acsanm.8b00684
ACS Applied Nano Materials, Vol. 1 (07 2018) , p. 3895-3902  
7.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
8.
7 p, 1.6 MB Large-signal model of 2DFETs : compact modeling of terminal charges and intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Marin, Enrique G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Park, Saungeun (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Akinwande, Deji (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a physics-based circuit-compatible model for double-gated two-dimensional semiconductor-based field-effect transistors, which provides explicit expressions for the drain current, terminal charges, and intrinsic capacitances. [...]
2019 - 10.1038/s41699-019-0130-6
npj 2D Materials and Applications, Vol. 3 (December 2019) , art. 47  
9.
21 p, 2.8 MB Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  
10.
12 p, 530.3 KB GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances / Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica) ; Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Godoy, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. [...]
2019 - 10.3390/nano9071027
Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027  

Articles : 24 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 12 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
High-Bandwidth Graphene Neural Interfaces / Garcia Cortadella, Ramon ; Garrido Ariza, José Antonio, dir. ; Guimera Brunet, Anton, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir.
El funcionament del cervell es basa en processos complexos, que encara no s'han descrit i comprès detalladament. En les últimes dècades, la neurociència ha experimentat un desenvolupament accelerat, impulsat per noves neurotecnologías que permeten monitoritzar les dinàmiques de l'activitat elèctrica al cervell amb una major resolució espai-temporal i una àrea de cobertura més àmplia. [...]
El funcionamiento del cerebro se basa en procesos complejos, que aún no se han descrito y comprendido detalladamente. En las últimas décadas, la neurociencia ha experimentado un desarrollo acelerado, impulsado por nuevas neurotecnologías que permiten monitorear la dinámica de la actividad eléctrica en el cerebro con una mayor resolución espacio-temporal y un área de cobertura más amplia. [...]
Brain function is based on highly complex processes, which remain yet to be described and understood in detail. In the last decades, neuroscience has experienced an accelerated development, prompted by novel neurotechnologies that allow monitoring the dynamics of electrical activity in the brain with a higher spatio-temporal resolution and wider coverage area. [...]

2021  
2.
EGNITE : Engineered Graphene for Neural Interface / Viana Casals, Damià ; Garrido Ariza, José Antonio, dir. ; Jimenez Jimenez, David, dir.
La tecnologia d'implants neuronals en medicina té com a objectiu restaurar la funcionalitat del sistema nerviós en casos de degeneració o dany greu registrant o estimulant l'activitat elèctrica del teixit nerviós. [...]
La tecnología de implantes neuronales en medicina tiene como objetivo restaurar la funcionalidad del sistema nervioso en casos de degeneración o daño grave registrando o estimulando la actividad eléctrica del tejido nervioso. [...]
Neural implants technology in medicine aims to restore nervous system functionality in cases of severe degeneration or damage by recording or stimulating the electrical activity of the nervous tissue. [...]

2021  
3.
129 p, 4.0 MB High-density cortical implant for brain-machine interfaces based on two-dimensional materials / Schaefer, Nathan ; Garrido Ariza, José Antonio, dir. ; Guimerà-Brunet, Anton, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir.
El descobriment experimental del grafè el 2004 va suposar l'aparició d'un nou camp de recerca basat en materials bidimensionals, que investiga les seves propietats per a aplicacions en electrònica, fotònica i optoelectrònica i, recentment, també en tecnologia biomèdica. [...]
El descubrimiento experimental del grafeno en 2004 marcó el nacimiento de un nuevo campo de investigación basado en materiales bidimensionales, investigando sus propiedades para aplicaciones en electrónica, fotónica y optoelectrónica y, recientemente, también en tecnología biomédica. [...]
The experimental discovery of graphene in 2004 marked the advent of a new research field based on two-dimensional materials, investigating their properties for applications in electronics, photonics and optoelectronics and, recently, also biomedical technology. [...]

2021  
4.
245 p, 8.4 MB Graphene field-effect transistors as flexible neural interfaces for intracortical electrophysiology / Bonaccini Calia, Andrea ; Garrido Ariza, José Antonio, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir.
En els últims anys s'han produït desenvolupaments tecnològics innovadors en el camp dels implants neuronals per a aplicacions mèdiques. La comprensió de el cervell humà es considera com un dels majors reptes científics del nostre temps; com a conseqüència, estem sent testimonis d'una intensificació de la investigació en el desenvolupament de les interfícies cervell-màquina (IMC) per llegir i estimular l'activitat cerebral. [...]
En los últimos años se han producido nuevos desarrollos tecnológicos en el campo de los implantes neuronales para aplicaciones médicas. La comprensión del cerebro humano se considera uno de los mayores desafíos científicos de nuestro tiempo; como consecuencia, estamos siendo testigos de una intensificación de la investigación en el desarrollo de las interfaces cerebro-máquina (IMC) para leer y estimular la actividad cerebral. [...]
Recent years have witnessed novel technology developments of neural implants for medical applications which are expected to pave the way to unveil functionalities of the central nervous system. Understanding the human brain is commonly considered one of the biggest scientific challenges of our time; as a consequence, we are witnessing an intensified research in the development of brain-machine-interfaces (BMIs), which would allow us to both read and stimulate brain activity. [...]

2021  
5.
254 p, 13.5 MB Design, fabrication and characterization of semiconductor radiation sensors for future high energy physics experiments / Benítez Casma, Víctor Hugo ; Ullán Comes, Miguel, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Aquest treball se centra en els sensors de radiació de silici, especialment en el disseny, la fabricació i la caracterització dels sensors de microstrip per a experiments en física d'alta energia. [...]
This work focuses on silicon radiation sensors, particularly on the design, fabrication and characterization of microstrips sensors for high energy physics experiments. Building prototypes for the ATLAS detector upgrade (Petalet sensors) and the proposal of a protection structure against beam losses (LowR sensors) are the framework for the research activities. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
6.
176 p, 7.2 MB Lab-on-a-chip integration of the bimodal waveguide nanointerferometric biosensor / Grajales García, Daniel ; Lechuga, Laura, dir. ; Sendra Sendra, José Ramón, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
La presente tesis doctoral se centra en la integración del novedoso biosensor nanointerferométrico de guías de onda bimodal (BiMW biosensor) en una plataforma lab-on-chip para la detección temprana de biomarcadores relacionados con el diagnóstico clínico de enfermedades directamente en la muestra del paciente. [...]
This doctoral Thesis focuses on the integration of the novel Bimodal Waveguide Nanointerferometric Biosensor (BiMW) into a Lab-On-a-Chip (LOC) platform which can allow the direct detection of biomarkers for diseases diagnosis directly in the patient's sample. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
7.
165 p, 3.1 MB Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / Pasadas, Francisco ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del "Internet of Things", han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca la hoja de ruta de la industria de los semiconductores, incluya desde 2011 al grafeno y los 2DMs relacionados (GRMs) como candidatos para la electrónica del futuro. [...]
New technologies are necessary for the unprecedented expansion of connectivity and communications in the modern technological society. The specific needs of wireless communication systems in 5G and beyond, as well as devices for the future deployment of the Internet of Things has caused that the International Technology Roadmap for Semiconductors, which is the strategic planning document of the semiconductor industry, considered since 2011, graphene and related materials (GRMs) as promising candidates for the future of electronics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
8.
168 p, 7.7 MB Development of integrated plasmomechanical sensors in microfluidic devices for live cell analysis / Solís Tinoco, Verónica Iraís ; Lechuga, Laura, dir. ; Sepúlveda, Borja, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta Tesis doctoral se centra en el diseño, estudio y optimización de una metodología controlada para la fabricación de un sensor flexible y plasmo-mecánico integrado con microfluídica, así como en su caracterización óptica y mecánica. [...]
This doctoral Thesis focuses on the design, study, and optimization of the controlled fabrication metodology of a flexible plasmo-mechanical sensor with microfluidics, as well as its optical and mechanical characterization. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
9.
95 p, 4.8 MB Array of microfluidic beam resonators for mass sensing applications : design, fabrication and testing / Marquez Villalobos, Salomón Elieser ; Lechuga Gómez, Laura M., dir. ; Álvarez Sánchez, Mar, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En la búsqueda de herramientas de diagnóstico más eficientes, los dispositivos biosensores basados en resonadores micro y nanoelectromecánicos han demostrado un gran impacto en este ámbito debido a su alta sensibilidad, tamaño miniaturizado y su rápida respuesta a una interacción. [...]
In the pursuit of more efficient diagnosis tools, micro- and nanomechanical biosensors have shown promising impact due to its high sensitivity, fast interaction and small size. Under this premise, the present Doctoral Thesis has the ultimate objective of integrating a mass sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) resonators into a Lab-on-a-Chip platform for the simultaneous detection of different analytes in real-time. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
10.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  

Documents de recerca : 12 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Materials acadèmics 16 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
5 p, 105.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2021-22
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
2.
5 p, 104.8 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
The cental objective of this course is to provide a general overview of basic electronic devices, mainly diodes and transistors and of the basic models used for the analysis and design of circuits. Understanding of the physical principles behind the operation of semiconductors, and electron and photonic devices. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
3.
5 p, 109.0 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
4.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
5.
5 p, 108.9 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2020-21
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
6.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
7.
5 p, 108.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
8.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
9.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
10.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  

Materials acadèmics : 16 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.