Resultats globals: 44 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 22 registres trobats
Documents de recerca, 8 registres trobats
Materials acadèmics, 14 registres trobats
Articles 22 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
11 p, 805.0 KB Bias dependent variability of low-frequency noise in single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Illa, Xavi (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-frequency noise (LFN) variability in graphene transistors (GFETs) is for the first time researched in this work under both experimental and theoretical aspects. LFN from an adequate statistical sample of long-channel solution-gated single-layer GFETs is measured in a wide range of operating conditions while a physics-based analytical model is derived that accounts for the bias dependence of LFN variance with remarkable performance. [...]
2020 - 10.1039/d0na00632g
Nanoscale advances, Vol. 2, issue 11 (Nov. 2020) , p. 5450-5460  
2.
Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Université de Lille. Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, a detailed parameter extraction methodology is proposed for low-frequency noise (LFN) in single-layer (SL) graphene transistors (GFETs) based on a recently established compact LFN model. [...]
2020 - 10.1109/TED.2020.2978215
IEEE transactions on electron devices, Vol. 67, issue 5 (May 2020) , p. 2093-2099  
3.
18 p, 1.0 MB Improved metal-graphene contacts for low-noise, high-density microtransistor arrays for neural sensing / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Illa, Xavi (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; Masvidal Codina, Eduard (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; De la Cruz Sánchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Domínguez, Laura (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Prats Alfonso, Elisabet (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; Bousquet, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; Pérez-Marín, Antonio Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hébert, Clément (Inserm) ; Villa, Rosa (Instituto de Microelectrónica de Barcelona) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Poor metal contact interfaces are one of the main limitations preventing unhampered access to the full potential of two-dimensional materials in electronics. Here we present graphene solution-gated field-effect-transistors (gSGFETs) with strongly improved linearity, homogeneity and sensitivity for small sensor sizes, resulting from ultraviolet ozone (UVO) contact treatment. [...]
2020 - 10.1016/j.carbon.2020.01.066
Carbon, Vol. 161 (May 2020) , p. 647-655  
4.
11 p, 213.0 KB Physical model of the contact resistivity of metal-graphene junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While graphene-based technology shows great promise for a variety of electronic applications, including radio-frequency devices, the resistance of the metal-graphene contact is a technological bottleneck for the realization of viable graphene electronics. [...]
2014 - 10.1063/1.4874181
Journal of applied physics, Vol. 115, issue 16 (April 2014) , art. 164513  
5.
8 p, 2.1 MB Photoresponse of Graphene-Gated Graphene-GaSe Heterojunction Devices / Kim, Wonjae (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Arpiainen, Sanna (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Xue, Hui (Aalto University) ; Soikkeli, Miika (VTT Technical Research Center of Finland Ltd) ; Qi, Mei (Aalto University) ; Sun, Zhipei (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Chaves, Ferney A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Prunnila, Mika (Aalto University)
Because of their extraordinary physical properties, low-dimensional materials including graphene and gallium selenide (GaSe) are promising for future electronic and optoelectronic applications, particularly in transparent-flexible photodetectors. [...]
2018 - 10.1021/acsanm.8b00684
ACS Applied Nano Materials, Vol. 1 (07 2018) , p. 3895-3902  
6.
19 p, 2.2 MB Understanding the bias dependence of low frequency noise in single layer graphene FETs / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This letter investigates the bias-dependent low frequency noise of single layer graphene field-effect transistors. Noise measurements have been conducted with electrolyte-gated graphene transistors covering a wide range of gate and drain bias conditions for different channel lengths. [...]
2018 - 10.1039/c8nr04939d
Nanoscale, Vol. 10, Issue 31 (August 2018) , p. 14947-14956  
7.
21 p, 2.8 MB Velocity Saturation Effect on Low Frequency Noise in Short Channel Single Layer Graphene Field Effect Transistors / Mavredakis, Nikolaos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wei, Wei (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Pallecchi, Emiliano (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Vignaud, Dominique (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Happy, Henri (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonaccini Calia, Andrea (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene devices for analog and radio frequency (RF) applications are prone to low frequency noise (LFN) due to its up conversion to undesired phase noise at higher frequencies. Such applications demand the use of short channel graphene transistors (GFETs) that operate at high electric fields in order to ensure a high speed. [...]
2019 - 10.1021/acsaelm.9b00604
ACS applied electronic materials, Vol. 1, Issue 12 (December 2019) , p. 2626-2636  
8.
12 p, 530.3 KB GFET asymmetric transfer response analysis through access region resistances / Toral Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica) ; Marin, Enrique G. (Universitá di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez Medina, Jose Maria (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Godoy, Andres (Universidad de Granada. Laboratorio de Investigación Avanzada de Electrónica Penetrante)
Graphene-based devices are planned to augment the functionality of Si and III-V based technology in radio-frequency (RF) electronics. The expectations in designing graphene field-effect transistors (GFETs) with enhanced RF performance have attracted significant experimental efforts, mainly concentrated on achieving high mobility samples. [...]
2019 - 10.3390/nano9071027
Nanomaterials, Vol. 9, Issue 7 (July 2019) , art. 1027  
9.
3 p, 418.6 KB Un pas imprescindible perquè el pròxim smartphone inclogui tecnologia electrònica de grafè / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La Internet de les Coses està provocant una expansió sense precedents de la connectivitat i les comunicacions en la nostra societat actual. La nova generació de tecnologies sense fils, el 5G, demana connexions cada cop més ràpides, cosa que fa necessari desenvolupar noves tecnologies electròniques per atendre les exigències del mercat. [...]
El Internet de las Cosas está provocando una expansión sin precedentes de la conectividad y las comunicaciones en nuestra actual sociedad. La nueva generación de tecnologías inalámbricas, el 5G, demanda conexiones cada vez más rápidas, lo que hace necesario desarrollar nuevas tecnologías electrónicas para atender las exigencias del mercado. [...]
The specific needs of the next generations of wireless communication systems, 5G and beyond, as well as devices for the future development of Internet of Things have made graphene and related materials promising candidates for future electronic applications, such as bendable and terahertz electronics. [...]

2019
UAB divulga, Desembre 2019, p. 1-3
3 documents
10.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  

Articles : 22 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 8 registres trobats  
1.
254 p, 13.5 MB Design, fabrication and characterization of semiconductor radiation sensors for future high energy physics experiments / Benítez Casma, Víctor Hugo ; Ullán Comes, Miguel, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Aquest treball se centra en els sensors de radiació de silici, especialment en el disseny, la fabricació i la caracterització dels sensors de microstrip per a experiments en física d'alta energia. [...]
This work focuses on silicon radiation sensors, particularly on the design, fabrication and characterization of microstrips sensors for high energy physics experiments. Building prototypes for the ATLAS detector upgrade (Petalet sensors) and the proposal of a protection structure against beam losses (LowR sensors) are the framework for the research activities. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
176 p, 7.2 MB Lab-on-a-chip integration of the bimodal waveguide nanointerferometric biosensor / Grajales García, Daniel ; Lechuga, Laura, dir. ; Sendra Sendra, José Ramón, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
La presente tesis doctoral se centra en la integración del novedoso biosensor nanointerferométrico de guías de onda bimodal (BiMW biosensor) en una plataforma lab-on-chip para la detección temprana de biomarcadores relacionados con el diagnóstico clínico de enfermedades directamente en la muestra del paciente. [...]
This doctoral Thesis focuses on the integration of the novel Bimodal Waveguide Nanointerferometric Biosensor (BiMW) into a Lab-On-a-Chip (LOC) platform which can allow the direct detection of biomarkers for diseases diagnosis directly in the patient's sample. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
3.
165 p, 3.1 MB Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / Pasadas Cantos, Francisco ; Jiménez Jiménez, David, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los sistemas de comunicación inalámbricos 5G, así como el futuro despliegue del "Internet of Things", han hecho que el International Technology Roadmap for Semiconductors, documento estratégico que marca la hoja de ruta de la industria de los semiconductores, incluya desde 2011 al grafeno y los 2DMs relacionados (GRMs) como candidatos para la electrónica del futuro. [...]
New technologies are necessary for the unprecedented expansion of connectivity and communications in the modern technological society. The specific needs of wireless communication systems in 5G and beyond, as well as devices for the future deployment of the Internet of Things has caused that the International Technology Roadmap for Semiconductors, which is the strategic planning document of the semiconductor industry, considered since 2011, graphene and related materials (GRMs) as promising candidates for the future of electronics. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
4.
168 p, 7.7 MB Development of integrated plasmomechanical sensors in microfluidic devices for live cell analysis / Solís Tinoco, Verónica Iraís ; Lechuga, Laura, dir. ; Sepúlveda, Borja, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta Tesis doctoral se centra en el diseño, estudio y optimización de una metodología controlada para la fabricación de un sensor flexible y plasmo-mecánico integrado con microfluídica, así como en su caracterización óptica y mecánica. [...]
This doctoral Thesis focuses on the design, study, and optimization of the controlled fabrication metodology of a flexible plasmo-mechanical sensor with microfluidics, as well as its optical and mechanical characterization. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
5.
95 p, 4.8 MB Array of microfluidic beam resonators for mass sensing applications : : design, fabrication and testing / Marquez Villalobos, Salomón Elieser ; Lechuga Gómez, Laura M., dir. ; Álvarez Sánchez, Mar, dir. ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En la búsqueda de herramientas de diagnóstico más eficientes, los dispositivos biosensores basados en resonadores micro y nanoelectromecánicos han demostrado un gran impacto en este ámbito debido a su alta sensibilidad, tamaño miniaturizado y su rápida respuesta a una interacción. [...]
In the pursuit of more efficient diagnosis tools, micro- and nanomechanical biosensors have shown promising impact due to its high sensitivity, fast interaction and small size. Under this premise, the present Doctoral Thesis has the ultimate objective of integrating a mass sensor based on Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) resonators into a Lab-on-a-Chip platform for the simultaneous detection of different analytes in real-time. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
6.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
7.
26 p, 295.9 KB Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta / Sureda i Masmartí, Carles ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. [...]
En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. [...]
In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. [...]

2007  
8.
94 p, 7.7 MB Diseño de dispositivos optoelectrónicos integrados : : métodos numéricos de simulación de la propagación de ondas electromagnéticas / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pérez Murano, Francesc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La tesis se centra en el desarrollo de metodos numéricos para simular la propagación del campo electromagnético en guías de onda, haciendo especial énfasis en la investigación de condiciones de frontera que permitan el flujo de las ondas radiadas hacia el exterior de la región de cálculo. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2008  

Materials acadèmics 14 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
5 p, 124.1 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
2.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
3.
5 p, 108.9 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2020-21
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
4.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
5.
5 p, 108.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
6.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  
7.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
8.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  
9.
5 p, 86.1 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Informàtica [958]  
10.
1 p, 160.2 KB Electricitat i Electrònica [20338] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martínez, Ll. Miquel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1995-96
Enginyer en Informàtica [57]  

Materials acadèmics : 14 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.