Resultats globals: 5 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 5 registres trobats
Articles 5 registres trobats  
1.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
2.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
3.
5 p, 993.1 KB Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4  
4.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
5.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, G. (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied Physics Letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.