Resultats globals: 24 registres trobats en 0.02 segons.
Materials de curs, 7 registres trobats
Documents de recerca, 6 registres trobats
Articles, 11 registres trobats
Materials de curs 7 registres trobats  
1.
4 p, 78.4 KB Nanoelectronic Devices [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
2.
5 p, 86.1 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
3.
1 p, 160.2 KB Electricitat i Electrònica [20338] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martínez, Ll. Miquel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1995-96
Enginyer en Informàtica [57]  
4.
1 p, 89.6 KB Tractament i Transmissió de senyals [20526] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Juny 2004-05
Enginyer en Electrònica [445]  
 Accés restringit a la UAB
5.
1 p, 57.5 KB Tractament i Transmissió de senyals [20526] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Juny 2005-06
Enginyer en Electrònica [445]
Menció en Enginyeria Matemàtica [532]  
 Accés restringit a la UAB
6.
1 p, 58.6 KB Tractament i Transmissió de senyals [20526] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Febrer 2005-06
Enginyer en Electrònica [445]
Menció en Enginyeria Matemàtica [532]  
 Accés restringit a la UAB
7.
1 p, 1.0 MB Tractament i Transmissió de senyals [20526] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Febrer 2004-05
Enginyer Electrònic [87]
Enginyer en Electrònica [445]
Menció en Enginyeria Matemàtica [532]  
 Accés restringit a la UAB

Documents de recerca 6 registres trobats  
1.
168 p, 7.7 MB Development of integrated plasmomechanical sensors in microfluidic devices for live cell analysis / Solís Tinoco, Verónica Iraís, autor ; Lechuga, Laura M., supervisor acadèmic ; Sepúlveda Martínez, Borja, supervisor acadèmic ; Jiménez Jiménez, David, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta Tesis doctoral se centra en el diseño, estudio y optimización de una metodología controlada para la fabricación de un sensor flexible y plasmo-mecánico integrado con microfluídica, así como en su caracterización óptica y mecánica. [...]
This doctoral Thesis focuses on the design, study, and optimization of the controlled fabrication metodology of a flexible plasmo-mechanical sensor with microfluidics, as well as its optical and mechanical characterization. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
2.
95 p, 4.8 MB Array of microfluidic beam resonators for mass sensing applications : design, fabrication and testing / Marquez Villalobos, Salomón Elieser ; Lechuga Gómez, Laura M., dir. ; Álvarez Sánchez, Mar, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En la búsqueda de herramientas de diagnóstico más eficientes, los dispositivos biosensores basados en resonadores micro y nanoelectromecánicos han demostrado un gran impacto en este ámbito debido a su alta sensibilidad, tamaño miniaturizado y su rápida respuesta a una interacción. [...]
In the pursuit of more efficient diagnosis tools, micro- and nanomechanical biosensors have shown promising impact due to its high sensitivity, fast interaction and small size. Under this premise, the present Doctoral Thesis has the ultimate objective of integrating a mass sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) resonators into a Lab-on-a-Chip platform for the simultaneous detection of different analytes in real-time. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
3.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi‐gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called “Short Channel Effects” have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
4.
14 p, 752.9 KB Método de planificación de un implante dental / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona
Método de planificación de un implante dental. Comprende:- construir una guía quirúrgica (2) y colocarla sobre una estructura bucal (1) de un paciente, presionando las encías (1a) incluidas en la misma; - adquirir información anatómica tridimensional de dicha estructura bucal (1) con la guía quirúrgica encajada en la misma; - realizar una reconstrucción física (3) a escala real de la estructura bucal (1) incluyendo unas indicaciones de una trayectoria planificada para el implante dental, y unas zonas rebajadas (3a, 3b) correspondientes a las encías (1 a) siendo presionadas; y - disponer la guía quirúrgica (2) sobre la reconstrucción física (3) y realizar una perforación (5) pasante en la guía quirúrgica (2) siguiendo las indicaciones de la trayectoria planificada.
Madrid : Oficina Española de Patentes y Marcas, 2011  
5.
26 p, 295.9 KB Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta / Sureda i Masmartí, Carles ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. [...]
En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. [...]
In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. [...]

2007  
6.
94 p, 7.7 MB Diseño de dispositivos optoelectrónicos integrados : métodos numéricos de simulación de la propagación de ondas electromagnéticas / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pérez Murano, Francesc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La tesis se centra en el desarrollo de metodos numéricos para simular la propagación del campo electromagnético en guías de onda, haciendo especial énfasis en la investigación de condiciones de frontera que permitan el flujo de las ondas radiadas hacia el exterior de la región de cálculo. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2008  

Articles 11 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
7 p, 2.4 MB The role of the Fermi level pinning in gate tunable graphene-semiconductor junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene based transistors relying on a conventional structure cannot switch properly because of the absence of an energy gap in graphene. To overcome this limitation, a barristor device was proposed, whose operation is based on the modulation of the graphene-semiconductor (GS) Schottky barrier by means of a top gate, and demonstrating an ON-OFF current ratio up to 10⁵. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2606139
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63, no. 11 (Nov. 2016) , p. 4521-4526  
2.
33 p, 1.1 MB Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications / Feijoo, Pedro C (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Channel length scaling in graphene field effect transistors (GFETs) is key in the pursuit of higher performance in radio frequency electronics for both rigid and flexible substrates. Although twodimensional (2D) materials provide a superior immunity to short channel effects (SCEs) than bulk materials, they could dominate in scaled GFETs. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/2/025036
2D Materials, Vol. 3, no. 2 (June 2016) , p. 1-13  
3.
7 p, 921.0 KB Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part II : circuit performance benchmarking / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper presents a circuit performance benchmarking using the large-signal model of graphene field effect transistor reported in Part I of this two-part paper. To test the model, it has been implemented in a circuit simulator. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2563464
IEEE Transactions on electron devices, Vol. 63, Issue 7 (July 2016) , p. 2942 - 2947  
4.
6 p, 1.8 MB Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part I : compact modeling of GFET intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a circuit-compatible compact model of the intrinsic capacitances of graphene field-effect transistors (GFETs). Together with a compact drain current model, a large-signal model of GFETs is developed combining both models as a tool for simulating the electrical behavior of graphene-based integrated circuits, dealing with the DC, transient behavior, and frequency response of the circuit. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2570426
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63 Issue 7 (July 2016) , p. 2936 - 2941  
5.
4 p, 554.7 KB The environment of graphene probed by electrostatic force microscopy / Moser, Joel (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia (CIN2)) ; Verdaguer, A. (Institut Català de Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barreiro Megino, Amelia (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia (CIN2)) ; Bachtold, Adrian (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia (CIN2)) ; American Physical Society
We employ electrostatic force microscopy to study the electrostatic environment of graphene sheets prepared with the micromechanical exfoliation technique. We detect the electric dipole of residues left from the adhesive tape during graphene preparation, as well as the dipole of water molecules adsorbed on top of graphene. [...]
2008 - 10.1063/1.2898501
Applied Physics Letters, Vol. 92, Issue 12 (March 2008) , p. 123507/1-123507/3  
6.
4 p, 407.4 KB Multidomain ferroelectricity as a limiting factor for voltage amplification in ferroelectric field-effect transistors / Cano, A. (European Synchrotron Radiation Facility) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We revise the possibility of having an amplified surface potential in ferroelectricfield-effect transistors pointed out by [S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008)]. We show that the negative-capacitance regime that allows for such amplification is actually bounded by the appearance of multidomain ferroelectricity. [...]
2010 - 10.1063/1.3494533
Applied Physics Letters, Vol. 97, Issue 13 (September 2010) , p. 133509/1-133509/3  
7.
4 p, 423.1 KB Tuning the band gap of semiconducting carbon nanotube by an axial magnetic field / Fedorov, G. (Georgetown University. Department of Physics) ; Barbara, P. (Georgetown University. Department of Physics) ; Smirnov, D. (Florida State University. National High Magnetic Field Laboratory) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Physical Society
We have investigated the magnetic field dependence of transfer characteristics of a device fabricated in a configuration of a field-effect transistor with a conduction channel formed by a semiconducting multiwalled carbon nanotube. [...]
2010 - 10.1063/1.3360214
Applied Physics Letters, Vol. 96, Issue 13 (March 2010) , p. 132101/1-132101/3  
8.
4 p, 302.1 KB Progressive breakdown dynamics and entropy production in ultrathin SiO2 gate oxides / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The progressive breakdown of ultrathin (≈2nm) SiO2 gate oxides subjected to constant electrical stress is investigated using a simple equivalent circuit model. It is shown how the interplay among series, parallel, and filamentary conductances that represent the breakdown path and its surroundings leads under certain hypothesis to a sigmoidal current-time characteristic compatible with the experimental observations. [...]
2011 - 10.1063/1.3602318
Applied Physics Letters, Vol. 98, Issue 25 (June 2011) , p. 253504/1-253504/3  
9.
5 p, 625.2 KB Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A physics-based model for the surface potential and drain current for monolayertransition metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistor is presented. Taking into account the two-dimensional (2D) density-of-states of the atomic layer thick TMD and its impact on the quantum capacitance, a model for the surface potential is presented. [...]
2012 - 10.1063/1.4770313
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 24 (December 2012) , p. 243501/1-243501/4  
10.
5 p, 1.7 MB Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron W. (Institut Català de Nanociencia i Nanotecnologia) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Van Tuan, Dinh (Institut Català de Nanociencia i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Institute of Physics
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. [...]
2014 - 10.1063/1.4863842
Applied Physics Letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4  

Articles : 11 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.