Resultats globals: 2 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
8 p, 695.2 KB Prospect for antiferromagnetic spintronics / Marti, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fina Martínez, Ignasi (University of Warwick. Department of Physics) ; Jungwirth, Tomas (Fyzikální ústav AV ČR)
Exploiting both spin and charge of the electron in electronic micordevices has lead to a tremendous progress in both basic condensed-matter research and microelectronic applications, resulting in the modern field of spintronics. [...]
2015 - 10.1109/TMAG.2014.2358939
IEEE transactions on magnetics, Vol. 51, issue 4 (April 2015) , art. 7109970  
2.
5 p, 591.3 KB Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling / Petti, D. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Albisetti, E. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Reichlová, H. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, M. (Oak Ridge National Laboratory. Materials Science & Technology Division) ; Molina Ruiz, Manel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Olejník, K. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Novák, V. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Dkhil, B. (Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides (CNRS)) ; Hayakawa, J. (Hitachi Ltd. Advanced Research Laboratory) ; Marti, X. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Wunderlich, J. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Jungwirth, T. (Institute of Physics (Praga, República Txeca)) ; Bertacco, R. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; American Institute of Physics
In this paper, we demonstrate that in Ta/MgO/IrMn tunneling junctions, containing no ferromagnetic elements, distinct metastable resistance states can be set by field cooling the devices from above the Néel temperature (TN) along different orientations. [...]
2013 - 10.1063/1.4804429
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 19 (May 2013) , p. 192404/1-192404-4  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Jungwirth, Tomas
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.